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1、 神经系统监测技术规范 一、颅内压监测 (一)适应证 1急性颅脑创伤。 2脑血管意外。 3颅内肿瘤。 4其他脑功能受损的疾病。 (二)有创颅内压监测 1脑室内测压 (1)操作方法 1)无菌条件下,选右侧脑室前角穿刺,于发际后2cm或眉弓上9cm、中线旁2.5cm处颅骨钻孔,穿刺方向垂直于两外耳道连线,深度为47cm。 2)置入颅压监测导管至脑室,导管的颅外端与传感器、换能器及监护仪相连接,传感器保持在平外耳道水平。 3)光导纤维传感器需预先调零,持续监测时不必再调零,液压传感器在持续监测时应定时调零。 (2)注意事项 l)此方法测定颅内压准确。 2)可同时行脑脊液引流降颅压、脑脊液化验和脑室内
2、注射药物。 3)易致颅内感染和脑脊液漏等,故须严格无菌操作。 4)脑脊液引流速度过快,易致脑室塌陷。 2脑实质测压 (1)操作方法 1)无菌条件下,在额区颅骨钻孔。 2)将探头插入非优势半球额叶脑实质内23cm。 3)导管与传感器和换能器相连。 (2)注意事项 1)测压管在脑实质内,容易固定,不易发生漂移。 2)可重复性较差。 3硬脑膜下测压 (1)操作方法:开颅术中,将颅压探头置于蛛网膜表面或蛛网膜下隙。 (2)注意事项 1)放置位置准确,测压准确,不受硬脑膜张力影响。 2)需开颅放置,操作复杂,颅内感染等并发症概率高。 4硬脑膜外测压 (1)操作方法:颅骨钻孔或开颅术中,将颅压探头置于硬脑
3、膜与颅骨之间,紧贴硬脑膜。 (2)注意事项 1)可保持硬脑膜完整性,感染概率低。 2)受硬脑膜影响,压力较脑室内压力高23mmHg,且准确性不高。 (三)无创颅内压监测 经颅多普勒(TCD),还可同时监测脑血流。 二、颈静脉球血氧饱和度(Sjv02)监测 (一)适应证 1脑缺血(缺氧)性疾病:脑梗死。 2脑外伤。 3颅脑手术和颈动脉手术。 4低温体外循环。 (二)操作方法 1颈内静脉逆行穿刺 (1)患者取仰卧位,头部转向对侧,颈部较短者,肩部垫高使头后仰; (2)常规消毒皮肤、铺巾,穿刺点以2%利多卡因局部麻醉; (3)在胸锁乳突肌三角内颈内动脉搏动点外侧lcm向颅底方向穿刺进针; (4)抽出
4、暗红色回血证实在颈内静脉腔内后,依Selding法依次放置导丝、扩皮器和监测导管; (5)导管遇阻力后回撤lcm,成人从穿刺点至导管顶端通常约为10cm; (6)缝合、固定导管; (7)拍摄胸片,导管顶端约在第2颈椎椎体水平(乳突中点水平)。 2颈静脉球血氧饱和度测量 (1)若为光纤探头持续测量,则将光纤导管连接于测氧仪上; (2)若为间断测量,则间断从颈静脉球采血(勿太快),在血气分析仪测定。 (三)注意事项 1反映脑氧供需平衡。 2对局部脑缺血、缺氧反应差,若为颅内局灶病变,穿刺血管选择病变侧颈内静脉。 3对全脑氧合状态反应好,若为颅内多发病变或广泛损伤,选择引流颅内血占主导地位的一侧颈内
5、静脉。 4Sjv02显著升高(90%)提示脑利用氧障碍,预后不良。三、脑电双频谱指数(BIS)监测(一)适应证1镇静水平的监测。2各种原因导致的脑损伤后,脑功能恢复的监测。(二)操作方法1患者额部、颞部皮肤用酒精擦拭清洁,待干;2按其标注,将BIS传感器(电极片)贴在额颞部对应的位置;3传感器与信号转换器、BIS监护仪连接。(三)注意事项1.监测数值范围0-100,数值越大,患者越清醒;数值越小,大脑抑制越重(见下表)。 表BIS监测数值与大脑状态 BIS 大脑状态 85100 清醒 6584 镇静状态 4064 适当的麻醉状态 40 麻醉过深或大脑皮层抑制2BIS避免和其他导体接触,减少干扰。3患者躁动,身体大幅度活动可能干扰BIS值。4低血糖、低血容量和低体温会导致BIS值下降。