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1、5 场效应管放大电路,5.1 金属-氧化物-半导体场效应（MOSFET）,5.3 结型场效应管（JFET）,*5.4 砷化镓金属-半导体场效应管,5.5 各种放大器件电路性能比较,5.2 MOSFET放大电路,5.1.1 N沟道增强型MOSFET,5.1.5 MOSFET的主要参数,5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET,5.1.3 P沟道MOSFET,5.1.4 沟道长度调制效应（不讲）,5.1 金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）,P沟道,耗尽型,P沟道,P沟道,（耗尽型）,场效应管的分类：,Metal Oxide Semiconductor MOSFET 增强型 N沟道、P沟道 耗
2、尽型 N沟道、P沟道,增强型： 没有导电沟道，,耗尽型： 存在导电沟道，,N沟道 P沟道 增强型,N沟道 P沟道 耗尽型,L ：沟道长度,W ：沟道宽度,tox ：绝缘层厚度,通常 W L,1. 结构,5.1.1 N沟道增强型MOSFET,剖面图,1. 结构（N沟道）,vGS越大，导电沟道越厚，沟道电阻越小。,（1）vGS对沟道的控制作用,当vGS0时,无导电沟道， d、s间加电压时，无电流产生。,当0vGS VT 时 VT 称为开启电压,产生电场，但未形成导电沟道，d、s间加电压后，没有电流产生。,当vGSVT 时,在电场作用下产生导电沟道， d、s 间加电压后，有电流产生。,2. 工作原理
3、,（2）vDS对沟道的控制作用,靠近漏极d处的电位升高,电场强度减小,沟道变薄,当vGS一定（vGS VT ）时，,vDS, iD,沟道电位梯度,整个沟道呈楔形分布,当vGS一定（vGS VT ）时，,vDS, iD,沟道电位梯度,当vDS增加到使vGD=VT 时，在紧靠漏极处出现预夹断。,（2）vDS对沟道的控制作用,在预夹断处：vGD=vGS-vDS =VT,预夹断后，vDS,夹断区延长,沟道电阻, iD基本不变,（2）vDS对沟道的控制作用,（3） vDS和vGS同时作用时,vDS一定，vGS变化时,给定一个vGS ，就有一条不同的 iD vDS 曲线。,VGSVT0，VDS 0。,BJ
4、T的输入特性： iB=f(vBE) ；iC=iB MOS管的iG=0，iD受vGS控制,故称为电压控制器件。,（2）转移特性,1. 结构和工作原理（N沟道）,二氧化硅绝缘层中掺有大量的正离子,可以在正或负的栅源电压下工作，而且基本上无栅流,5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET,5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET,（N沟道增强型）,耗尽型MOS管，VGS可, 可0, 可+；VDS 0。,2. V-I 特性曲线,5.1.3 P沟道MOSFET,VDS 0，VGSVT 0，iD流出d极,一、直流参数,1. 开启电压VT （增强型参数）,2. 夹断电压VP （耗尽型参数）,3. 饱和漏电流IDSS
5、（耗尽型参数）,4. 直流输入电阻RGS （1091015 ）,5.1.5 MOSFET的主要参数,2. 低频互导gm定义:,二、交流参数,1. 输出电阻rds,N沟道结型场效应管,P沟道结型场效应管,N沟道 P沟道 增强型MOS管,N沟道 P沟道 耗尽型MOS管,增强型MOS管特性小结,N 沟 道 增 强 型,P 沟 道 增 强 型,VGSVT0， VDS 0,id流向d端。,VGSVT0， VDS0，id流出d端。,耗尽型MOSFET的特性曲线,N 沟 道 耗 尽 型,VGS: 可, 可0, 可+； VDS 0,id流向d端。,VGS: 可, 可0, 可+ VDS0，id流出d端。,场效应
6、管与晶体管的比较,类 型 NPN和PNP N沟道和P沟道,放大参数,5.2.1 MOSFET放大电路,1. 直流偏置及静态工作点的计算,2. 图解分析, 3. 小信号模型分析,*5.2.2 带PMOS负载的NMOS放大电路,5.2 MOSFET放大电路,1. 直流偏置及静态工作点的计算,（1）简单的共源极放大电路（N沟道）,共源极放大电路,直流通路,（1）输出特性, 截止区,3. V-I 特性曲线,导电沟道尚未形成，iD0,外部条件：当vGSVT时，, 可变电阻区,rdso是受vGS控制的可变电阻,外部条件：vDS（vGSVT）, 饱和区（恒流区或放大区）,条件：vGS VT ，且vDS（vG
7、SVT）,特点：iD与vGS成正比,不随vDS变化。,验证是否满足,如果不满足，应调整放大电路参数,MOS管工作在恒流区， 须满足VGS VT ， 且VDS(VGSVT),Kn叫做电导常数,单位是mA/V2,是与管子结构有关的参数。,1. 直流偏置及静态工作点的计算,（1）简单的共源极放大电路,假设工作在饱和区,满足,假设成立。,解：,例：,设Rg1=60k，Rg2=40k，Rd=15k，,试计算电路的静态漏极电流IDQ和漏源电压VDSQ 。,VDD=5V， VT=1V，,在饱和区，有,（2）带源极电阻的共源极放大电路,需验证是否满足,3. 小信号模型分析,解：直流分析如例5.2.2,不在重复
8、。,例5.2.5 共源放大电路,题目中常给出gm,不用求。,（2）放大电路分析,小信号模型电路,s,共漏,例5.2.6 共漏放大电路,（1）电压增益,3. 小信号模型分析,（2）输入输出电阻,本章作业,5.1.1；5.1.2； 5.2.4；5.2.5； 5.3.5；5.3.8； 5.5.1。,5.3.1 JFET的结构和工作原理,5.3.2 JFET的特性曲线及参数,5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法,5.3 结型场效应管,1. N沟道结构,5.3.1 JFET的结构和工作原理,2. 工作原理, vGS对沟道的控制作用,当vGS0时,当沟道夹断时，对应的栅源电压vGS称夹断电压VP
9、 （ 或VGS(off) ）。,对于N沟道的JFET，VP 0。,PN结反偏,耗尽层加厚,沟道变窄。,vGS继续减小，沟道继续变窄。,注意：加的是反偏电压, vDS对沟道的控制作用,当vGS=0时，,vDS,iD ,g、d间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔。,当vDS增加到使vGD=VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断。,此时vDS ,夹断区延长,沟道电阻,iD基本不变, vGS和vDS同时作用时,当VP vGS0 时，导电沟道更容易夹断，,对于同样的vDS ， iD的值比vGS=0时的值要小。,在预夹断处,vGD=vGS-vDS =VP,综上可知,沟道中只有
10、一种类型的多数载流子参与导电， 所以场效应管也称为单极型三极管。,JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制。,预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后， iD趋于饱和。,JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因 此iG0，输入电阻很高。,2. 转移特性,1. 输出特性,(VPvGS0),5.3.2 JFET的特性曲线及参数,N沟道JFET工作条件：Vp vGSVP 0,与MOSFET类似,3. 主要参数,5.3.2 JFET的特性曲线及参数,结型场效应管的特性小结,N 沟 道 耗 尽 型,P 沟 道 耗 尽 型,vpvgs0 iD流入d端,0vgs vp iD流出d端,1. JFE
11、T小信号模型,（1）低频模型,5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法,2. 动态指标分析,（1）小信号模型,直流条件是否满足：,小信号等效电路,rds可看作，可不画出,（2）电压增益,（3）输入电阻,（4）输出电阻,则:,5.5 各种放大器件电路性能比较,5.5 各种放大器件电路性能比较,组态对应关系：,CE,BJT,FET,CS,CC,CD,CB,CG,BJT,FET,CE：,CC：,CB：,CS：,CD：,CG：,CE：,CC：,CB：,CS：,CD：,CG：,CE：,CC：,CB：,CS：,CD：,CG：,解：,小信号等效电路,已知,试求电路的增益、输入、输出电阻。,例：,电压增益为,由于,则,场效应管rgs大，使放大电路的Ri提高，因此对VS几乎没有衰减。,
