《数字电子技术第8章存储器与可编程逻辑器件复习题与答案》由会员分享，可在线阅读，更多相关《数字电子技术第8章存储器与可编程逻辑器件复习题与答案（17页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、 第8章存储器与可编程逻辑器件8.1存储器概述自测练习1 存储器中可以保存的最小数据单位是（ ）。 （a） 位 （b） 字节 （c） 字2 指出下列存储器各有多少个基本存储单元？多少存储单元？多少字？字长多少？（a） 2K8位 （ ）（ ）（ ）（ ）（b） 2562位 （ ）（ ）（ ）（ ）（c） 1M4位 （ ）（ ）（ ）（ ）3 ROM是（ ）存储器。 （a）非易失性 （b）易失性 （c）读/写 （d） 以字节组织的4数据通过（ ）存储在存储器中。（a）读操作 （b）启动操作 （c）写操作 （d） 寻址操作5RAM给定地址中存储的数据在（ ）情况下会丢失。 （a）电源关闭 （b）数据
2、从该地址读出 （c）在该地址写入数据 （d）答案（a）和（c）6具有256个地址的存储器有（）地址线。（a）条 （b）条 （c）8条 （d）16条7可以存储字节数据的存储容量是（）。（a）位 （b）位 （c）位 （d）位答案：1 a2（a） 20488；2048；2048；8 （b） 512；256；256；2 （c） 102410244；10241024；10241024；43a4c5d6c7b8.2随机存取存储器（RAM） 自测练习1. 动态存储器（DRAM）存储单元是利用（ ）存储信息的，静态存储器（SRAM）存储单元是利用（ ）存储信息的。2. 为了不丢失信息，DRAM必须定期进行（
3、）操作。3. 半导体存储器按读、写功能可分成（ ）和（ ）两大类。4. RAM电路通常由（ ）、（ ）和（ ）三部分组成。5. 6116RAM有（ ）根地址线，（ ）根数据线，其存储容量为（ ）位。答案：1栅极电容，触发器2刷新3只读存储器，读/写存储器4地址译码，存储矩阵，读/写控制电路511，8，2K8位8.3 只读存储器（ROM）自测练习1 ROM可分为（ ）、（ ）、（ ）和（ ）几种类型。2 ROM只读存储器的电路结构中包含（ ）、（ ）和（ ）共三个组成部分。3 若将存储器的地址输入作为（ ），将数据输出作为（ ），则存储器可实现组合逻辑电路的功能。4 掩膜ROM可实现的逻辑函数表
4、达式形式是（ ）。5 28256 型EEPROM有（ ）根地址线，（ ）根数据线，其存储容量为（ ）位，是以字节数据存储信息的。6 EPROM是利用（ ）擦除数据的，EEPROM是利用（ ）擦除数据的。7 PROM/EPROM/EEPROM 分别代表（ ）。8一个PROM/EPROM能写入（ ）（许多，一）次程序。9存储器2732A是一个（ ）（EPROM，RAM）。10在微机中，4种存储类型为（ ）。答案：1ROM，PROM，EPROM，EEPROM2存储矩阵，地址译码，输出控制电路3输入，输出4标准与或形式（最小项表达式）515，8，32K8 6紫外线，电7可编程的只读存储器，可擦可编程的
5、只读存储器，电可擦可编程的只读存储器8一次/许多9EPROM10寄存器，高速缓存，主存，外存8.4 快闪存储器（Flash Memory）自测练习1 非易失性存储器有（ ）。（a）ROM和RAM （b）ROM和闪存 （c）闪存和RAM2 Flash Memory的基本存储单元电路由（ ）构成，它是利用（ ）保存信息，具有（ ）性的特点。3 Flash Memory 28F256有（ ）和（ ）两种操作方式。4 从功能上看，闪存是（ ）存储器，从基本工作原理上看，闪存是（ ）存储器。5 Flash28F256有（ ）根地址线，（ ）根数据线，其存储容量为 （ ）位，编程操作是按字节编程的。答案：
6、1b2一个浮栅MOS管，浮栅上的电荷，非易失3只读存储方式，读/写存储方式4RAM，ROM515，8，32K8 8.5存储器的扩展自测练习1 存储器的扩展有（ ）和（ ）两种方法。2 如果用2K16位的存储器构成16K32位的存储器，需要（ ）片。 （a） 4 （b） 8 （c） 163 用4片2564位的存储器可构成容量为（ ）位的存储器。4 若将4片6116 RAM扩展成容量为4K16位的存储器，需要（ ）根地址线。（a） 10 （b） 11 （c） 12 （d）135 将多片1K4位的存储器扩展成8K4位的存储器是进行（ ）扩展；若扩展成1K16位的存储器是进行（ ）扩展。6 的存储器有
7、（）根数据线，（）根地址线，若该存储器的起始地址为，则最高地址为（），欲将该存储器扩展为的存储系统，需要的存储器（）个。答案：1字扩展，位扩展2C325616/1K44C5字，位64，8，FF，8 8.6 可编程阵列逻辑PAL自测练习1 PAL的常用输出结构有（ ）、（ ）、（ ）和 （ ）4种。2 字母PAL代表（ ）。3 PAL与PROM、EPROM之间的区别是（ ）。（a）PAL的与阵列可充分利用（b）PAL可实现组合和时序逻辑电路（c）PROM和EPROM可实现任何形式的组合逻辑电路4 具有一个可编程的与阵列和一个固定的或阵列的PLD为（ ）。（a）PROM （b）PLA （c）PAL
8、5 一个三态缓冲器的三种输出状态为（ ）。（a）高电平、低电平、接地 （b）高电平、低电平、高阻态（c）高电平、低电平、中间状态6 查阅资料，确定下面各PAL器件的输入端个数、输出端个数及输出类型。 （a）PAL12H6 （ ）（ ）（ ）（b）PAL20P8 （ ）（ ）（ ） （c）PAL16L8 （ ）（ ）（ ）答案：1输出结构，可编程输入/输出结构，寄存器输出结构，异或输出结构2可编程阵列逻辑3B4C5B6（a）12，6，高电平 （b）20，8，可编程极性输出 （c）16，8，低电平8.7 通用阵列逻辑GAL自测练习1GAL具有（ ）（a）一个可编程的与阵列、一个固定的或阵列和可编程
9、输出逻辑（b）一个固定的与阵列和一个可编程的或阵列（c）一次性可编程与或阵列（d）可编程的与或阵列2GAL16V8具有（ ）种工作模式。3GAL16V8在简单模式工作下有（ ）种不同的OLMC配置；在寄存器模式工作下有（ ）种不同的OLMC配置；在复杂模式工作下有（ ）种不同的OLMC配置。4GAL16V8具有（ ）。（a）16个专用输入和8个输出（b）8个专用输入和8个输出（c）8个专用输入和8个输入/输出（d）10个专用输入和8个输出5如果一个GAL16V8需要10个输入，那么，其输出端的个数最多是（ ）。（a）8个 （b）6个 （c）4个6若用GAL16V8的一个输出端来实现组合逻辑函数
10、，那么此函数可以是（ ）与项之和的表达式。（a）16个 （b）8个 （c）10个7与、或、非、异或逻辑运算的ABEL表示法分别为（ ）。8逻辑表达式用ABEL语言描述时，应写为（ ）。答案：1A2333，2，24B专用输入，专用组合输出，复合输入/输出（I/O），寄存器组合I/O，寄存器输出5C687B8&，#，!，$9A&B#A&!B#!A&B8.8 CPLD、FPGA和在系统编程技术简介自测练习1PLD器件的设计一般可分为（ ）、（ ）和( )三个步骤以及 ( )、 ( ) 和( ) 三个设计验证过程.2ISP表示（ ）。（a）在系统编程的（b）集成系统编程的（c）集成硅片程序编制器3CP
11、LD表示（ ）。（a）简单可编程逻辑阵列 （b）可编程交互连接阵列（c）复杂可编程逻辑阵列 （d）现场可编程逻辑阵列4FPGA是（ ）。（a）快速可编程门阵列 （b）现场可编程门阵列（c）文档可编程门阵列 （d）复杂可编程门阵列5FPGA是采用（ ）技术实现互连的。（）熔丝（）CMOS（）EECMOS （d）SRAM6PLD的开发需要有（ ）的支持。（a）硬件和相应的开发软件（b）硬件和专用的编程语言（c）开发软件（d）专用的编程语言答案：1 设计输入，设计实现，编程，功能仿真，时序仿真，测试2 a3 c4 b5 d6 a习题8 存储器有哪些分类？各有何特点？8 ROM和RAM的主要区别是什么？它们各适用于哪些场合？8 静态存储器SRAM和动态存储器DRAM在电路结构和读写操作上有何不同？8 Flash Memory有何特点和用途？它和其它存储器比较有什么不同？8 某台计算机系统的存储器设置有20位的地址线，16位的并行输入/输出端
