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1、模拟电子技术测试题六一、填空题：（2分，每空1分）1、BJT是 控制器件，FET是 控制器件。2、用万用表的欧姆档对二极管进行正反两次测量，若两次读数都为，则此二极管_；若两次读数都接近零，则此二极管_；若读数一次很大，一次读数小，则此二极管_。3.简单的差分放大器双端输出时，对_信号有较强的抑制能力，而对_信号有较强的放大作用。4.差动放大电路两个输入端的电流分别是2v和3v，则共模信号是 v，差模信号为 v。5、要获得低频信号，可选用 振荡器；要获得高频信号可选用 振荡器。6、负反馈虽使放大电路的放大倍数_了，但其他的性能得到了改善：_、_、_、_。7、射极输出器的重要特点是_、_和_。8
2、、场效应管栅源间的输入电阻比晶体三极管基射间的输入电阻_。源极输出电路的重要特点是_，_和_。9、理想集成运放的条件是_、_、_、_和_。二、选择题：（20分，每题2分）1、PN结反向向偏置时，其内电场被（ ）。A、削弱 B、增强 C、不变 D、不确定2、三极管工作在饱和状态的条件是（ ）。A、发射极正偏，集电极正偏 B、发射极正偏，集电极反偏C、发射极反偏，集电极反偏 D、发射极反偏，集电极正偏3、PN结反向击穿电压的数值增大，小于击穿电压，（ ）。 a：其反向电流增大 b：其反向电流减小 c：其反向电流基本不变4、稳压二极管是利用PN结的（ ）。 a：单向导电性 b：反向击穿性 c：电容特
3、性5、二极管的反向饱和电流在20时是5A，温度每升高10，其反向饱和电流增大一倍，当温度为40时，反向饱和电流值为（ ）。 a：10A b：15A c：20A d：40A6、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（ ）。A、反向偏置击穿状态 B、反向偏置未击穿状态C、正向偏置导通状态 D、正向偏置未导通状态7、某NPN型三极管的输出特性如图所示，当Uce=6V时。其电流 放大系数为（ ）。A、=100 B、=50 C、=150 D、=25 8. 当超过下列哪个参数时，三极管一定被击穿（）a集电极最大允许功耗b集电极最大允许电流c集基极反向击穿电压（）9、右图为单相桥式整流滤波电路，U1为正旋波
4、，其有效值为U1=20V，f=50HZ。若实际测得其输出电压为28.28V，这是由于（ ）的结果。9题图a.开路 b.C的容量过小c.C的容量过大 d.RL开路10、在非线性失真中，饱和失真也称为（ ） a 顶部失真 b 底部失真 c 双向失真三、判断题：（分，每题分）1、P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自 由电子。（ ）2、在三极管放大电路的三种基本组态中，共集电极放大电路带负载的能力最强。（）3、负反馈可以提高放大电路的放大倍数的稳定值。（）4、功率放大电路工作在大信号状态，要求输出功率大，且转换效率高。（）5、因为差动放大电路采用了直接耦合方式，故只能放大直流信号。（）6、多
5、极放大电路的级数越多，其放大倍数越大，且其通频带越宽（）7、二极管的反向偏置电压升高时，其正向电阻增大。（）8、要稳定放大电路工作点，可以引入交流负反馈。（）四、判断下列各图中，哪些电路能进行正常的放大：（6分）1 2. VCCR1R2RLvivoVCCRCRB Vs （ ） （ ） 五、综合题（38分）1.已知如图：V=12V，RB=100k，RW=400K， RC，.5当滑动变阻器的触点在中间位置时求静态值并画直流负载线 （设UBE = 0 ）（8分） RW +V R R C2 1 RL=6+VEEVEEUi2、一双电源互补对称电路如图题所示，设已知Vcc12 V，RL6，vI为正弦波。求：（1）在BJT的饱和压降VCES可以忽略不计的条件下，负载上可能得到的最大输出功率Pom；（2）每个管子允许的管耗 PCM至少应为多少？（3）每个管子的耐压 |V(BR)CEO|应大于多少？（10分）3题图3、在图所示单相桥式整流电容滤波电路中，已知RL=40，C=1000uF，u2=20sinwtV,现用万用表测量输出直流电压，如果出现下列几种情况，试分析哪个数据合理？那些不合理？会出现什么故障？（10分） UO=18V: UO=28V: UO=9V: UO=24V: 4、为了用低值电阻实现高电压增益的比例运算,常用一T形网络以代替,如图(4)所示,试证明（10分）
