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1、一 寸 光 阴 不 可 轻第一章一、选择题（请选择一个最合适的答案填入括号内）1. P型半导体中的多数载流子是（ ），N型半导体中的多数载流子是（ ）。A. 自由电子 B. 空穴 C. 电荷2. 当PN结正偏时，空间电荷区中载流子的扩散运动和漂流运动相比（ ）。A. 前者强于后者 B. 后者强于前者 C.二者平衡3. 二极管正向导通的条件是外加电压（ ）。A. 0 B. 死区电压 C. 击穿电压 D. 死区电压4. 把一个二极管直接同一个电动势为1.5V，内阻为零的电池正向连接，该管（ ）。A. 击穿 B. 电流为零 C. 电流正常 D. 电流过大使管子烧坏5. 在本征半导体中加入_元素可形成
2、N型半导体，加入_元素可形成P型半导体。 A.五价 B.四价 C.三价 D. 二价6. 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将_ A.增大 B.不变 C.减小 D. 置零7. 工作在放大区的某三极管，如果当IB 从12 A增大到22A时，Ic从1mA变为2mA，那么它的值约为_ A.83 B.91 C.100 D. 1108. 当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将_A.增大 B.不变 C.减小 D. 置零9. 当晶体管工作在放大区时，发射结和集电结的电压应为（ ）。A.前者反偏，后者反偏 B. 前者正偏，后者反偏 C.前者正偏，后者正偏10.VGS=0V时，能够工
3、作在恒流区的场效应管有（ ）。A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C.耗尽型MOS管二、简答题：1在温度20时，某晶体管的，试问温度在60时约为多少？2.三极管的安全工作区受那些极限参数的限制？使用时，如果超过某项极限参数，分别会产生什么后果？3在用万用表测量二极管的正向电阻时，常发现用不同欧姆档测出的电阻值不相同，用10挡测出的阻值小，用用100挡测出的阻值大，这是什么道理？4能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？5. 有两只晶体管，一只的200，ICEO200A；另一只的100，ICEO10A，其它参数大致相同。你认为应选用哪只管子？为什么？三、综合题1 在图1.16所
4、示的电路中，ui是波形不整齐的输入电压，设D为理想二极管；画出输出电压的波形。图1.16 2. 二极管双向限幅电路如图1.17(a)所示。若输入为图1.17 (b)所示的三角波，试画出的波形。设二极管的正向压降为0.7V。图1.173. 稳压二极管电路如图1.18所示，已知稳压管的，限流电阻。(1)当时，稳压管的 (2)当时，稳压管 图1.184如图1.19所示，设二极管正向压降为0.7V，E2=5V，当E1分别为2V、5V、10V时，求A点的电压UA各等于多少？如果E1的电压继续增加，A点电压的最大值UAmax=?图1.195. 分别测得两个三极管的各极电位如图1.20所示，试识别它们的管脚
5、，并判断这两个管子是NPN型还是PNP型，硅管还是锗管。图1.206. 某放大电路中晶体管(BJT)三个电极A、B、C的电流如图1.21所示。用万用表直流电流档测得。试分析A、B、C中哪个是基极b、发射极e、集电极c，并说明此管是NPN管还是PNP管，它的图1.217. 晶体管电路如图1.22所示。管子的门限电压。当输出电压从0随时间线性增大到10V时，试画出对应变化的波形。图1.228. 电路如图1.23(a)所示，场效应管的输出特性如图1.23(b)所示。分析当、8V、12V三种情况下场效应管分别工作在什么区域。图 1.231.3.2答案一、1 （B）（A）2 （A）3 （B）4 （D）5
6、 （A）（C）6 （A）7（C）8 （A）二、1. 解 温度每升高10，增加约一倍。由此，30时，40时，故60时。2. 解：三极管的极限参数是最大功率损耗值、最大集电极电流和击穿电压等，使用时均不能超过它们。如超过，管子将烧坏；如超过击穿电压，管子将失去放大作用；如加了限流电阻，管子不一定损坏。当超过时，电流放大系数会下降太多，将产生管子的非线性失真。3.解 由于二极管是一个非线性元件，所以二极管的电压和电流不成正比关系（见图1.24）。当不同的电流流过管子时，管子两端的电压和电流的比值，即所测出的电阻值也不同。用10挡测量时，通过管子的电流大，如图1.24中的I1,电表的读数等于U1/I1
7、；用100挡测量时，通过管子的电流较小，如图1.24中的I2，电表的读数为U2/I2，由图可见，U1/I1U2/I2，故用10挡测量时阻值小，100挡测量时阻值大。图1.244. 解：不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.5V时，管子会因电流过大而烧坏。5. 解：选用100、ICBO10A的管子，因其适中、ICEO较小，因而温度稳定性较另一只管子好。三、综合题：1.解：uo=ui-U，当uiU时，RL两端电压为0，只有在uiU时，只能输出ui大于U的那部分电压。在二极管D的作用下对ui进行了检幅，属于检波电路。输出波形如图1.25所示。 图1.252. 解：电路为双向限
8、幅器，其上门限为3.7V，下门限位-3.7V。对应输入的波形如图1.26所示。图1.263.解： (1) 由图可知(2) 当时，稳压二极管不能击穿，因而4.解: 根据二极管的特性，当A点电压UA大于E2+0.7V=5.7时，二极管起限幅作用，U A=5.7V；当A点电压UA小于5.7V时，U A均决定于E1。当E1等于2V时， UA=0.62=1.2V；当E1等于5V时，UA =0.65=3V；当E1等于10V时，如不计二极管支路的作用UA =0.610=6V5.7V，所以，二极管起限幅作用，UA =5.7V；如果E1的电压继续增加，A点电压的最大值UAMAX=5.7V。5. 解:因为三极管在
9、放大状态时硅管UBE在0.7V左右，锗管在0.3V左右，根据电位差就能找出发射结，从而确定集电极;并区分是硅管还是锗管;对于NPN型管在放大状态时，UCUBUE，PNP型管在放大状态时，UCUBUE。最后根据发射结两电极电位的高低区别发射极与基极。（1）由于1、3两极的电压U31=U3-U1=0.3V，则可判定该管是锗管，2极是集电极，又U2U3U1，所以该管是NPN型管，3是基极，1是发射极。（2）由于2、3两极间的电压是0.7V，则可判定该管是硅管，1极是集电极，又由于U1U3U2，所以该管是PNP型管，3是基极，2是发射极。6. 解：由、可导出A、B、C的位置，但注意、的参考方向和真实方
10、向。根据三极管的工作原理，基极b和集电极c电流流向发射极e为NPN型；反之，则为PNP型。由、的参考方向可知，、是流入BJT，是流出BJT，且。故C为e极，且是NPN型；A是集电极c，B为基极b。7.解：当时，管子截止，=6V，当时，管子导通并工作于放大状态。这时随的增大近似线性减小。由于管子临界饱和时所需的基极驱动电流为因而当增大到使时，管子将进入饱和。这个临界的输入电压。因此，当时，管子进入饱和状态。这时并随的增大略有下降。根据上述分析画出的对应的变化波形如图1.27解所示。图1.278.解：根据图1.23(b)所示输出特性可知，其开启电压为5V，根据电路可知故。当时，小于开启电压，故T截
11、止。当=8V时，设T工作在恒流区，根据输出特性可知，管压降因此，小于开启电压，说明假设成立，即T工作在恒流区。当时，由于，必然使T工作在可变电阻区。第2章 基本放大电路一、选择题（请选择一个最合适的答案填入空格之中）1下列说法哪个正确（ ）。A基本放大电路，是将信号源的功率加以放大；B在基本放大电路中，三极管受信号的控制，将直流电源的功率转换为输出的信号功率；C基本放大电路中，输出功率是由三极管提供的。2放大电路的饱和失真是由于放大电路的工作点达到三极管的特性曲线的（ ）而引起的非线性失真。A饱和区 B放大区 C截止区3基本共射电路如图2.31所示，在集电极的电阻中（ ）。图2.31 A只有直
12、流 B只有交流 C既有直流，又有交流4改变和对放大电路的直流负载的影响，下面说法哪种是正确的（ ）A改变直流负载线的斜率；B改变直流负载线与两坐标的交点，但不改变直流负载线的斜率；C改变直流负载线与两坐标的交点并且改变直流负载线的斜率。5利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的（ ）。A输出功率 B交流参数 C静态工作点 D交流和直流参数6对于共集电极放大电路的特点，其错误的结论是（ ）。输入电阻高，且与负载有关 B输出电阻小，且与信号源内阻有关电压放大倍数小于1，且接近等于1 D电流放大倍数小于17在下面关于放大器的四种说法中，只有（ ）肯定是正确的。A放大器有功率放大功能 B放大器有电压放
13、大能力C放大器有电流放大能力 D放大器的增益带宽积为常数8图2.32中示出了放大电路及其输入、输出波形，若要使波形不失真，则（ ）。增大 增大 减小 D增大 图2.32 9放大电路的下限截止频率在频率特性中所对应的电压放大倍数为（ ）。 1 D10三极管的三种基本连接方式中，（1）输入电阻最高输出电阻最低的是（ ）；（2）只有电流放大作用的电路是（ ）；（3）只有电压放大作用的是（ ）； A共射 B共集 C共基11基本共射放大电路，输入中频信号时，输出与输入电压的相位移为（ ）。A180 B90 C180 D36012射极输出器的输出信号与输入信号相位差（ ）。A 90B45 C0 D-9013晶体管3种基本放大电路中，（ ）组态兼有电压和电流放大作用。A共射B共集
