空穴与电子的浓度-文档资料

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1、1,半导体讨论,2,导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度,在能量E(E+dE)之间有 个量子态,而电子占据能量为E的量子态的概率是f(E),则在能量E(E+dE)之间有 个被电子占据的量子态,即有 个电子。然后把能量区间中的电子数相加就能得到能带中的电子总数,再除以半导体体积就能得到导带中的电子浓度。,3,在非简并情况下,能量 (E+dE)间的电子数dN为 那么单位体积中的电子数为,4,对上式积分,可算得热平衡状态下非简并半导体的导带电子浓度n0为 积分上限 是导带顶能量,通过引入变数及计算最终可解得,5,同理,热平衡状态下,非简并半导体的价带中空穴浓度为 称为导带的有效状态密度 称为价带的有效

2、状态浓度,6,本征半导体载流子浓度,本征半导体是完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体 本征半导体特点:电子浓度=空穴浓度 n0=p0,7,杂质能级上的电子和空穴,施主能级上的电子浓度nD为 受主能级上的空穴浓度pA为,8,电离施主浓度 电离受主浓度,9,n型半导体的载流子浓度 在只含一种施主杂质的n型半导体中,由电中性条件可得 等式左边为导带中的电子浓度,右边为价带中的空穴浓度和电离施主浓度之和,10,物理意义,导带中的所有量子态都集中在导带底Ec,而它的状态密度为Nc,则导带中的电子浓度是Nc中有电子占据的量子态数 价带中的所有量子态都集中在价带顶Ev,而它的状态密度为Nv,则价带中的空穴浓度是Nv中有空穴占据的量子态数,

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