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1、此资料由网络收集而来，如有侵权请告知上传者立即删除。资料共分享，我们负责传递知识。模拟电子技术基础,课后习题答案篇一：模拟电子技术基础,课后习题答案 模拟电子技术基础 第一章 1.1 电路如题图1.1所示，已知ui?5sin?t?V?，二极管导通电压降UD?0.7V。试画出 ui和uo的波形，并标出幅值。 解：通过分析可知： (1) 当ui?3.7V时，uo?3.7V (2) 当?3.7V?ui?3.7V时，uo?ui (3) 当ui?3.7V时，uo?3.7V 总结分析，画出部分波形图如下所示： 1.2 二极管电路如题图1.2所示。（1）判断图中的二极管是导通还是截止？（2）分别用理想模型和
2、横压降模型计算AO两端的电压UAO。 解：对于（a）来说，二极管是导通的。 采用理想模型来说，UAO?6V 采用恒压降模型来说，UAO?6.7V 对于（c）来说，二极管D1是导通的，二极管D2是截止的。采用理想模型来说，UAO?0 采用恒压降模型来说，UAO?0.7V 1.3 判断题图1.3电路中的二极管D是导通还是截止？用二极管的理想模型计算流过二极管的电流ID? 解：（b）先将二极管断开，由KVL定律，二极管左右两端电压可求出： 25 ?15?1.5V 18?225?510 U右15?1V 140?10U左?10? 故此二极管截止，流过的电流值为ID0 （c）先将二极管断开，由KVL定律，
3、二极管左右两端电压可求出： 52 2.5V，U左2.5?20?0.5V 25?518?210 U右15?1V 140?10U左115? 由于U右?U左?0.5V，故二极管导通。 运用戴维宁定理，电路可简化为 ID? 0.5 ?32.7A 15.3 1.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示，在图中标出三个电极，并说明它们是硅管还是锗管。 解： T1: 硅管，PNP，11.3V对应b, 12V对应e, 0V对应c T2: 硅管，NPN，3.7V对应b, 3V对应e, 12V对应c T3: 硅管，NPN，12.7V对应b, 12V对应e,15V对应c T4: 锗管，PNP，12V对应b
4、, 12.2V对应e, 0V对应c T5: 锗管，PNP，14.8V对应b, 15V对应e, 12V对应c T6: 锗管，NPN，12V对应b, 11.8V对应e, 15V对应c模拟电子技术基础 第二章 2.2 当负载电阻RL?1k?时，电压放大电路输出电压比负载开路（RL?）时输出电压减少20%，求该放大电路的输出电阻ro。 解：由题意知： UOC ?RL?0.8UOC ro?RL 解得ro?0.25k 2.5 电路如题图2.2所示，设BJT的UBE?0.6V，ICEO、ICES可忽略不计，试分析当开关 S分别接通A、B、C三位置时，BJT各工作在其输出特性曲线的哪个区域，并求出相应的集电极
5、电流IC。 解：ICS?12/4?3mA，IBS?3/80?0.0375mA (1) 开关打在A上：IB? 12?0.6 ?0.285mA?IBS，故三极管工作在饱和区。 40 IC?ICS?3mA (2) 开关打在B上：IB? 12?0.6 ?0.0228mA?IBS，故三极管工作在放大区。 500 IC?IB?1.8mA (3) 开关打在C上：发射结和集电结均反偏，故三极管工作在截止区。 IC=0 2.9 题图2.6画出了某固定偏流放大电路中BJT的输出特性及交、直流负载线，试求： (1)电源电压VCC，静态电流IB、IC和管压降VCE的值； (2)电阻Rb、Rc的值; (3)输出电压的最
6、大不失真幅值； (4)要使该电路不失真地放大，基极正弦电流的最大幅值是多少？ 解：(1)由输出特性图中可以读到： IB?20uA，IC?1mA，UCE?3V, VCC?6V。 (2) Rb? VCCV?UCE ?300k，RC?CC?3k IBIC (3) UOM?min(UCE?UCEQ,UCEQ?UCES)?min(4.5?3,3?0.8)?1.5V (4)要使电路能不失真地放大，基极正弦电流的最大幅值取20uA 2_11、单管放大电路如图题3.4.2所示已知BJT的电流放大系数50。（1）估算Q点； （2）画出简化 H参数小信号等效电路；（3）估算 BJT的朝人电阻 rbe；（4）如 ?
7、VV?O输出端接入 4 k的电阻负载，计算AV?及AVS?O?。 ?iS 解（1）估算Q点 IB? VCC ?40?A IC?IB?2mA Rb VCE?VCC?ICRC?4V （2）简化的H参数小信号等效电路如图解3.4.2所示。 （3）求rbe rbc?200?(1?) 26mV26mV ?200?(1?50)?863? IE2mA ?V?(RC|RL)?R0L?（4）A?116 VrberbeVi ?V?V?VRiRb|rbe00?AVS?i?A?A?73 VVRi?RsRs?Rb|rbeVsViVs 2-14.电路如图所示,设耦合电容和旁路电容的容量均足够大,对交流信号可视为短路. (
8、1)求Au=Uo/Ui，ri，ro (2)求Au=Uo/Us (3)如将电阻Rb2逐渐减小,将会出现什么性质的非线形失真?画出波形图. (2) us (3) Rb2减小将会产生饱和失真 2.15 电路如题图2.11所示。 (1)画出放大电路的微变等效电路； UCC UB?Rb1 Rb1?Rb2 UB?UBE IE?1.2mA Re1?Re2 (2) 写出电压放大倍数Au1?(3)求输入电阻ri； (4)画出当Rc?Re时的输出电压uo1、uo2的波形（输入ui为正弦波，时间关系对齐） 解：（1）26 rbe?rbb?1?2.5k? IE Rc Au?38 rbe?1?Re1 ri?Rb1/Rb
9、2/?rbe?1?Re1? ro?Rc?6.8k? ri A?Au?34.5 ri?Rs Uo1Ui . . Au2? Uo2Ui . . 的表达式；篇二：吴友宇主编模拟电子技术基础课后习题答案 第三部分 习题与解答 习题1 客观检测题 一、填空题 1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。 2、当PN结外加正向电压时，扩散电流电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。 3、在N型半导体中，电子为多数载流子，为少数载流子。 二判断题 1、由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半
10、导体带负电。（ ） 2、在N型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P型半导体。（ ） 3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。（ ） 4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。（ ） 5、PN结在无光照无外加电压时，结电流为零。（ ） 6、温度升高时，PN结的反向饱和电流将减小。（ ） 7、PN结加正向电压时，空间电荷区将变宽。（ ） 三简答题 1、PN结的伏安特性有何特点？ V 答：根据统计物理理论分析，PN结的伏安特性可用式ID?Is?(eVT?1)表示。 式中，ID为流过PN结的电流；Is为P
11、N结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I的单位一致；V为外加电压； VT=kT/q，为温度的电压当量（其单位与V的单位一致），其中玻尔兹曼常数k?1.38?10?23J/K，电子电量q?1.60217731?10?19C(库伦)，则VT?T(V)，在常温（T=300K）下，115.294 V VTVT=25.875mV=26mV。当外加正向电压，即V为正值，且V比VT大几倍时，e 是I?Is?eVVT?1，于，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN结为正向导通状 V VT态.外加反向电压，即V为负值，且|V|比VT大几倍时，e?1，于是I?Is，这时PN结
12、 只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN结呈反向截止状态。PN结的伏安特性也可用特性曲线表示，如图1.1.1所示.从式(1.1.1)伏安特性方程的分析和图 1.1.1特性曲线（实线部分）可见：PN结真有单向导电性和非线性的伏安特性。 图1.1.1 PN伏安特性 2、什么是PN结的反向击穿？PN结的反向击穿有哪几种类型？各有何特点？ 答：“PN”结的反向击穿特性：当加在“PN”结上的反向偏压超过其的击穿电压后，PN结发生击穿。 PN结的击穿主要有两类，齐纳击穿和雪崩击穿。齐纳击穿主要发生在两侧杂质浓度都较高的PN结，一般反向击穿电压小于4Eg/q（EgPN结量子阱禁带能量，
13、用电子伏特衡量，Eg/q指PN结量子阱外加电压值，单位为伏特）的PN的击穿模式就是齐纳击穿，击穿机理就是强电场把共价键中的电子拉出来参与导电，使的少子浓度增加，反向电流上升。 雪崩击穿主要发生在“PN”结一侧或两侧的杂质浓度较低“PN”结，一般反向击穿电压高于6 Eg/q的“PN”结的击穿模式为雪崩击穿。击穿机理就是强电场使载流子的运动速度加快，动能增大，撞击中型原子时把外层电子撞击出来，继而产生连锁反应，导致少数载流子浓度升高，反向电流剧增。 3、PN结电容是怎样形成的？和普通电容相比有什么区别？PN结电容由势垒电容Cb和扩散电容Cd组成。 势垒电容Cb是由空间电荷区引起的。空间电荷区内有不
14、能移动的正负离子，各具有一定的电量。当外加反向电压变大时，空间电荷区变宽，存储的电荷量增加；当外加反向电压变小时，空间电荷区变窄，存储的电荷量减小，这样就形成了电容效应。“垫垒电容”大小随外加电压改变而变化，是一种非线性电容，而普通电容为线性电容。在实际应用中，常用微变电容作为参数，变容二极管就是势垒电容随外加电压变化比较显著的二极管。 扩散电容Cd是载流子在扩散过程 中的积累而引起的。PN结加正向电压 时，N区的电子向P区扩散，在P区形 成一定的电子浓度(Np)分布，PN结边缘 处浓度大，离结远的地方浓度小，电子 浓度按指数规律变化。当正向电压增加 时，载流子积累增加了Q；反之，则减 图1.
15、3.3 P区中电子浓度的分布曲线及电荷的积累 小，如图1.3.3所示。同理，在N区内 空穴浓度随外加电压变化而变化 的关系与P区电子浓度的变化相同。因此，外加电压增加V时所出现的正负电荷积累变化Q，可用扩散电容Cd来模拟。Cd也是一种非线性的分布电容。 综上可知，势垒电容和扩散电容是同时存在的。 PN结正偏时，扩散电容远大于势垒电容；PN结反偏时，扩散电容远小于势垒电容。势垒电容和扩散电容的大小都与PN结面积成正比。与普通电容相比，PN结电容是非线性的分布电容，而普通电容为线性电容。 习题2 客观检测题 一、填空题 1、半导体二极管当正偏时，势垒区漂移电流。 2、 在常温下，硅二极管的门限电压约，导通后在较大电流下的正向压降约 V；锗二极管的门限电压约，导通后在较大电流下的正向压降约V。 3、在常温下，发光二极管的正向导通电压约，考虑发光二极管的发光亮度和
