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1、 TLP250(INV)东芝光电耦合器 砷化镓铝集成红外光电二极管TLP250(INV)2002-06-276晶体反相器栅极驱动IGBT调节器大功率MOSFET栅极驱动东芝TLP250(发票)由GaAlAs发光二极管和集成的光电探测器.本芯片是8脚DIP封装TLP250(INV) 适用于栅极驱动的IGBT管和大功率MOSFET管 输入阈值电流: IF=5mA(最大) 电源电流(ICC): 11mA(最大) 电源电压(VCC): 1035V 输出电流(IO): 2.0A(最大) 开关转换时间(tpLH/tpHL) : 0.5s(最大) 隔离电压: 2500Vrms UL 认证: UL1577,E
2、67349号文件 期权(D4)VDE 核准 : 德标 VDE0884/06.92 76823号证书 最大绝缘工作电压 : 630VPK允许的最高过电压: 4000VPK(注):当需要一个VDE0884认可类型, 请指定命名为 “期权(D4)” 爬电距离: 6.4mm(最小) 空隙: 6.4mm(最小)单位 mm东芝1110C4重: 0.54 gTRUTH TABLE记录 1记录 2输入 LED开开关关关开管脚排列(俯视图)1:空置.2: 正极3:负极4:空置.5:地6: 电压输出7:电压输出8:电源SCHEMATIC IF2 +VFICC（Tr1）VCC 8VO3 -VO一个0.1uF的旁路电
3、容应该和8脚和5脚连接起来（见注释5）IO（Tr）65 GND.极限工作范围 (工作温度=25C时)典型参数符号极限值单位LED正向电流IF20mA正向电流变化率 (工作温度70)IF /Ta0.36mA /C浪涌电流(注释1)IFPT1A反向电压VR5V节点温度Tj125C探测器“H” 峰值输出电流脉冲宽度 2.5s , 频率15 kHz(注释2)IOPH1.5A脉冲宽度1.0s , 频率15 kHz2.0“L” 峰值输出电流脉冲宽度2.5s , 频率15 kHzIOPL+1.5A脉冲宽度 1.0s , 频率15 kHz+2.0输出电压(工作温度70C)VO35V(工作温度=85C)24供电
4、电压(工作温度70C)VCC35V(工作温度=85C)24输出电压变化率(工作温度70C)VO /Ta0.73V /C供电电压变化率(工作温度70C)VCC /Ta0.73V /C节点温度Tj125C工作频率（注释3)f25kHz工作温度范围Topr2085C存储温度范围Tstg55125C引脚焊接温度(10s)Tsol260C隔离电压 (交流,1分钟., 相对湿度 60%,工作温度=25C)(注释4)BVS2500V（有效值）(注释1) : 脉宽1s,300pps (Note 2) : 浪涌(注释3) : 浪涌波形 IOPH1.0A (2.5s) , IOPL+1.0A (2.5s)(注释
5、4) : 双端驱动 : 1,2,3 ,4 脚短接 ；5,6,7 ,8 脚短接.(注释5): 用一个0.1F陶瓷电容应该连接在8脚和5脚之间来获得稳定的放大增益。. 错误的走线（绕线）可能会 削弱开关的性能。电容和耦合器之间的总长度不能超过 1cm。建议工作条件典型参数符号最小值典型值.最大值单位开关打开时的输入电流IF (ON)7810mA开关关断时的输入电压VF (OFF)00.8V供给电压VCC153020V峰值输出电流IOPH / IOPL0.5A工作温度Topr20257085C电特性 (工作温度 = 2070C,除另有规定外)典型参数符号测试回路测试条件最小值典型值.最大值单位正向输
6、入电压VFIF = 10 mA, Ta = 25C1.61.8V正向电压下的温度系数V /TaI = 10 mA2.0mV /C反相输入电流IRVR = 5 V, Ta = 25C10A输入电容CTV = 0, f = 1 MHz, Ta = 25C45250pF输出电流“高” 电平IOPH2VCC = 30 V (*1)IF = 10 mA V86 = 4 V1.01.5A“低” 电平lIOPL1IF = 0V65 = 2.5 V1.02输出电压“高” 电平VOH3VCC1 = +15 V VEE1 = 15 VRL = 200, IF = 5 mA1112.8V“低” 电平VOL4VCC1
7、 = +15 V VEE1 = 15 VRL = 200, VF = 0.8 V14.212.5供给电流“高”电平ICCHVCC = 30 VIF = 10 mA Ta = 25C7mAIF = 10 mA11“低” 电平ICCLIF = 0 mA Ta = 25C7.5mAIF = 0 mA11门槛输入电流低高IFLHVCC1 = +15 V VEE1 = 15 VRL = 200, VO 0V1.25mA门槛输入电压高低VFHLVCC1 = +15 V VEE1 = 15 VRL = 200, VO 0V0.8V供给电压VCC1035V电容量 (输入-输出)CSVS = 0, f = 1
8、MHz, Ta = 25C1.02.0pFResistance (Input-Output)RSVS = 500 V, Ta = 25C R.H.60%110121014(*) : 所有参数均是温度在25C的值 (*1) : IO的持续时间 50sFF开关特性(工作温度 = 2070C,除另有规定外)典型参数符号测试电路测试条件最小值典型值.最大值单位传输延时低高tpLH5IF = 8 mA, VCC = 15 VRL = 20, CL = 10nF0.050.150.5s高低tpHL0.050.150.5开关在开和关之间的时间分布|tpHL-tpLH|0.45输出上升沿时间tr输出下降沿时间
9、tf下降沿瞬态共模抑制比CMH6VCM = 1000 V, IF = 8 mA VCC = 30 V, Ta = 25C15000V /s上升沿瞬态共模抑制比CMLVCM = 1000 V, IF = 0 mA VCC = 30 V, Ta = 25C15000V /s图.1 IOPL 测试电路图.2 IOPH 测试电路18180.1AAIOPL 4V6-5VCC40.1AAIOPHV8-6VCC图.3 VOH 测试电路图.4 VOL 测试电路18180.1AILRFVVOH 4VCC1VF4VEE10.1ARLV VOLVCC1VEE1图.5 tpLH、tpHL、tr、tf 测试电路18IF0.1FRL CLIFVCCVOVOtrtf90%50%45tpLHtpHL10%图.6 CMH , CML 测试电路SWIF180.1FVCCABVO4VCMVCM10%90%tt1000VrSW : A(IF=8mA)VOf3V26VCMHCMH =800(V)tf(s)SW : B(IF=0mA)CMLCML =800(V)tr(s)CML(CMH) 是指在上升沿（或者下降沿）时用来维持输出电压的低电平（或者高电平）状态最大的电压共模抑制比。产品的限制使用条件000707EBC 东芝公司一直在为提升
