材料科学基础课后习题答案(部分)_第2版_西安交通大学_.ppt

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1、1.(1),(001),210,(111),(1-10),(-132),111,123,(-3-22),236,(2),(-110),(3),2.,(2 6 3),m是指数中0的个数,n是相同指数 的个数,3.,4.,6.,7.(1)(100)晶面间距为a=0.286nm (110)晶面间距 (123)晶面间距,自己计算,8.(1)不是 (2)不用看,9.自己计算 10.不用看,12.(1)0.097+0.181=0.278,14-17不用看 18自己看,第四章,3.自己看 4.不用看 5. (1)1点为正刃位错,2点为右螺位错, 3点为负刃位错,4点为左螺位错。 (2)在晶体的上下底面施加一

2、对平行于b的切应力,且下底面的切应力与b同向平行。 (3)滑移面下部晶体相对于上部晶体产生与b相同的滑移,并在晶体侧表面形成相应台阶。,6.应在滑移面上、下两部分晶体施加一切应力,切应力的方向应与de位错线平行。 (2)在上述切应力作用下,位错线de将向左(或向右)移动,即沿着与位错线de垂直的方向(且在滑移面上)移动。当位错线沿滑移面旋转360度后。在晶体表面沿柏氏矢量方向产生宽度为一个b的台阶,7.在两根位错线上12,34为刃位错,其余为螺位错。 (2)OS上的各段位错都可在该滑移面内滑移,OS上的12,34位错不能运动,其余各段都可在该滑移面内滑移。,8.(1)AB和CD位错线的形状都不变,但AB的长度缩短b2,CD的长度增加b1 (2)AB位错上形成右螺型扭折,EF上形成左螺型扭折。,9.半径为r1的位错环。10.自己看 11.(1)能,因为能量降低 (2),15.,12.自己看 13.不用看 14自己看 16-20不用看,6.,10,

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