光电式传感器和光纤传感器课件

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1、7.1 光电效应和光电器件,光电效应按其作用原理可分为外光电效应和内光电效应。 一、外光电效应 在光线作用下，物体内的电子逸出物体表面，向外发射的现象称为外光电效应。 基于外光电效应的光电器件由光电管、光电倍增管等。 我们知道，光子是具有能量的粒子，每个光子具有的能力由下式确定。,若物体中电子吸收的入射光的能量足以克服逸出功A0时，电子就逸出物体表面，产生电子发射。故要使一个电子逸出，则光子能量h必须超出逸出功A0 ，超过部分的能量，表现为逸出电子的动能。即,二、内光电效应,受光照的物体导电率发生变化，或产生光生电动势的效应叫内光电效应。内光电效应又可分为以下两大类。 1）光电导效应。在光线作

2、用下，电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态，而引起材料电阻率变化，这种效应称为光电导效应。基于这种效应的器件有光敏电阻等。 2）光生伏特效应。在光线作用下能够使物体产生一定方向电动势的现象叫光生伏特效应。基于该效应的器件有光电池和光敏晶体管等。,三、 光敏电阻,为了防止周围介质的影响, 在半导体光敏层上覆盖了一层漆膜, 漆膜的成分应使它在光敏层最敏感的波长范围内透射率最大。,1.光敏电阻的结构 它是涂于玻璃底板上的一薄层半导体物质, 半导体的两端装有金属电极, 金属电极与引出线端相连接, 光敏电阻就通过引出线端接入电路。,2. 光敏电阻的工作原理,光敏电阻又称光导管, 它几乎都是用半导体材

3、料制成的光电器件。 光敏电阻没有极性, 纯粹是一个电阻器件, 使用时既可加直流电压, 也可以加交流电压。 无光照时, 光敏电阻值（暗电阻）很大, 电路中电流（暗电流）很小。当光敏电阻受到一定波长范围的光照时, 它的阻值（亮电阻）急剧减少, 电路中电流迅速增大。 一般希望暗电阻越大越好, 亮电阻越小越好,此时光敏电阻的灵敏度高。 实际光敏电阻的暗电阻值一般在兆欧级, 亮电阻在几千欧以下。,3 光敏电阻的主要参数 ） 暗电阻 光敏电阻在不受光时的阻值称为暗电阻, 此时流过的电流称为暗电流。 ） 亮电阻 光敏电阻在受光照射时的电阻称为亮电阻, 此时流过的电流称为亮电流。 ） 光电流 亮电流与暗电流之

4、差称为光电流。 ,4 光敏电阻的基本特性 1） 伏安特性：在一定照度下, 流过光敏电阻的电流与光敏电阻两端的电压的关系 一定光照，R一定，I正比于U。 一定电压，I随着光照E增强而增大。 ERI。,2) 光照特性（IE）,光敏电阻的光照特性为非线性，不宜作检测元件，主要用于自动控制中。,3） 光谱特性（Kr %） 光敏电阻的相对光敏灵敏度与入射波长的关系称为光谱特性。 亦称为光谱响应。,不同材料，其峰值波长不同。 同一种材料，对不同波长的入射光，其相对灵敏度不同，响应电流不同。 应根据光源的性质，选择合适的光电元件（匹配）使光电元件得到较高得相对灵敏度。,4） 温度特性 温度变化影响光敏电阻的

5、光谱响应。 硫化铅光敏电阻的光谱温度特性曲线, 它的峰值随着温度上升向波长短的方向移动。因此, 硫化铅光敏电阻要在低温、恒温的条件下使用。 对于可见光的光敏电阻, 其温度影响要小一些。 ,5.光敏电阻的应用,1.光照度计 农作物日照时数测定。 输出接单片机的I/O口，每2分钟对此口查询1次，为高电平，计数一次，为低电平，不计数。1天查询720次。 无光照V0=VL 。有光照V0=VH。,2.环境照度监视器,3.带材跑偏检测仪,四、光敏二极管与三极管,一. 光敏二极管,1.工作原理与结构 光敏二极管的结构与普通二极管一样，都有一个PN结，两根电极引线，而且都是非线性器件，具有单向导电性。不同之处

6、在于光敏二极管的PN结状在管壳的顶部，可直接受到光的照射，其结构和电路如图所示。,没有光照射时，处于反向偏置的光敏二极管，工作于截止状态, 这时只有少数载流子在反向偏压的作用下，渡越阻挡层，形成微小的反向电流即暗电流。这时反向电阻很大。 当光照射在PN结上时, 光子打在PN结附近, PN结附近产生光生电子和光生空穴对。从而使P区和N区的少数载流子浓度大大增加，因此在反向外加电压和内电场的作用下,P区的少数载流子渡越阻挡层进入N区， N区的少数载流子渡越阻挡层进入P区，从而使通过PN结的反向电流大为增加，形成光电流。这时二极管处于导通状态。光的照度越大, 光电流越大。,2.光敏二极管的基本特性,

7、1）光谱特性 在入射度一定时，输出的光电流（或相对灵敏度）随光波波长的变化而变化。一种光敏二极管只对一定波长的入射光敏感，这就是它的光谱特性。如图所示。,2）伏安特性,3）光照特性,4）温度特性,温度变化对光敏二极管输出电流影响较小,但对暗电流的影响却十分显著.,3.光敏二极管的应用,1）光电路灯控制电路,2）光强测量电路,二. 光敏三级管,光电三极管比具有相同有效面积的光电二极管的光电流大几十至几百倍，但相应速度较二极管差。 1.工作原理与结构,基极开路，集电极与发射极之间加正电压。当光照射在集电结上时, 在结附近产生电子-空穴对, 电子在结电场的作用下，由P区向N区运动，形成基极电流，放大

8、倍形成集电极电流（光电流）, 所以光电三极管有放大作用。,2.光敏三极管的基本特性,1）光谱特性与伏安特性 光谱特性与二极管相同，伏安特性如图。,2）温度特性与光照特性,温度特性与光敏二极管相同，光照特性如图,3.光敏三极管的应用,1.脉冲编码器,2.转速传感器,7.2 CCD图像传感器,固态图像传感器按其结构可分为三类：电荷耦合器件（简称CCD）、MOS图像传感器（简称SSPA）和电荷注入器件（简称CID）。 目前，前两种用得较多。广泛用于图像传输与识别。例如，摄像机、数码照相机、扫描仪、复印机和机器人的眼睛等。 在本节中仅说明CCD图像传感器的工作原理与特性,一、 电荷耦合器件 (CCD)

9、,电荷耦合器件（Charge Couple Device， 简称CCD），它将光敏二极管阵列和读出移位寄存器集成为一体，构成具有自扫描功能的图象传感器。是一种金属氧化物半导体（MOS）集成电路器件，它以电荷作为信号, 基本功能是进行光电转换电荷的存储和电荷的转移输出。 广泛应用于自动控制和自动测量, 尤其适用于图像识别技术。,1. MOS光敏单元的结构及原理,CCD器件完成对物体的成像，在其内部形成与光像图形相对应的电荷分布图形。这就要求它的基本单元具有存储电荷的功能，同时还具有电荷转移输出功能。CCD器件的基本单元结构是MOS（金属氧化物半导体）结构。即在P型硅衬底上生长一层SiO2 (12

10、0nm),再在 SiO2层上沉积金属铝构成MOS结构，它是CCD器件的最小工作单元。,A、势阱的产生 MOS的金属电极加正压，电极下的P型硅区域内空穴被赶尽，留下带负电荷的负离子，其中无导电的载流子，形成耗尽层。它是电子的势阱。势阱的深浅取决于U的大小。,B、电荷的存储 势阱具有存储电荷的功能，势阱内所吸收的光生电子数量与入射到势阱附近的光强成正比。 CCD器件将物体的光像形成对应的电像时，就是CCD器件中上千个相互独立的MOS单元势阱中存储与光像对应的电荷量。,2. 读出移位寄存器,研究如何实现势阱下的电荷从一个MOS元位置转移到另一个MOS元位置，并依次转移并传输出来。,A、电荷的定向转移

11、 当外加电压一定时，势阱的深度随势阱中的电荷量的增加而线性减少。 由此通过控制相邻MOS电容器栅极电压高低来调节势阱的深浅。 要求： 多个MOS电容紧密排列且势阱相互沟通。 金属电极上加电压脉冲严格满足相位要求。,B、三相CCD电极的结构 MOS上三个相邻电极，每隔两个所有电极接在一起。由3个相位差120时钟脉冲驱动。,C、电荷的输出,在输出端P型硅衬底上扩散形成输出二极管，二极管加反压，在PN结形成耗尽层。输出栅OG加压使电荷转移到二极管的耗尽区，作为二极管的少数载流子形成反向电流输出。输出电流的大小与电荷大小成正比，通过负载变为电压输出。,输出二极管电流法,二.CCD图像传感器 1. 线阵

12、电荷耦合器件,线阵CCD结构原理图,（1）光照光敏元，各光敏元中的光敏二极管产生光生电子空穴对，电子注入对应的MOS势阱中，光像变为电像电荷包。（光积分） （2）积分周期结束，控制信号使转移栅打开，光生电荷就通过转移栅耦合到移位寄存器中，通过移位寄存器并行输出。 （3）转移栅关闭后，光敏单元开始下一行图像信号积分采集。,图7-12 各脉冲的波形和相位,2.面阵型CCD图像传感器,面阵型CCD图像器件的感光单元呈二维矩阵排列，能检测二维平面图像。按传输和读出方式可分为行传输、帧传输和行间传输三种。下面主要介绍前两种。 1）行传输（LT）面阵CCD,2） 帧传输（FT）面阵CCD,光敏区和存储区分

13、开，光敏区在积分时间内，产生与光像对应的电荷包，在积分周期结束后，利用时钟脉冲将整帧信号转移到读出寄存器。然后，整帧信号再向下移，进入水平读出移位寄存器，串行输出。（一帧对应光敏区MOS的数量）,三. CCD图像传感器的特性参数,1.转移效率 当CCD中电荷包从一个势阱转移到另一个势阱时，若Q1为转移一次后的电荷量，Q0为原始电荷，则转移效率定义为,若转移损耗定义为,则电荷进行N次转移时，总转移效率为,要求转移效率必须达到99.9999.999%,2.分辨率,CCD图象传感器的分辨率用调制转移函数MTF表征。当光强以正弦变化的图像作用在传感器上时，电信号幅度随光像空间频率的变化为调制转移函数M

14、TF。 根据奈奎斯特采样定理，定义图像传感器的最高分辨率fm等于它的空间采样频率f0的一半，即,3.暗电流,暗电流起因于热激发产生的电子空穴对，是缺陷产生的主要原因。CCD器件暗电流越小越好。,4.灵敏度,图象传感器的灵敏度是指单位发射照度下，单位时间、单位面积发射的电量，即,四. CCD图像传感器应用 1、线阵CCD器件检测工件尺寸,L工件尺寸， N覆盖的光敏单元 d相邻光敏单元中心距离 M光学系统放大率,2d为图象末端两个光敏单元之间可能的最大误差。根据目前产品情况d0013003mm。,2.线列CCD摄像系统,3.文字图像识别系统 邮政编码识别系统。写有邮政编码的信封放在传送带上，传感器

15、光敏元的排列方向与信封的运动方向垂直，光学镜头将编码的数字聚焦到光敏元上。当信封运动时，传感器以逐行扫描的方式把数字依次读出。,读出的数字经二值化等处理，与计算机中存储的数字特征比较，最后识别出数字码。由数字码，计算机控制分类机构，把信件送入相应分类箱中。,7.3 光纤传感器,光纤传感优点： 灵敏度较高；几何形状具有多方面的适应性，可以制成任意形状的光纤传感器；可以制造传感各种不同物理信息（声、磁、温度、旋转等）的器件；可以用于高压、电气噪声、高温、腐蚀、或其它的恶劣环境；而且具有与光纤遥测技术的内在相容性。 应用：磁、声、压力、温度、加速度、陀螺、位移、液面、转矩、光声、电流和应变等物理量的

16、测量。,上一页,下一页,返 回,7.3 光纤传感器,7.3.1 光导纤维的结构和导光原理 7.3.2 光导纤维的主要参数 7.3.3 光纤传感器结构原理 7.3.4 光纤传感器的分类 7.3.5 光纤传感器的特点 7.3.6 光纤传感器的应用,上一页,下一页,返 回,7.3.1 光导纤维的结构和导光原理,圆柱形内芯和包层组成，而且内芯的折射率略大于包层的折射率,上一页,下一页,返 回,斯乃尔定理,当光由光密物质出射至光疏物质时，发生折射,（a）折射角大于入射角： （b）临界状态： （c）全反射 ：,上一页,下一页,返 回,光纤导光,上一页,下一页,返 回,n0为入射光线AB所在空间的折射率，一般皆为空气，故 n01,上一页,下一页,返 回,当r =90的临界状态时，,Sin i定义为“数值孔径”NA（Numerical Aperture）,相对折射率差,arcsinNA是一个临界角， i arcsinNA，光线进入光纤后都不能传播而在包层消失； i arcsinNA，光线才可以进入光纤被全反射