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1、 神经系统监测技术规范 一、颅内压监测 （一）适应证 1急性颅脑创伤。 2脑血管意外。 3颅内肿瘤。 4其他脑功能受损的疾病。 （二）有创颅内压监测 1脑室内测压 (1)操作方法 1)无菌条件下，选右侧脑室前角穿刺，于发际后2cm或眉弓上9cm、中线旁2.5cm处颅骨钻孔，穿刺方向垂直于两外耳道连线，深度为47cm。 2)置入颅压监测导管至脑室，导管的颅外端与传感器、换能器及监护仪相连接，传感器保持在平外耳道水平。 3)光导纤维传感器需预先调零，持续监测时不必再调零，液压传感器在持续监测时应定时调零。 (2)注意事项 l)此方法测定颅内压准确。 2)可同时行脑脊液引流降颅压、脑脊液化验和脑室内
2、注射药物。 3)易致颅内感染和脑脊液漏等，故须严格无菌操作。 4)脑脊液引流速度过快，易致脑室塌陷。 2脑实质测压 (1)操作方法 1)无菌条件下，在额区颅骨钻孔。 2)将探头插入非优势半球额叶脑实质内23cm。 3)导管与传感器和换能器相连。 (2)注意事项 1)测压管在脑实质内，容易固定，不易发生漂移。 2)可重复性较差。 3硬脑膜下测压 (1)操作方法：开颅术中，将颅压探头置于蛛网膜表面或蛛网膜下隙。 (2)注意事项 1)放置位置准确，测压准确，不受硬脑膜张力影响。 2)需开颅放置，操作复杂，颅内感染等并发症概率高。 4硬脑膜外测压 (1)操作方法：颅骨钻孔或开颅术中，将颅压探头置于硬脑
3、膜与颅骨之间，紧贴硬脑膜。 (2)注意事项 1)可保持硬脑膜完整性，感染概率低。 2)受硬脑膜影响，压力较脑室内压力高23mmHg，且准确性不高。 （三）无创颅内压监测 经颅多普勒(TCD)，还可同时监测脑血流。 二、颈静脉球血氧饱和度（Sjv02）监测 （一）适应证 1脑缺血（缺氧）性疾病：脑梗死。 2脑外伤。 3颅脑手术和颈动脉手术。 4低温体外循环。 （二）操作方法 1颈内静脉逆行穿刺 (1)患者取仰卧位，头部转向对侧，颈部较短者，肩部垫高使头后仰； (2)常规消毒皮肤、铺巾，穿刺点以2%利多卡因局部麻醉； (3)在胸锁乳突肌三角内颈内动脉搏动点外侧lcm向颅底方向穿刺进针； (4)抽出
4、暗红色回血证实在颈内静脉腔内后，依Selding法依次放置导丝、扩皮器和监测导管； (5)导管遇阻力后回撤lcm，成人从穿刺点至导管顶端通常约为10cm; (6)缝合、固定导管； (7)拍摄胸片，导管顶端约在第2颈椎椎体水平（乳突中点水平）。 2颈静脉球血氧饱和度测量 (1)若为光纤探头持续测量，则将光纤导管连接于测氧仪上； (2)若为间断测量，则间断从颈静脉球采血（勿太快），在血气分析仪测定。 （三）注意事项 1反映脑氧供需平衡。 2对局部脑缺血、缺氧反应差，若为颅内局灶病变，穿刺血管选择病变侧颈内静脉。 3对全脑氧合状态反应好，若为颅内多发病变或广泛损伤，选择引流颅内血占主导地位的一侧颈内
5、静脉。 4Sjv02显著升高(90%)提示脑利用氧障碍，预后不良。三、脑电双频谱指数(BIS)监测（一）适应证1镇静水平的监测。2各种原因导致的脑损伤后，脑功能恢复的监测。（二）操作方法1患者额部、颞部皮肤用酒精擦拭清洁，待干；2按其标注，将BIS传感器（电极片）贴在额颞部对应的位置；3传感器与信号转换器、BIS监护仪连接。（三）注意事项1.监测数值范围0-100，数值越大，患者越清醒；数值越小，大脑抑制越重（见下表）。 表BIS监测数值与大脑状态 BIS 大脑状态 85100 清醒 6584 镇静状态 4064 适当的麻醉状态 40 麻醉过深或大脑皮层抑制2BIS避免和其他导体接触，减少干扰。3患者躁动，身体大幅度活动可能干扰BIS值。4低血糖、低血容量和低体温会导致BIS值下降。
