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1、第一章 电力电子技术的基本概况,1.1 电力电子技术的含义,1.2 电力电子的主要应用形式,1.3 电力电子技术的发展历史,1.4 电力电子技术的发展方向和前景,1.1 电力电子技术的含义,第一章 电力电子技术的基本概况,电 能,利用最为普及的能量形式,特殊的能量形式,易于转换的能量形式,服务于人们生活中的各个方面,转换为交流电、直流电、电磁辐射、激光束、脉冲、电弧、电磁能,下 页,返回,下 页,上 页,返 回,第一章 电力电子技术的基本概况,电力电子器件承载的电流大，承受的电压高； 模拟电子技术和数字电子技术中的电流、电压等当作信号处理，不考虑转换效率和散热等问题。 电力电子技术应用中涉及到
2、高电压、大电流，须优先考虑电能的转换效率。 电力电子技术与模拟电子技术或信息电子技术都是基于硅材料应用科学的一个分支，采用的是硅分子渗透技术。,下 页,上 页,返 回,第一章 电力电子技术的基本概况,约50%左右由电力电子器件吸收,其余部分由电感、电容、保护电路和电路接口消化。,使器件的温升增加，如散热条件不好，将损坏电力电子器件，并使整个装置、电网遭到破坏。,电力电子器件的保护是电力电子技术实际应用中的重要部分。,下 页,上 页,返 回,第一章 电力电子技术的基本概况,电力电子技术的前景,大量应用在高压直流输电、灵活交流输电系统、电气传动控制、自动化生产线以及电能质量控制等方面,传送功率等级
3、从几瓦到数千兆瓦,在电能的发电、传输、配电、及终端用户等环节起着重要的作用,是信息电子技术发展的继续,下 页,上 页,返 回,第一章 电力电子技术的基本概况,是电力电子技术发展一个新的阶段,表示了一体化设计的概念，对于降低成本、损耗、体积和重量都有着积极的意义,减少工程技术人员在应用电力电子技术过程中的设计和制作费用,将器件驱动和器件本身“融合”在一起，减小装置本身的体积，极大地增强集成系统的整体可靠性,下 页,上 页,返 回,第一章 电力电子技术的基本概况,电力电子技术的市场取决于它的成本、可靠性，以及它在电力应用中所展示的新技术的有效性。 电力电子成本的核心是功率器件的特性，特别是它的导通
4、损耗、关断损耗和开关速度。,电力电子技术,根据电力电子器件的特性、采用一种有效的静态变换和控制方法，将一种电能形式转换为另一种电能形式的技术。,下 页,上 页,返 回,第一章 电力电子技术的基本概况,达到体积小、重量轻、损耗低、效果好的目的，并能实现高效、可靠、实用的控制。,电气和电子器件的有效使用 线性与非线性电路的理论分析 控制理论的应用 成熟设计方法的使用 配合使用先进的分析工具 研究其控制系统的性能,方法,目的,下 页,上 页,返 回,第一章 电力电子技术的基本概况,尤其是当这些器件在功率变换电路中作为关键部件接通或者中断电流时要特别注意。,高可靠性,不使用像发热电子管以及电解电容器等
5、等这些时限很短的器件。,高实用性,避免使用需要周期性维护或替换的旋转器件 。,下 页,上 页,返 回,1.2 电力电子的主要应用形式,第一章 电力电子技术的基本概况,电力电子设备的主要目的,处理电气意义上的功率。,控制交流或直流电源与一个或者多个需要此交流或直流电源负载之间的功率传输 。,传输功率的大小由与变流器终端相连的负载大小确定 。,功能,下 页,上 页,返 回,第一章 电力电子技术的基本概况,电能转换形式的分类,AC/DC变换,把交流电压变换成固定或可调的直流电压。,整流,AC/DC变换,整流器,把交流电压变换成固定或可调的直流电压的装置。,整流器一般用于如充电、电镀、电解和直流电动机
6、的速度调节等场合。,下 页,上 页,返 回,第一章 电力电子技术的基本概况,DC/AC变换,把直流电变换成频率可变、电压固定或可调的交流电。,逆变,DC/AC变换,有源逆变,DC/AC变换时，交流输出与电网相连。,无源逆变,DC/AC变换时，交流输出直接与负载相连 。,下 页,上 页,返 回,第一章 电力电子技术的基本概况,变频器,把直流电变换成频率可变、电压固定或可调的交流电的装置。,无源逆变装置的输出可以是恒频恒压（CVCF）的电源或不间断供电电源（UPS），也可是变频输出的电源。,变频器广泛应用于各种变频电源中，如在中频感应加热和交流电动机的变频调速等方面的应用。,下 页,上 页,返 回
7、,第一章 电力电子技术的基本概况,AC/AC变换,将一种频率和幅植固定或变化的交流电压转换成另一种频率和幅植可调或固定的交流电压。,变频器,AC/AC变换电路,周波变流器,AC/AC变换电路主要用于交流电动机的变频调速。,下 页,上 页,返 回,第一章 电力电子技术的基本概况,DC/DC变换,将一种幅植固定或变化的直流电压变换成幅植可调或恒定的另一个电压等级的直流电压。,直流斩波,DC/DC变换,斩波器,将一种幅植固定或变化的直流电压变换成幅植可调或恒定的另一个电压等级的直流电压的装置。,下 页,上 页,返 回,第一章 电力电子技术的基本概况,脉宽调制变流器,斩波器,斩波器主要用于直流电压变换
8、、开关电源、电车、地铁、矿车等电力机车上所用的直流电动机的牵引，以及计算机、通信和各类仪器仪表的电源等场合。,下 页,上 页,返 回,第一章 电力电子技术的基本概况,1.3 电力电子技术的发展历史,下 页,上 页,返 回,第一章 电力电子技术的基本概况,史前期,晶体管诞生,全控型器件迅速发展期,IGBT出现智能功率模块,晶闸管时代,水银（汞弧）整流器时代,电子管问世,晶闸管问世,下 页,上 页,返 回,第一章 电力电子技术的基本概况,在晶闸管出现之前，电力电子技术已经用于电力变换,硒整流器,电子管,水银整流器,闸流管,下 页,上 页,返 回,第一章 电力电子技术的基本概况,晶体管的发明引发了电
9、子技术的革命,锗功率二极管,硅二极管,晶闸管,下 页,上 页,返 回,第一章 电力电子技术的基本概况,工业技术的迅速发展推动了晶闸管的进步。 电力电子技术的概念和基础由于晶闸管及晶闸管变流技术的发展而逐渐建立起来。 在电力系统的无功补偿、以及在中频加热应用中，晶闸管是处理大功率不可缺少的器件。 晶闸管在高压直流输电中的换流器、静止相控无功补偿器、周波变流器、负载换流逆变器等设备中仍大量使用。,下 页,上 页,返 回,第一章 电力电子技术的基本概况,半导体器件的发展,变流器的拓朴结构,PWM技术,仿真分析方法,控制和估算技术,计算机,数字信号处理,集成芯片,硬件和软件控制,电力电子进步,下 页,
10、上 页,返 回,第一章 电力电子技术的基本概况,快速晶闸管（FST）,逆导晶闸管（RCT）,双向晶闸管（TRIAC）,光控晶闸管（LTT）,晶闸管的派生器件,推动各种电力变流器在冶金、电化学、电力工业、交通及矿山等行业中的应用，促进了工业技术的进步。,下 页,上 页,返 回,第一章 电力电子技术的基本概况,阻碍晶闸管发展的原因,关断晶闸管时须采用强迫换流电路。增加的换流电路使电路复杂、体积增大、重量增加、效率降低，从而导致可靠性下降；,晶闸管只能在承受正向电压过程中，通过对门极施加一个触发脉冲才能使其导通，不能通过脉冲的控制使其关断，属于半控型器件。,下 页,上 页,返 回,第一章 电力电子技
11、术的基本概况,由于晶闸管不能通过控制实现关断，因此它的开关频率难以提高，最高也不会超过400Hz，这样大大限制了它的应用范围； 由于晶闸管相位控制方式对电网及负载产生严重的谐波，这不但会降低电路的功率因数，而且还会对电网造成谐波污染的“公害”。,下 页,上 页,返 回,第一章 电力电子技术的基本概况,门极可关断晶闸管（GTO）,双极型电力晶体管（GTR）,电力场效应晶体管（Power MOSFET）,自关断的全控型器件,通过对门极（基极、栅极）的控制既可使其开通，又可使其关断。这些器件的开关速度高于晶闸管，可以用于开关频率较高的场合。,下 页,上 页,返 回,第一章 电力电子技术的基本概况,G
12、TO的关断功率损耗较大，须使用开关吸收电路，以减小dv/dt，在实际应用中受到一定的限制。 GTO的一般容量为6KV/4KA。 实际使用中，GTO的触发功率很大，关断时要消耗其导通功率的20%左右，限制了它的开关频率。 在GTO变流器的吸收和驱动电路设计应考虑其特殊性。,门极可关断晶闸管(GTO ),下 页,上 页,返 回,第一章 电力电子技术的基本概况,大功率达林顿双极结型晶体管（BJT），由于它的驱动损耗大，以及可靠性差，现已由大功率场效应晶体管MOSFET（低压范围内）和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）所取代。,MOSFET是多数载流子传导器件，它的导通压降较高，开关损耗并不是太大，且电压
13、等级不能做得太高，它一般只应用于低压、高频电路中。,下 页,上 页,返 回,第一章 电力电子技术的基本概况,静电感应式晶体管（SIT）,静电感应式晶闸管（SITH）,MOS晶闸管（MCT）,功率半导体器件,这些器件具有很高的开关频率，可以承受更高的电压，并允许更大的导通电流，这种类型的大功率开关器件在构成高频大功率变流器中具有特别的优势。,下 页,上 页,返 回,第一章 电力电子技术的基本概况,绝缘栅双极型晶体管（IGBT）,IGBT的开关频率比BJT高很多，在正向偏置安全工作区内可以不需要吸收电路，这种模块的额定容量在20世纪90年代就已达到了3500V/1200A，它的电气特性还在不断完善
14、。 IGBT在许多中、大功率的变流设备中得到了广泛使用，直到现在，它仍是主要的功率开关器件。,下 页,上 页,返 回,第一章 电力电子技术的基本概况,IGBT的智能模块（IPM）是将内置门极驱动及热保护等功能集于一体的集成模块，它可以控制和保护几百千瓦的负载，用于中小功率的变流设备中。 具有沟槽栅技术的现代IGBT模块比二极管的导通压降稍高一点，但它具有更快的开关速度。 近期发展起来的新型大功率半导体器件3.3kV、4.5kV、6.5kV的IGBT改进了变流电路的设计，在三电平拓扑结构中广泛采用，迅速增加了PWM型可控电压源变流器所占的市场份额。,下 页,上 页,返 回,第一章 电力电子技术的
15、基本概况,PWM可控VCS（电压源型变流器）的优势在于，可以降低线路中的谐波含量，提高功率因数，并有效降低了滤波器的容量和体积，提高了系统的效率，从而降低在冶炼、船舶、采矿、电解和高压直流输电等行业中的能耗。,下 页,上 页,返 回,第一章 电力电子技术的基本概况,MCT,MCT是另一种MOS门极驱动装置，它的触发电路比起GTO简单得多，所需的开关能量和MOSFET或IGBT差不多，关断时不需要像GTO那样大的反向门控电流，在相同功率等级的条件下，导通压降比IGBT小，其开关速度也比较高。 但无论是电压等级还是功率等级都不能与GTO和IGBT媲美。 MCT模块在软开关变流器中应用。,下 页,上
16、 页,返 回,第一章 电力电子技术的基本概况,GCT的主要特点,阴极关断电流全部从门极流出，关断增益为1，并能在小于1ms的时间内均匀流出。 由于采用很薄的n+缓冲层结构，使GCT器件的通态压降很低，因而通态损耗较小。 该器件采用ABB公司的特殊低电感外壳设计，有效减小了门极驱动电路的等效电感，大大提高diGQ/dt（约3kA/ms）。该器件的存储时间短，关断均匀，易于串联使用。,下 页,上 页,返 回,第一章 电力电子技术的基本概况,GCT的硅片中同时集成了功率二极管，减少了硬件电路的电缆连线，并使设计更为紧凑。 允许较高的开关频率，而且通态和关断损耗均较低。但在GCT的使用过程中，其控制功能还不够完善，仍需要较大的驱动功率，开关控制电路的设计较复杂，因而必须另外增加外部触发控制电路。,下 页,上 页,返 回,第一章 电力电子技术的基本概况,集成门换流晶闸管IGCT,IGCT相当于开关特性很硬的GTO，但它比GTO具
