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1、第七章 光电式传感器,光电传感器的原理与组成,被测量 光信号的变化 电信号 光电器件或光电元件 能够将光量转换为电量的一种器件。 光电传感器一般由辐射源、光学通路和光电器件三部分组成 。,光电元件,光电效应,光电元件是光电传感器中重要的部件，常见的有真空光电元件和半导体光电元件两大类。 根据光的波粒二重性：光在传播时体现出波动性；当光与物质互相作用时体现出粒子性。因此可以认为光是一种以光速运动的粒子流，这种粒子称为光子。对不同频率的光，其光子能量是不相同的，光波频率越高，光子能量越大。用光照射某一物体，可以看做是一连串能量为Ay的光子轰击在这个物体上，此时光子能量就传递给电子，并且是一个光子的
2、全部能量一次性地被一个电子所吸收，电子得到光子传递的能量后其状态就会发生变化，从而使受光照射的物体产生相应的电效应，我们把这种物理现象称为光电效应。,7-1 光敏电阻,一、光敏电阻的工作原理,有些半导体材料在黑暗环境里，它的电阻值很高。当受到光照时，只要光子能量大于半导体材料的禁带宽度，则价带中的电子吸收一个光子的能量后就可跃迁到导带，并在价带中产生一个带正电荷的空穴，这种由光照产生的电子一空穴对增加了半导体材料中载流子的数目，使其电阻率变小，从而造成半导体材料阻值下降。光照愈强阻值愈低。入射光消失后，由光子激发产生的电子一空穴对将逐渐复合，半导体材料的阻值也就逐渐恢复原值。这就是光电导效应。
3、,一、光敏电阻的工作原理,光敏电阻是利用半导体材料的光导效应即由于光照强弱而导致半导体阻值变化的现象而工作的，这种具有光导效应的半导体材料就称为光敏电阻。 暗电阻、暗电流 若将光敏电阻置于无光照的黑暗条件下，测得光敏电阻的阻值称为暗电阻，暗电阻一般在几兆欧姆以上。这时给定工作电压下测得光敏电阻中的电流值称为暗电流。 亮电阻、光电流 光敏电阻在光照下，测得的光敏电阻的阻值称为亮电阻，亮电阻一般在几千欧姆以下。这时在工作电压下测得的电流为亮电流。亮电流和暗电流之差称为光电阻的光电流。,一、光敏电阻的工作原理,光敏电阻就像一个电阻元件，只是阻值随光照变化。 无光照时，暗电阻很大，电流很小。 受一定范
4、围的光照时，亮电阻急剧减小，电流迅速增加。,用于制造光敏电阻的材料主要是金属的硫化物、硒化物和碲化物等半导体。通常采用涂敷、喷涂、烧结等方法在绝缘衬底上制作很薄的光敏电阻体及梳状欧姆电极，然后接出引线，封装在具有透光镜的密封壳体内。,二、光敏电阻的基本特性,（一）光照特性（光电特性） 光敏电阻的光电流与光照度之间的关系称为光电特性。光敏电阻的光电特性呈非线性。因此不适宜做检测元件，这是光敏电阻的缺点之一，在自动控制中它常用做开关式光电传感器。,二、光敏电阻的基本特性,（二）伏安特性 表示光敏电阻的光电流与外加电压之间的关系，如图74所示。由图可知，在给定的电压下，光电流的数值随着照射光的增强而
5、加大，照射光强不变时，外加电压越高，光电流也越大，灵敏度随之增大。但最高工作电压受到允许耗散功率限制，不同元件有不同的规定，使用时应加注意。,（三）光谱特性 表示照射光的波长与光电流的关系，如图所示。不同材料光敏电阻的光谱特性不同，同一材料照射光的波长不同时，光敏电阻的灵敏度亦不同。从图看出，光敏电阻的灵敏度有一个峰值，材料不同灵敏度峰值对,应的波长不同。如硫化镉适用于可见光，硫化锌适用于紫外线，而硫化铅则适用于在红外线区域工作。所以选择光敏电阻时，要与使用的光源结合起来考虑，才能获得较好的效果。,（四）频率特性 当光敏电阻受到脉冲光照时，光电流要经过一段时间才能达到稳态值，光照突然消失时，光
6、电流也不立刻为零，这说明光敏电阻有时延特性。因此不能用在要求快速响应的场合，这是光敏电阻的一个缺陷。,二、光敏电阻的基本特性,（五）温度特性 当温度升高时，暗电阻会下降。温度的变化对光谱特性也有很大影响。图是硫化铅光敏电阻的光谱温度特性曲线，从图中可以看出，它的峰值随着温度上升向波长短的方向移动。,7-2 光电二极管和光电三极管,一、光电二极管和光电三极管的结构原理,光电晶体管通常指光电二极管和光电三极管，工作原理也是基于内光电效应，和光敏电阻的差别仅在于光线照射在半导体PN结上，PN结参与了光电转换过程。 半导体光电二极管有三种类型：PN结型光电二极管(PD)、PIN结型光电二极管(PIN)
7、和雪崩型光电二极管(APD)。 (一)PN结型光电二极管和光电三极管,光电二极管的结构与普通二极管相似，但它的PN结装在管子顶部，光线可以直接照射，PN结的面积较大，结深较浅，以提高光电转换效率，在电路中一般处于反向工作状态，如图所示。无光照射时，反向电阻很大，反向电流(即暗电流)很小，工作在截止状态。当光线照射PN结时，在PN结附近激发出光生电子空穴对，它们在外加反向偏压和内电场作用下作定向运动，形成光电流，处于导通状态。由于光电流是光生载流子参与导电形成的，而光生载流子的数目又直接取决于光照强度。因此，光的照度越大，光电流越大。,光电三极管和光电二极管一样，也是用单晶硅和锗制成的。光电三极
8、管有NPN和PNP型两种，其工作原理与光电二极管很相似，不过它有两个PN结，它在把光信号转换为电信号的同时，又将电流信号加以放大，像普通三极管一样有电流增益作用。图为NPN型光电三极管的基本线路。光电三极管的结构与普通三极管相似，只是它的基区做得很大，以扩大光的照射面积，基极一般不接引线。,一、光电二极管和光电三极管的结构原理,(二)PIN结型光电二极管 普通PN结型光电二极管的响应时间只能达到10-7s，不能满足高速通讯和动态检测的需要，为此，相继出现了一些高速光电器件，例如PIN结光电二极管和雪崩光电二极管。,决定PN结型光电二极管响应时间的主要因素是光生载流子的扩散时间，而PIN结光电二
9、极管与一般PN结光电二极管不同之处在于P层和N层之间增加了一层很厚的I层，同时P层做得很薄，如图所示。当入射光照在P层上时，由于P层很薄，大量的光被较厚的I层吸收，激发出较多的载流子，形成光电流；又由于PIN结光电二极管比PN结光电二极管施加的反向偏置电压高，使其耗尽层加宽，同时加强了它的PN结内电场，加速了光电子的定向运动，大大减少了漂移时间，因而提高了响应速度。,PIN结光电二极管的响应速度快，灵敏度高，而且仍然具有一般PN结光电二极管的线性特性，因此在光通讯和光信号检测中得到广泛的应用。,一、光电二极管和光电三极管的结构原理,(三)雪崩光电二极管(APD) 前述PN光电二极管和PIN结光
10、电二极管不产生光生载流子的倍增作用，即内部无电增益，产生的电流微弱，进行放大和处理时将引入放大器噪声。为了克服这种缺点，加大输出电流，由此产生了雪崩型光电二极管。,雪崩型光电二极管的结构原理如图所示。它是在PN结的P区一侧再设置一层掺杂浓度极高的P+层而构成。使用时在元件两端加上接近于击穿程度的反向偏压，在P层两侧产生极强的内部加速电场。当光线照射时， P+层受光子激发的电子，从价带跃迁到导带，产生的光生载流子，在高电场作用下获得巨大的动能，高速通过P层，在移动过程中由于碰撞而产生新的载流子，这些载流子在强电场作用下又去碰撞其它原子，产生更多的载流子。如此链锁反应，形成“雪崩”现象，使流过二极
11、管的电流猛增，产生强大的光电流。,一、光电二极管和光电三极管的结构原理,雪崩光电二极管与普通光电二极管相比，其突出的特点是在工作点附近的伏安特性斜率较大，工作点稍有变化便会引起元件特性的显著变化。由于它在低于反向击穿电压几十毫伏下工作，因此要求电源有较高的电压稳定性。 雪崩光电二极管的响应时间极短，灵敏度很高，应用前景广阔。例如光通讯技术中的脉冲编码调制方式对光电元件的灵敏度和响应速度要求很高，但对其线性度要求一般，APD正好符合这一要求。,二、光电二极管和光电三极管的基本特性,（一）光照特性 光电二极管和光电三极管的光电流I与照度EV的关系如图7-10所示。,二、光电二极管和光电三极管的基本
12、特性,由图可知光电二极管光电特性的线性度比光电三极管好，但光电二极管的光电流一般只有几微安到几百微安，而光电三极管具有电流放大作用，所以在相同照度下的光电流比光电二极管大得多。但它在放大光电流的同时也放大了暗电流，因此信噪比要比同类光电二极管小。,二、光电二极管和光电三极管的基本特性,(二)伏安特性 光电二极管和光电三极管的光电流I与外加偏压U的关系如图711所示。,二、光电二极管和光电三极管的基本特性,由图可见，在零偏压时，光电三极管无信号电流输出，而光电二极管仍有光电流输出。对光电二极管，光电流与所加偏压几乎无关，仅取决于光照强度，在入射光照度一定的条件下，它相当于一个恒流源对光电三极管，
13、偏压对光电流有明显的影响。当照度保持不变、偏压Uce较小时，曲线陡峭，光电流Ic随Uce的增加而增大。当Uce增大到一定值时，其影响显著减小,二、光电二极管和光电三极管的基本特性,(三)光谱特性 光子能量的大小与光的波长有关，波长越长，光子具有的能量越小对于不同波长的入射光，只有能量大于半导体材料禁带宽度的光子才能激发出光生载流子。因此，光电晶体管对光的响应存在一个最大波长极限入射光波长越短，光子能量越大，但管芯表面的反射损耗也大，使管芯实际得到的能量减小，又存在一个最短波长的限制。所以光电二极管和光电三极管对入射光的波长有一个响应范围。光电流与光的波长的关系，即光谱特性如图7-12所示。,由
14、图可知，材料不同，光谱范围不同，光谱峰值的位置也不同。例如锗管的响应在0.51.7m波长范围内，而硅管在0.41.2m长范围内。因此在使用中要使光源与光电元件的光谱特性一致，以获得最佳效果。,(四)频率特性 频率特性表示光电流与入射光强度变化频率的关系。频率响应与管子的结构，材料、照度、负载等有关。一般来说，光电二极管的频率响应比同类三极管高，这是因为后者载流子的形成离基极一集电极的距离大，载流子到达集电极的时间长；另外硅管又比锗管高。光电二极管的响应时间在100ns以下，PIN型和雪崩型的还要小，而光电三极管的响应时间却长达510s 。光线较强和负载电阻较小时，上升和下降时间短，响应速度就快
15、。因此，在调制光信号和光脉冲下工作时，必须注意管型的选择。例如工作频率低于10MHz时，应选择PN结型光电二极管，高于10MHz时，则选用PIN结型或雪崩型光电二极管，只有工作频率低于200300kHz时，才选用光电三极管。,7-3 光电池,光电池,光电池是一种自发电式的光电元件，它受到光照时自身能产生一定方向的电动势，在不加电源的情况下只要接通外电路，便有电流通过。 制造光电池的材料有硅、锗、硒，硫化镉、砷化镓和氧化亚铜等。硅光电池因为具有转换效率高、性能稳定、频率特性好、光谱范围大，能耐高温辐射等优点所以应用广泛。硒光电池的光谱峰值位于人眼的视觉范围，因而分析仪器和测量仪器也常采用。下面以
16、硅光电池为例进行介绍。,一、硅光电池的结构原理,硅光电池是在一块N(或P)型硅片上，用扩散的方法掺入一些P(或N)型杂质，形成一个大面积的PN结，再在硅片的上下两面制造两个电极，然后在受光照的表面上蒸发一层抗反射层，构成一个电池单体，如图713所示。受光面积越大，接收的光能越多，输出的光电流越大。所以它实质上是一个受光面积很大无偏置的光电二极管。大面积的光敏面一边采用梳状电极可以减少光生载流子的复合，从而提高转换效率，减小表面接触电阻。,当入射光照在电池上时，一部分被反射，其余部分被光电池吸收。被吸收的光能一部分变成热；另一部分以光子形式与半导体中的电子相碰撞，在PN结处产生光生电子一空穴对，这些光生载流子在内电场作用下，空穴移向P区，使P区带正电：电子移向N区，使N区带负电。于是P区和N区之间就形成了光生电动势，把PN结两端与负载连接起来便有电流流过。,二、光电池的基本特性,(一)光照特性 光照特性表示光电池的开路电压Uoc和短路电流Isc与照度Ev之间的关系。硅光电池的光照特性如图714所示。,二、光电池的基本特性,由图可知，开路电压Uoc随照度EV的变化是非线性关系
