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1、8.3在题8.3图所示电路中,已知场效应管的VP=5V;问在下列三种情况下,管子分别工作在哪个状态?(1)vGS=8V,vDS=4V (2)vGS=3V,vDS=4V (3)vGS=3V,vDS=1V,解:,NJFET:,(2)因为 ,且 , 所以管子工作在恒流区。,(3) 因为 ,且 , 所以管子工作在可变电阻区。,8.4测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位及其开启电压如题8.4表所示。试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区),并填入表内。,因为三只管子均有开启电压,所以它们均为增强型MOS管。,解:,T1管:VT =4V0V,所以T1为N沟道增强型MOS管, 且 因此管子
2、处于恒流区。,N沟道增强型MOS管,T2管:VT =4V0V,所以T2为P沟道增强型MOS管, ,因此管子处于截止区;,P沟道增强型MOS管,T3管:VT =4V0V,所以T3为P沟道增强型MOS管, ,且 时,因此管子处于可变电阻区;,恒流区,截止区,可变电阻区,8.10一个MOSFET的转移特性如题810图所示(其中漏极电流iD的方向是它的实际方向)。试问:(1)该FET是耗尽型还是增强型?(2)是N沟道还是P沟道FET?(3)从这个转移特性上可求出该FET的夹断电压VP还是开启电压VT?其值等于多少?,解:,P沟道增强型 MOSFET,其开启电压VT4 V。,N沟道增强型MOS,N沟道耗
3、尽型MOS,P沟道增强型MOS,P沟道耗尽型MOS,N沟道FET,P沟道FET,8.13电路如题8.13图所示。设FET(T1)的参数为gm0.8ms,rd200k;三极管(T2)的参数40,rbe1k。 (1)画出放大电路的小信号等效电路。 (2)计算放大电路的电压增益Av和输入电阻Ri。,解:(1)由于 rd Rd,故rd可忽略,画出小信号等效电路:,(2)计算放大电路的电压增益Av和输入电阻Ri。,解(2),电阻Rd的电流:,由b点的KCL定律:,即,可得,8.16电路如题8.16图(a)所示,已知Rg1=100k,Rg2=300k,Rg3=2M,Rd=10k,Rs1=10k,Rs2=2k,VDD=20V,gm=1ms。 (1)画出电路的小信号等效电路。 (2)求电压增益Av。 (3)求放大器的输入电阻Ri及输出电阻Ro。,(a)放大电路,(b)小信号等效电路,解:(1)小信号等效电路如图(b)所示。,(2),(3),8.17源极输出器电路如题8.17图(a)所示,已知FET工作点上的互导gm=0.9s,其它参数如图所示。 (1)画出电路的小信号等效电路。 (2)求电压增益Av、输入电阻Ri、输出电阻Ro。,(a)放大电路,(b)小信号等效电路,解:(1) 小信号等效电路如图(b)所示。,(2),