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1、8.3在题8.3图所示电路中，已知场效应管的VP=5V；问在下列三种情况下，管子分别工作在哪个状态？（1）vGS=8V，vDS=4V （2）vGS=3V，vDS=4V （3）vGS=3V，vDS=1V,解：,NJFET:,(2)因为 ，且 ， 所以管子工作在恒流区。,(3) 因为 ，且 ， 所以管子工作在可变电阻区。,8.4测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位及其开启电压如题8.4表所示。试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区)，并填入表内。,因为三只管子均有开启电压，所以它们均为增强型MOS管。,解：,T1管：VT =4V0V，所以T1为N沟道增强型MOS管， 且 因此管子
2、处于恒流区。,N沟道增强型MOS管,T2管：VT =4V0V，所以T2为P沟道增强型MOS管， ，因此管子处于截止区；,P沟道增强型MOS管,T3管：VT =4V0V，所以T3为P沟道增强型MOS管， ，且 时，因此管子处于可变电阻区；,恒流区,截止区,可变电阻区,8.10一个MOSFET的转移特性如题810图所示（其中漏极电流iD的方向是它的实际方向）。试问：（1）该FET是耗尽型还是增强型？（2）是N沟道还是P沟道FET？（3）从这个转移特性上可求出该FET的夹断电压VP还是开启电压VT？其值等于多少？,解：,P沟道增强型 MOSFET，其开启电压VT4 V。,N沟道增强型MOS,N沟道耗
3、尽型MOS,P沟道增强型MOS,P沟道耗尽型MOS,N沟道FET,P沟道FET,8.13电路如题8.13图所示。设FET（T1）的参数为gm0.8ms，rd200k；三极管（T2）的参数40，rbe1k。 （1）画出放大电路的小信号等效电路。 （2）计算放大电路的电压增益Av和输入电阻Ri。,解:（1）由于 rd Rd，故rd可忽略，画出小信号等效电路：,（2）计算放大电路的电压增益Av和输入电阻Ri。,解（2）,电阻Rd的电流：,由b点的KCL定律：,即,可得,8.16电路如题8.16图(a)所示，已知Rg1=100k，Rg2=300k，Rg3=2M，Rd=10k，Rs1=10k，Rs2=2k，VDD=20V，gm=1ms。 (1)画出电路的小信号等效电路。 (2)求电压增益Av。 (3)求放大器的输入电阻Ri及输出电阻Ro。,(a)放大电路,(b)小信号等效电路,解：（1）小信号等效电路如图(b)所示。,（2）,（3）,8.17源极输出器电路如题8.17图(a)所示，已知FET工作点上的互导gm=0.9s，其它参数如图所示。 （1）画出电路的小信号等效电路。 （2）求电压增益Av、输入电阻Ri、输出电阻Ro。,(a)放大电路,(b)小信号等效电路,解：(1) 小信号等效电路如图(b)所示。,(2),
