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1、湖南科技大学,存储器、复杂可编程逻辑器 和现场可编程门阵列,7.1 只读存储器,7.2 随机存取存储器,7.3 复杂可编程逻辑器件,*7.4 现场可编程门阵列,*7.5 用EDA技术和可编程器件的设计例题,湖南科技大学,教学基本要求：,掌握半导体存储器字、位、存储容量、地址、等基本概念。 掌握RAM、ROM的工作原理及典型应用。 了解存储器的存储单元的组成及工作原理。 了解CPLD、FPGA的结构及实现逻辑功能的编程原理。,湖南科技大学,概述,半导体存贮器能存放大量二值信息的半导体器件。,可编程逻辑器件是一种通用器件，其逻辑功能是由用户通过对器件的编程来设定的。它具有集成度高、结构灵活、处理速
2、度快、可靠性高等优点。,存储器的主要性能指标,取快速度存储时间短,存储数据量大存储容量大,湖南科技大学,存储器,RAM (Random-Access Memory),ROM (Read-Only Memory),RAM(随机存取存储器): 在运行状态可以随时进行读或写操作。 存储的数据必须有电源供应才能保存, 一旦掉电, 数据全部丢失。,ROM(只读存储器)：在正常工作状态只能读出信息。 断电后信息不会丢失，常用于存放固定信息（如程序、常数等）。,固定ROM,可编程ROM,PROM,EPROM,E2PROM,7.1 只读存储器,湖南科技大学,几个基本概念：,存储容量(M)：存储二值信息的总量。
3、,字数：字的总量。,字长（位数）：表示一个信息多位二进制码称为一个字， 字的位数称为字长。,存储容量(M)字数位数,地址：每个字的编号。,字数=2n （n为存储器外部地址线的线数）,湖南科技大学,只读存储器，工作时内容只能读出，不能随时写入，所以称为只读存储器。(Read-Only Memory),ROM的分类,按写入情况划分,固定ROM,可编程ROM,PROM,EPROM,E2PROM,按存贮单元中器件划分,二极管ROM,三极管ROM,MOS管ROM,7.1 .1 ROM的 定义与基本结构,湖南科技大学,存储矩阵,7.1.1 ROM的定义与基本结构,地址译码器,存储矩阵,输出控制电路,湖南科
4、技大学,1) ROM（二极管PROM）结构示意图,存储 矩阵,位线,字线,输出控制电路,M=44,地址译码器,湖南科技大学,字线与位线的交点都是一个 存储单元。交点处有二极管 相当存1，无二极管相当存0,湖南科技大学,字线,存储 矩阵,位线,字线与位线的交点都是一个存储单元。 交点处有MOS管相当存0，无MOS管相当存1。,7.1.2 两维译码,该存储器的容量=?,湖南科技大学,7.1.3 可编程ROM（256X1位EPROM）,256个存储单元排成1616的矩阵,行译码器从16行中选出要读的一行,列译码器再从选中的一行存储单元中选出要读的一列的一个存储单元。,如选中的存储单元的MOS管的浮栅
5、注入了电荷，该管截止，读得1；相反读得0,湖南科技大学,7.1.4 集成电路ROM,AT27C010,128K8位ROM,湖南科技大学,湖南科技大学,7.1.5 ROM的读操作与时序图,（2）加入有效的片选信号,（3）使输出使能信号 有效，经过一定延时后，有效数据出现在数据线上；,（4）让片选信号 或输出使能信号 无效，经过一定延时后数据线呈高阻态，本次读出结束。,（1）欲读取单元的地址加到存储器的地址输入端；,湖南科技大学,（1） 用于存储固定的专用程序,（2） 利用ROM可实现查表或码制变换等功能,查表功能 查某个角度的三角函数,把变量值（角度）作为地址码，其对应的函数值作为存放在该地址内
6、的数据，这称为 “造表”。使用时，根据输入的地址(角度)，就可在输出端得到所需的函数值，这就称为“查表”。,码制变换 把欲变换的编码作为地址，把最终的目的编码作为相应存储单元中的内容即可。,7.1.6 ROM的应用举例,湖南科技大学,用ROM实现二进制码与格雷码相互转换的电路,湖南科技大学,C=A4,I3 I2 I1 I0=A3A2A1A0,O3O2O1O0=D3D2D1D0,湖南科技大学,用ROM实现二进制码与格雷码相互转换的电路,湖南科技大学,7.2 随机存取存储器（RAM）,7.2.1 静态随机存取存储器(SRAM),7.2.2 同步静态随机存取存储器（SSRAM）,7.2.4 存储器容
7、量的扩展,7.2.3 动态随机存取存储器,湖南科技大学,7.2 随机存取存储器（RAM）,7.2.1 静态随机存取存储器(SRAM),1 SRAM 的本结构,高阻,输入,输出,高阻,湖南科技大学,SRAM 的工作模式,湖南科技大学,1. RAM存储单元,静态SRAM(Static RAM),双稳态存储单元电路,来自列地址译码器的输出,来自行地址译码器的输出,湖南科技大学,1. RAM存储单元,静态SRAM(Static RAM),T5、T6导通,T7 、T8均导通,Xi =1,Yj =1,触发器的输出与数据线接通，该单元通过数据线读取数据。,触发器与位线接通,湖南科技大学,（a）,（b）,3.
8、 SRAM的读写操作及时序图,读操作时序图,湖南科技大学,3.SRAM的写操作及时序图,写操作时序图,湖南科技大学,7.2.2 同步静态随机存取存储器（SSRAM）,SSRAM是一种高速RAM。与SRAM不同, SSRAM的读写操作是在时钟脉冲节拍控制下完成的。,湖南科技大学,寄存地址线上的地址,寄存要写入的数据,ADV=0:普通模式读写 ADV=1:丛发模式读写,寄存各种使能控制信号，生成最终的内部读写控制信号；,2位二进制计数器, 处理A1A0,湖南科技大学,ADV=0:普通模式读写,片 选 无 效,普通模式读写模式:在每个时钟有效沿锁存输入信号,在一个时钟周期内,由内部电路完成数据的读(
9、写)操作。,湖南科技大学,ADV=1:丛发模式读写,丛发模式读写模式：在有新地址输入后,自动产生后续地址进行读写操作,地址总线让出,湖南科技大学,在由SSRAM构成的计算机系统中，由于在时钟有效沿到来时，地址、数据、控制等信号被锁存到SSRAM内部的寄存器中，因此读写过程的延时等待均在时钟作用下，由SSRAM内部控制完成。此时，系统中的微处理器在读写SSRAM的同时，可以处理其他任务，从而提高了整个系统的工作速度。,SSRAM的使用特点：,湖南科技大学,1、动态存储单元及基本操作原理,T,存储单元,写操作:X=1 =0,T导通，电容器C与位线B连通,输入缓冲器被选通，数据DI经缓冲器和位线写入
10、存储单元,如果DI为1，则向电容器充电，C存1;反之电容器放电,C存0 。,7.2.3 动态随机存取存储器,湖南科技大学,读操作:X=1 =1,T导通，电容器C与位线B连通,输出缓冲器/灵敏放大器被选通，C中存储的数据通过位线和缓冲器输出,每次读出后，必须及时对读出单元刷新，即此时刷新控制R也为高电平，则读出的数据又经刷新缓冲器和位线对电容器C进行刷新。,湖南科技大学,7.2.4 存储器容量的扩展,位扩展可以利用芯片的并联方式实现。,1. 字长（位数）的扩展-用4K4位的芯片组成4K16位的存储系统。,湖南科技大学,7.2.4 RAM存储容量的扩展,2. 字数的扩展用用8K8位的芯片组成32K8位的存储系统。,芯片数=4,系统地址线数=15,系统:A0 A14,A13 A14?,芯片:A0 A12,湖南科技大学,32K8位存储器系统的地址分配表,湖南科技大学,字数的扩展可以利用外加译码器控制存储器芯片的片选输入端来实现。,
