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1、精品资料推荐教 案2007 2008 学年 第 一 学期院 （ 系 、 部 ） 机电工程学院 教 研 室 物理与电子科学系 课 程 名 称 微电子概论 专业、年级、班级 05电科（1）（2）（3）班 主 讲 教 师 熊 志 伟 职 称 、 职 务 助 教 使 用 教 材 微电子概论 1微电子概论教案48学时福建农林大学机电学院47编号：1课时安排：2学时教学课型：理论课 实验课 习题课 其它授课章节（或主题）： 第一章概论教学目的、要求：掌握：1. 集成电路的分类2. 集成电路的制造特点熟悉：微电子学的基本概念了解：电子工业的发展历史、特点、未来发展方向教学内容（包括基本内容、重点、难点）：1
2、-1 微电子技术的发展历程一、发展历程（了解）二、发展特点（熟悉）1. 集成度不断提高； （Moore定律）2. 小特征尺寸和大圆片技术不断适应发展；（表1-2）3. 半导体产品的高性能化和多样化；4. 微电子技术发展的多功能化；三、21世纪发展趋势（了解）1. 缩小器件的特征尺寸2. 系统集成芯片（System On a Chip）3. 微电子技术与其他学科相结合产生的新的技术增长点1-2 集成电路的分类一、 按功能分类1. 数字集成电路；2. 模拟集成电路；3. 混合集成电路；二、按电路结构分类1. 单片集成电路；2. 混合集成电路；a. 厚膜工艺b. 薄膜工艺c. 多芯片组装IC三、按有
3、源器件分类1. 双极型集成电路2. MOS集成电路3. BiMOS集成电路四、按电路的规模分类SSI，MSI，LSI，VLSI，ULSI，GSI1-3 集成电路制造特点一、 电路系统设计二、版图设计和优化三、集成电路的加工制造四、集成电路的封装五、集成电路的测试和分析教学方式：讲授教学媒介：教科书、板书教学过程设计： 授新课、问题讨论、布置作业板书设计：本章提纲一、微电子概论课程简介二、电子工业的发展历程三、集成电路的分类四、集成电路的制造特点五、本书学习要点板书要强调的内容重要的公式作业：回顾模拟电路课程内容，参照书本预习第二章内容参考书目：1、张兴 黄如 刘晓彦.微电子学概论. 北京大学出
4、版社，20052、常青 陶华敏 肖山竹.微电子技术概论. 国防工业出版社，2006教师姓名：熊志伟 职称：助教 07 年 9月 3 日编号：2课时安排：2学时教学课型：理论课 实验课 习题课 其它授课章节（或主题）： 第二章集成器件物理基础2-12-3 教学目的、要求：掌握：1. 半导体能带模型、工作原理；2. PN结和晶体二极管工作特性和参数；了解：PN结应用和常用的半导体二极管；教学内容（包括基本内容、重点、难点）：2-1 半导体及其能带模型一、半导体结构常用半导体材料的结构特点和导电机制二、半导体的能带模型（#）三、费米分布函数2-2 半导体的导电性一、 本征半导体二、非本征半导体注意其
5、中的区别和联系三、半导体的漂移电流四、半导体的扩散电流五、半导体基本方程2-3 PN结和晶体二极管一、平衡状态下的PN结二、PN结及晶体二极管的特性1. 单向导电性2. 伏安特性3. 电容特性4. 反向击穿特性三、二极管的等效模型教学方式：讲授教学媒介：教科书、板书教学过程设计： 授新课、问题讨论、布置作业板书设计：本章重点纲要一、半导体结构二、半导体的能带模型三、本征半导体四、半导体中的电流板书要强调的内容重要的公式例题的求解过程作业：结合模拟电路，复习本课内容 课本P911、2、3参考书目：1、张兴 黄如 刘晓彦.微电子学概论. 北京大学出版社，20052、常青 陶华敏 肖山竹.微电子技术
6、概论. 国防工业出版社，2006教师姓名：熊志伟 职称：助教 07 年 9 月 7 日编号：3课时安排：2学时教学课型：理论课 实验课 习题课 其它授课章节（或主题）： 第二章集成器件物理基础2-42-6 教学目的、要求：掌握：1. 双极型晶体管的直流放大原理、输入输出特性、模型参数2. MOS场效应管工作原理、直流伏安特性、模型参数了解：1. 结型场效应管的工作特性 2. 双极型晶体管和MOS场效应管的应用教学内容（包括基本内容、重点、难点）：2-4双极型晶体管（三极管）一、结构特点二、工作原理三、工作特性1. 电流参数2. 输出特性3. 频率特性4. 开关特性四、影响晶体管直流特性的因素1
7、. 基区变宽效应2. 大电流效应3. 小电流特性五、异质结双极晶体管（HBT）2-5 JFET与MESFET器件基础一、器件结构与电流控制原理二、JFET直流输出特性三、JFET直流转移特性四、JFET器件类型和电路符号五、JFET等效电路和模型参数2-6 MOS场效应晶体管一、 MOS场效应管结构二、工作原理（以NMOS增强型场效应管为例）三、MOS晶体管直流特性及定量描述四、MOS晶体管模型和参数五、硅栅MOS结构和自对准技术六、高电子迁移率晶体管教学方式：讲授教学媒介：教科书、板书教学过程设计： 授新课、问题讨论、布置作业板书设计：本章重点纲要一、结构特点二、工作原理三、工作特性四、影响
8、晶体管直流特性的因素五、异质结双极晶体管（HBT）板书要强调的内容重要的公式例题的讲解过程作业：课后复习，参照参考书预习下一节课内容参考书目：1、张兴 黄如 刘晓彦.微电子学概论. 北京大学出版社，20052、常青 陶华敏 肖山竹.微电子技术概论. 国防工业出版社，2006教师姓名：熊志伟 职称：助教 07 年 9 月 14 日编号：4课时安排：2学时教学课型：理论课 实验课 习题课 其它授课章节（或主题）： 第三章集成电路制造工艺3-1、3-2教学目的、要求：掌握：1. 硅平面工艺的基本流程，基本工艺2. 氧化工艺流程熟悉：流程中的常用名词，基本概念了解：目前新的工艺发展方向教学内容（包括基
9、本内容、重点、难点）：3-1硅平面工艺基本流程一、 平面工艺的基本概念二、PN结隔离双极IC工艺基本流程三、平面工艺中的基本工艺（*）3-2 氧化工艺一、 SiO2薄膜在集成电路中的作用二、SiO2 生长方法（*）1. 热氧化原理2. 常用方法（氧气氧化，化学气相淀积，等离子淀积）三、氮化硅薄膜的制备四、膜质量要求和检验方法1. 表面检查2. 厚度检查（干涉法）3. 氧化层针孔密度检查4. 可动电荷密度，界面态密度检查五、新的挑战教学方式：讲授教学媒介：教科书、板书教学过程设计： 回顾旧知识、授新课、问题讨论、布置作业板书设计：本节纲要一、平面工艺的基本概念二、平面工艺基本流程三、氧化工艺板书
10、要强调的内容重要的公式作图说明例题的求解过程作业：课后复习，参照参考书预习下一节课内容参考书目：1、张兴 黄如 刘晓彦.微电子学概论. 北京大学出版社，20052、常青 陶华敏 肖山竹.微电子技术概论. 国防工业出版社，2006教师姓名：熊志伟 职称：助教 07 年 9 月 17 日编号：5课时安排：2学时教学课型：理论课 实验课 习题课 其它授课章节（或主题）： 第三章集成电路制造工艺3-3、3-4教学目的、要求：掌握：1扩散原理及常用的方法2离子注入技术原理及常用的方法，最新的发展方向熟悉：1两种方法的优缺点，应用范围教学内容（包括基本内容、重点、难点）：3-3掺杂方法之一扩散工艺一、扩散
11、原理扩散流、扩散系数、杂质分布、结深二、常用扩散方法简介（*）1. 液态源扩散2. 片状源扩散3. 固固扩散4. 双温区的分布扩散5、快速气相掺合6、气体浸没激光掺杂三、扩散层质量检测四、扩散工艺与集成电路设计的关系4-2掺杂方法之二离子注入技术一、 离子注入技术的特点1概念2特点（*）二、离子注入设备1离子源2磁分析器3加速管4聚焦5偏速器6扫描仪7靶室8辅助设备三、离子注入杂质分布3-5 光刻工艺一、 光刻工艺的特征尺度二、光刻工艺过程三、超微细图形曝光技术教学方式：讲授教学媒介：教科书、板书教学过程设计：授新课、问题讨论、布置作业板书设计：本节纲要一、扩散原理二、扩散工艺常用方法三、扩散层质量检测四、离子注入技术板书要强调的内容重要的公式例题的求解过程作业：课后复习，参照参考书预习下一节课内容参考书目：1、张兴 黄如 刘晓彦.微电子学概论. 北京大学出版社，20052、常青 陶华敏 肖山竹.微电子技术概论. 国防工业出版社，2006教师姓名：熊志伟 职称：助教 07年9 月 21 日编号：6课时安排：2学时教学课型：理论课 实验课 习题课 其它授课章节（或主题）： 第三章集成电路制造工艺3-63-9教学目的、要求：掌握：1. 制版工艺，外延工艺，金属化工艺，引线封装工艺的工艺流程熟悉：1. 制版工艺的质量要求2. 外延工艺新技术
