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1、第四章 集成运算放大电路, 4.1 集成运算放大电路概述 4.2 集成运放的性能指标 4.3 集成运放中的电流源电路,集成电路: 将整个电路的各个元件做在同一个半导体基片上。,集成电路的优点：,工作稳定、使用方便、体积小、重量轻、功耗小。,集成电路的分类：,模拟集成电路、数字集成电路；,小、中、大、超大规模集成电路；, ,4.1 集成运算放大电路概述,4.1.1 集成电路内部结构的特点：,2.电路元件制作在一个芯片上，元件参数偏差方向一致，温度均一性好。,3. 电阻元件由硅半导体构成，范围在几十到20千欧，精度低。高阻值电阻用三极管有源元件代替或外接。,4. 几十 pF 以下的小电容用PN结的
2、结电容构成、大电容要外接。,5. 复合管结构。,1.采用直接耦合方式.,4.1.2 集成运放电路的组成及作用：,VEE,+VCC,u+,uo,u,反相 输入端,同相 输入端,原理框图：,输入级,中间级,输出级,与uo反相,与uo同相,对输入级的要求：尽量减小零点漂移,尽量提高 KCMRR , 输入阻抗 ri 尽可能大。,对中间级的要求：足够大的电压放大倍数。,对输出级的要求：主要提高带负载能力，给出足够的输出电流io 。即输出阻抗 ro小。,对偏置电路的要求：为各级提供合适的静态工作点。,（1）输入级一般采用差动放大器。 （2）输入级常采用复合三极管或场效应管，以减小输入电流，增加输入电阻。
3、（3）输出级采用互补对称式射极跟随器，以进行功率放大，提高带负载的能力。,ri 大: 几十k 几百 k,运放的特点：,KCMR很大,ro 小：几十 几百,A o 很大: 104 107,运放符号：,国际符号,国内符号,一、开环差模电压放大倍数Aod,无外加反馈回路的差模放大倍数。一般在105 107之间。理想运放的Aod为。,4.2 集成运放的性能指标,二、共模抑制比KCMR,常用分贝作单位，一般100dB以上。,三、差模输入电阻rid,ri1M, 有的可达100M以上。,四、输出电阻ro,ro =几-几十。,五、最大共模输入电压UIcmax,六、最大差模输入电压UIdmax,七、-3dB带宽
4、fH,运放不适用于高频信号。,还有其他一些反映运放对成性、零漂等的参数。不再一一介绍。,一 镜像电流源,因为T1 、 T2构造相同， Ube相同，所以Ic相同。称为镜像电流源电路。 电路优点：结构简单，两管参数对称符合集成电路特点。 电路缺点： Ic1数值仍受电源电压、R和Ube影响，且不易得到小电流（A级),4.3 集成运放中的电流源电路,二、比例恒流源,在基本恒流源的T1 、T0管接入射极电阻Re1 、Re0 ，,当Ic0 =(510) Ic1时，,三、微电流源,设计时一般先定Ir 、 Ic1值，再确定RE值,四 多路电流源,如图，各管特性一致，则：,n越大，越大，故可采用(b)电路以使Io与Ir接近相等。此时：,
