《CMOS模拟集成电路设计ch11基准资料讲解》由会员分享，可在线阅读，更多相关《CMOS模拟集成电路设计ch11基准资料讲解（12页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
CMOS模拟集成电路设计,带隙基准,什么是基准？,the ideal reference is independent of PVT,模拟集成电路中，我们常常要用到基准电压或电流（其大小不随工艺偏差、电源电压和温度变化）,基准电压运用举例,电阻型基准,优点,缺点,为了获得与电源电压无关的基准电压，我们使用自偏置结构的基准源,使用共源共栅结构，削弱沟道长度调制效应的影响,在忽略沟调效应的影响下，电流镜使两边电流相等,I,I,Vs,Vs,为了唯一确定电流值，我们对电路加入另一个约束条件,因为电流相等，下面NMOS的VGS相等，即源极电压VS相等,I,I,Vs,Vs,二极管的电压电流满足指数关系：,因为VS相等，有,选择R的阻值，我们可以得到想要的电流大小，该电流与电源电压无关。,现在我们来探讨一下，怎样得到一个与温度无关（零温度系数）的电压量。,正温度系数（PTAT）,负温度系数（CTAT）,按照适当的比例想加就可以得到零温度系数,PTAT电流,PTAT电压,CTAT电压,调整比例L使正负温度系数抵消,可以看到要得到准确的零温系数，电阻的比例L非常关键。因此电阻的阻值大小可能需要Trimming。,用运放代替共源共栅结构，使两边电流精确相等。,启动电路,
