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1、东流电子-,HOT-51单片机开发板配套实验视频 -快速掌握MCS-51单片机,温度传感器DS18B20详解,DS18B20简介,DS18B20是DALLS公司推出的“1-WIRE”接口的数字温度传感器，可以直接将温度转换为912位串行数字信号供单片机处理。它具有体积小、功耗低、精度高、抗干扰能力强等优点。,DS18B20引脚和封装,DS18B20的内部结构,DS18B20当分辨率为9,10,11,和12位时，分别对应与0.5，0.25，0.125,0.0625的温度增量,DS18B20的命令,ROM操作命令,（1）读ROM-33H,（2）匹配ROM-55H,（3）跳过ROM-CCH,（4）搜
2、索ROMF0H,（5）报警搜索ROM-ECH,功能命令,（1）写暂存寄存器命令-4EH,（2）读暂存寄存器指令-BEH,（3）复制暂存寄存器命令48H,（4）启动温度转换命令44H,（5）回传EEPROM内容指令-B8H,（6）读电源类型指令-B4H,如何用DS18B20来采集温度,单个DS18B20发命令顺序,第一步： DS18B20初始化-跳过ROM命令（CCH）-启动温度转换命令(44H) 第二步: DS18B20初始化-跳过ROM命令（CCH）-读暂存寄存器指令(BEH),访问一个DS18B20必须经过初始化、ROM命令和功能命令这三个步骤 。,工作时序分析及驱动函数,DS18B20初
3、始化时序图分析,首先给DQ赋值为低电平。 延时600s(该时间范围可以在(480960s) 接着给DQ赋值为高电平。 延时75s。超过规定延时的1560s，准确的检测到DS18B20的存在脉冲。 这时可以检测DQ的高低电平，如果为低电平，则表示DQ存在，存在脉冲会持续60240s。高电平则复位失败。 从第4步开始，延时最小480s。这时初始化过程结束。 最后给DQ赋值为高电平。,DS18B20写数据时序图分析,首先给DQ赋值低电平。 延时确定时间15us。 对DQ赋值，向DS18B20写入相应的高低电平。 再延时时间为45us。 最后给DQ置高电平。,DS18B20读数据时序分析,首先给DQ赋值为低电平。 延时时间3us。 给DQ置高电平。 延时8us。 在第12us的时候，读取总线上的电平。 延时60us。 最后把DQ置为高电平。,实验现象 通过对DS18B20的控制，读取出DS18B20所采集的温度数据并在数码管的第4、5、6、7位进行显示，温度精确到小数点后一位。 显示方式为：020.5（温度为正）或-10.4（温度为负）。,
