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1、2017年秋学期盐南中等专业学校15综合（4）班汽修专业汽车电工电子基础第五章单元练习一一、填空1、物质按导电性能分为 、 、 。2、半导体中具有 和 两种载流子，是区别于导体的主要标志。3、PN结的正向偏置接法是：P区接电源的 极、N区接电源的 极；PN结的反向偏置接法是：P区接电源的 极、N区接电源的 极。4、晶体二极管中PN结的电场方向是由 指向 的。5、二极管导通后，硅管的管压降约为 V，锗管的管压降约为 V。6、二极管的核心是具有一个PN结，PN结具有 导电性，即加正向电压时PN结 ，加反向电压时PN结 。7、二极管在选用时常考虑的两个主要参数为 和 。8、晶体管是一个由 极、 极、
2、 极和 结、 结两个PN结构成的电流放大元器件。9、三极管处于饱和状态时，其集电结处于 状态；三极管处于截止状态时，其基极电流应为 。10、晶体管作开关使用时工作在 区和 区。二、判断1、本征半导体的导电性能介于导体和绝缘体之间。（ ）2、在一块纯净半导体掺入微量硼元素形成P型半导体。（ ）3、二极管具有单向导电性。（ ）4、当整流器中二极管两端加上正向电压时，二极管就会导通。（ ）5、制作二极管利用的是PN结的掺杂特性。（ ）6、因为N型半导体中的自由电子多于空穴，P型半导体中的空穴多于自由电子，所以N型半导体带负电，P型半导体带正电。（ ）7、硅稳压管当反向击穿电压消失后，仍能恢复单向导电
3、性。（ ）8、用万用表R*100的欧姆挡测量一只半导体二极管，其正反向电阻都呈现出很小的阻值，则这只二极管的PN结已被烧断。（ ）9、放大区、截止区和饱和区都是晶体管的正常工作区。（ ）10、晶体管由两个PN结组成，所以能用两个二极管反向连接起来充当晶体管使用。（ ）三、选择1、在下列半导体材料中，热敏特性突出的是（ ）。A、本征半导体 B、P型半导体 C、N型半导体 D、PN结2、PN结加正向电压时（ ），加反向电压时（ ）。A、反向截止的工作状态 B、正向导通的工作状态C、维持原来的工作状态 D、处于不确定的工作状态3、稳压管的工作区是在其伏安特性的（ ）。 A、正向特性区 B、反向特性区
4、 C、反向击穿区 D、正向导通区4、硅二极管的正向导通电压为（ ）V。A、0.10.3 B、0.5C、0.60.7 D、0.35、利用二极管的（ ），可以把交流电变成直流电。A、非线性 B、单向导电性C、钳压性 D、热敏性6、二极管的特性之一是（ ）。A、饱和性 B、放大性 C、正向截止性 D、单向导电性7、可以用来整流的器件为（ ）A、本征半导体 B、掺杂半导体 C、晶体二极管 D、三极管8、测量二极管主要指测量二极管的好坏用万用表的（ ）。A、欧姆档 B、电流档 C、电压档 D、不能测量9、工作电路中 PNP 型三极管各个极的电位关系如下,符合放大状态的是（ ）。A、VB VC VE B、
5、VE VC VBC、VE VB VC D、VC VB VE10、三极管处于（工作在）饱和状态的工作条件是（ ）。A、发射结正偏，集电结反偏 B、发射结反偏，集电结正偏C、发射结正偏，集电结正偏 D、发射结反偏，集电结反偏四、名词解释1、PN结2、三极管的特性曲线3、（普通二极管）击穿4、穿透电流（三极管）五、问答（简答）1、简述二极管的正向特性？2、填表：填写下表中三极管的工作状态：发射结正偏反偏正偏集电结正偏反偏反偏工作状态3、判断下列三极管的状态（保留解题过程）六、分析计算1、已知某三极管的电路中IE=6.02mA，IC=6.00mA，试求IB，。2、已知三极管的=85，ICBO=2A，当
6、IB=12A时，求IC为多少？3、已知三极管发射极电流的变化量IE=9mA，集电极电流的变化量IC=8.8mA，试计算基极电流的变化量IB及电流放大系数。2017年秋学期盐南中等专业学校15综合（4）班汽修专业汽车电工电子基础第五章单元练习二一、填空1、晶体二极管具有 导电性。2、某三极管基极电流为80uA、发射极电流为2mA,则集电极电流为 。3、纯净的半导体被称为 ，目前，用于半导体器件的材料主要有 、 、 、 ，其中以 和 最为常用。4、二极管最显著的特性是： 。5、本征半导体是指： 半导体。当温度升高时，本征半导体的导电能力会 。6、二极管的伏安特性可以简单理解为： 导通、 截止的特性
7、。7、二极管导通时，正向压降硅管为 V，锗管为 V。8、二极管的伏安特性是 ，二极管是一种 元件。在外加电压取不同值时，就可以使二极管工作在 区域。9、硅稳压管当 电压消失后，仍能恢复单向导电性。10、N型半导体也称为半导体，其多数载流子是 。11、锗管的死区电压为0 V,硅管的死区电压为0 V。12、N型半导体在单晶半导体中掺入微量的五价元素（如：磷元素），就会产生大量的 ，使其导电能力大大增强，这种半导体中 数远远大于 数，所以又称为 型半导体。13、PN结具有单向导电性，即加正向电压时 ，加反向电压时 。14、二极管按所用材料可分为 和 两类；按内部结构的不同可分为 和 两种，其中 二极
8、管主要用于高频检波、脉冲数字电路， 二极管一般用于整流电路。（二极管按结构形式不同，可分为 和 两种；按芯片材料不同，主要有 和 两种。）15、半导体的三个特点是 、 和 。16、在本征半导体中掺入 元素，可形成N型半导体，其中： 为多数载流子。17、三极管的三个电极分别称为 极、 极、 极。18、根据晶体管的工作状态不同，通常可在输出特性曲线上划分三个区域，它们分别是 、 、 。19、晶体二极管具有 性，其开关特性是指二极管正向偏置时相当于开关 ，二极管反向偏置时相当于开关。20、晶体三极管的开关特性是指三极管工作于饱和状态时相当于开关 ，三极管工作于截止状态时相当于开关 ，而三极管的 状态
9、只是数字电路的过渡过程。二、判断1、硅二极管的导通压降大于锗二极管。（ ）2、三极管只有工作在放大状态，才具有IC=IB。（ ）3、在P型半导体中，空穴是多数载流子，所以带正电。（ ）4、在N型半导体中，电子是多数载流子,所以带负电。（ ）5、半导体的导电性能介于导体和绝缘体之间。（ ）6、只有PN结才具有单向导电性。（ ）7、最大反向工作电压是指二极管在工作时所能承受的最大反向电压值，通常取二极管反向击穿电压的一半。（ ）8、一般二极管运用在正向导通区。（ ）9、无论是一般二极管还是稳压二极管都需要有用来限流的电阻。（ ）10、本征半导体在实际中几乎没有运用。（ ）11、二极管加正向电压截止
10、，加反向电压导通。（ ）12、在P型半导体中，空穴是多数载流子。（ ）13、无论是P型半导体，还是N型半导体，都呈现电中性。（ ）无论是P型、N型半导体都不呈现电中性。（ ）14、二极管是根据PN结单导电的特性制成的，因此，二极管也具有单向导电性。（ ）15、一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。（ ）16、PN结是构成二极管、三极管和集成电路等器件的基础。（ ）17、二极管中只有稳压二极管运用于反向偏置状态。（ ）三、选择1、稳压二极管正常工作时应（ ）。A、加正向电压，使其工作在导通状态B、加反向电压，使其工作在截止状态 C、加反向电压，使其工作在反向击穿区2、三极管的哪两个
11、区半导体类型相同（ ）。A、基区和发射区 B、基区和集电区 C、发射区和集电区3、P型半导体中空穴多余电子，则P型半导体呈现的电性为（ ）。 A、正电 B、负电 C、电中性 D、不确定4、硅二极管正偏时，当电压等于0.5V时与正偏电压等于0.7V时二极管呈现的电阻大小是（ ）。A、完全相同 B、不相同的 C、维持不变的 D、无关联性5、用万用表的欧姆档测量二极管的正向电阻，测得的阻值为最小时，用的是（ ）。A、R10档 B、 R100档 C、 R1K档 D、 R10K档6、用万用表的不同欧姆档测量二极管的正向电阻时，会观察到其测得的阻值不同，究其根本原因是（ ）。 A、万用表在不同的欧姆档有不同的内阻 B、二极管有非线行的特性 C、二极管的质量差 D、二极管的参数具有离散性7、锗管的正向电阻为（ ）欧。A、几百千几千千 B、1001K C、200K以上 D、无定论A、小于1K欧 B、15K欧 C、510K欧 D、10K欧以上8、激光二极管属于（ ）类激光器。A、半导体类 B、 固体类C、.气体类 D、 液体类9、2AP9为（ ）普通二极管。 A、N型锗材料 B、P型锗材料 C、N型硅材料 D、P型硅材料10、当电场方向与 PN 结内电场方向相同时,
