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1、 电子技术基础 模拟部分 第六版 华中科技大学张林 电子技术基础模拟部分 1绪论2运算放大器3二极管及其基本电路4场效应三极管及其放大电路5双极结型三极管及其放大电路6频率响应7模拟集成电路8反馈放大电路9功率放大电路10信号处理与信号产生电路11直流稳压电源 5双极结型三极管及其放大电路 5 1BJT5 2基本共射极放大电路5 3BJT放大电路的分析方法5 4BJT放大电路静态工作点的稳定问题5 5共集电极放大电路和共基极放大电路5 6FET和BJT及其基本放大电路性能的比较5 7多级放大电路5 8光电三极管 5 1BJT 5 1 1BJT的结构简介5 1 2放大状态下BJT的工作原理5 1
2、 3BJT的V I特性曲线5 1 4BJT的主要参数5 1 5温度对BJT参数及特性的影响 5 1 1BJT的结构简介 a 小功率管 b 小功率管 c 大功率管 d 中功率管 5 1 1BJT的结构简介 5 1 1BJT的结构简介 半导体三极管的结构示意图如图所示 它有两种类型 NPN型和PNP型 NPN型 PNP型 5 1 1BJT的结构简介 结构特点 发射区的掺杂浓度最高 集电区掺杂浓度低于发射区 且面积大 基区很薄 一般在几个微米至几十个微米 且掺杂浓度最低 集成电路中典型NPN型BJT的截面图 载流子的传输过程 5 1 2放大状态下BJT的工作原理 三极管的放大作用是在一定的外部条件控
3、制下 通过载流子传输体现出来的 外部条件 发射结正偏集电结反偏 1 内部载流子的传输过程 发射区 发射载流子集电区 收集载流子基区 传送和控制载流子 以NPN为例 由于三极管内有两种载流子 自由电子和空穴 参与导电 故称为双极型三极管或BJT BipolarJunctionTransistor IC ICN ICBO IE IB IC 载流子的传输过程 2 电流分配关系 根据传输过程可知 IC InC ICBO 通常IC ICBO IE IB IC 且令 2 电流分配关系 3 三极管的三种组态 共集电极接法 集电极作为公共电极 简称CC 共基极接法 基极作为公共电极 简称CB 共发射极接法 发
4、射极作为公共电极 简称CE iE iC iB iC iB iE iC iE iC iB iE 1 iB 输出口 输入口 输出口 输入口 输出口 输入口 共基极放大电路 4 放大作用 电压放大倍数 vO iC RL 0 98V 5 1 2放大状态下BJT的工作原理 综上所述 三极管的放大作用 主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输 然后到达集电极而实现的 实现这一传输过程的两个条件是 1 内部条件 发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度 且基区很薄 2 外部条件 发射结正向偏置 集电结反向偏置 5 1 3BJT的I V特性曲线 iB f vBE vCE const 2 当vCE 1V时 vCB vC
5、E vBE 0 集电结已进入反偏状态 收集载流子能力增强 基区复合减少 同样的vBE下IB减小 特性曲线右移 1 当vCE 0V时 相当于发射结的正向伏安特性曲线 1 输入特性曲线 以共射极放大电路为例 5 1 3BJT的I V特性曲线 3 输入特性曲线的三个部分 死区 非线性区 近似线性区 1 输入特性曲线 5 1 3BJT的I V特性曲线 饱和区 iC明显受vCE控制的区域 该区域内 一般vCE 0 7V 硅管 此时 发射结正偏 集电结正偏或反偏电压很小 iC f vCE iB const 输出特性曲线的三个区域 截止区 iC接近零的区域 相当iB 0的曲线的下方 此时 vBE小于死区电压
6、 放大区 iC平行于vCE轴的区域 曲线基本平行等距 此时 发射结正偏 集电结反偏 2 输出特性曲线 5 1 4BJT的主要参数 1 共发射极直流电流放大系数 1 电流放大系数 2 共发射极交流电流放大系数 IC IB vCE const 5 1 4BJT的主要参数 3 共基极直流电流放大系数 IC ICBO IE IC IE 4 共基极交流电流放大系数 IC IE VCB const 当ICBO和ICEO很小时 可以不加区分 1 电流放大系数 5 1 4BJT的主要参数 1 集电极基极间反向饱和电流ICBO发射极开路时 集电结的反向饱和电流 2 极间反向电流 5 1 4BJT的主要参数 2
7、集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO 1 ICBO 即输出特性曲线IB 0那条曲线所对应的Y坐标的数值 ICEO也称为集电极发射极间穿透电流 2 极间反向电流 5 1 4BJT的主要参数 1 集电极最大允许电流ICM 2 集电极最大允许功率损耗PCM PCM ICVCE 3 极限参数 3 反向击穿电压 V BR CBO 发射极开路时的集电结反向击穿电压 V BR EBO 集电极开路时发射结的反向击穿电压 V BR CEO 基极开路时集电极和发射极间的击穿电压 5 1 4BJT的主要参数 由PCM ICM和V BR CEO在输出特性曲线上可以确定过损耗区 过电流区和击穿区 输出特性曲线
8、上的过损耗区和击穿区 过流区 过压区 5 1 5温度对BJT参数及特性的影响 1 温度对ICBO的影响 温度每升高10 ICBO约增加一倍 2 温度对 的影响 温度每升高1 值约增大0 5 1 3 温度对反向击穿电压V BR CBO V BR CEO的影响 温度升高时 V BR CBO和V BR CEO都会有所提高 2 温度对BJT特性曲线的影响 1 温度对BJT参数的影响 5 2基本共射极放大电路 5 2 1基本共射极放大电路的组成5 2 2基本共射极放大电路的工作原理 5 2 1基本共射极放大电路的组成 5 2 2基本共射极放大电路的工作原理 1 静态 输入信号vi 0时 放大电路的工作状
9、态称为静态或直流工作状态 直流通路 VCEQ VCC ICQRc 5 2 2基本共射极放大电路的工作原理 2 动态 输入正弦信号vs后 电路将处在动态工作情况 此时 BJT各极电流及电压都将在静态值的基础上随输入信号作相应的变化 交流通路 BJT放大电路的其它组成形式 信号源不共地 BJT放大电路的其它组成形式 5 3BJT放大电路的分析方法 5 3 1BJT放大电路的图解分析法5 3 2BJT放大电路的小信号模型分析法 5 3 1BJT放大电路的图解分析法 1 静态工作点的图解分析 采用该方法分析静态工作点 必须已知三极管的输入输出特性曲线 共射极放大电路 首先 画出直流通路 直流通路 5
10、3 1BJT放大电路的图解分析法 列输入回路方程vBE VBB iBRb 列输出回路方程 直流负载线 vCE VCC iCRc 直流通路 1 静态工作点的图解分析 5 3 1BJT放大电路的图解分析法 在输入特性曲线上 作出直线vBE VBB iBRb 两线的交点即是Q点 得到IBQ 在输出特性曲线上 作出直流负载线vCE VCC iCRc 与IBQ曲线的交点即为Q点 从而得到VCEQ和ICQ 1 静态工作点的图解分析 5 3 1BJT放大电路的图解分析法 2 动态工作情况的图解分析 根据vs的波形 在BJT的输入特性曲线图上画出vBE iB的波形 5 3 1BJT放大电路的图解分析法 2 动
11、态工作情况的图解分析 根据iB的变化范围在输出特性曲线图上画出iC和vCE的波形 5 3 1BJT放大电路的图解分析法 2 动态工作情况的图解分析 5 3 1BJT放大电路的图解分析法 3 静态工作点对波形失真的影响 静态工作点太高容易出现饱和失真 饱和失真的波形 5 3 1BJT放大电路的图解分析法 3 静态工作点对波形失真的影响 静态工作点太低容易出现截止失真 截止失真的波形 5 3 1BJT放大电路的图解分析法 例5 3 1阻容耦合共射极放大电路图解 与前一个电路相比 静态时输入回路方程略有差别 vBE VCC iBRb 输出回路方程相同vCE VCC iCRc 动态时 输入信号vi叠加
12、Cb1上已充的静态电压VBEQ 然后加在BJT的b e间 即 且电容Cb1充电完成后 其电压等于VBEQ vBE VBEQ vi 5 3 1BJT放大电路的图解分析法 例5 3 1阻容耦合共射极放大电路图解 由于输出端有隔直电容 所以动态和静态时有差别 由交流通路可得交流负载线 交流通路 vce ic Rc RL 因为交流信号过零时 电路中电压 电流值就等于静态值 所以交流负载线必过Q点 即vce vCE VCEQic iC ICQ同时 令R L Rc RL 则交流负载线为 iC 1 R L vCE 1 R L VCEQ ICQ 5 3 1BJT放大电路的图解分析法 交流负载线是有交流输入信号
13、时Q点的运动轨迹 交流负载线 例5 3 1阻容耦合共射极放大电路图解 iC 1 R L vCE 1 R L VCEQ ICQ 5 3 2BJT放大电路的小信号模型分析法 1 BJT的H参数及小信号模型 与FET类似 也可通过BJT的小信号模型来分析其放大电路的动态指标 当放大电路的输入信号电压很小时 就可以把BJT小范围内的特性曲线近似地用直线来代替 从而可以把三极管这个非线性器件所组成的电路当作线性电路来处理 1 BJT的H参数及小信号模型 H参数的引出 在小信号情况下 对上两式取全微分得 用小信号交流分量表示 vbe hieib hrevce ic hfeib hoevce 对于BJT双口
14、网络 已知输入输出特性曲线如下 iB f vBE vCE const iC f vCE iB const 可以写成 输出端交流短路时的输入电阻 输出端交流短路时的正向电流传输比或电流放大系数 输入端交流开路时的反向电压传输比 输入端交流开路时的输出电导 其中 四个参数量纲各不相同 故称为混合参数 H参数 H参数的引出 vbe hieib hrevce ic hfeib hoevce 1 BJT的H参数及小信号模型 H参数小信号模型 根据 可得小信号模型 BJT的H参数模型 vbe hieib hrevce ic hfeib hoevce 受控电流源hfeib 反映了BJT的基极电流对集电极电流
15、的控制作用 电流源的流向由ib的流向决定 hrevce是一个受控电压源 反映了BJT输出回路电压对输入回路的影响 1 BJT的H参数及小信号模型 H参数小信号模型 H参数都是小信号参数 即微变参数或交流参数 H参数与工作点有关 在放大区基本不变 H参数都是微变参数 所以只适合对交流信号的分析 模型的简化 hre和hoe都很小 常忽略它们的影响 常用习惯符号rbe hie hfe BJT的H参数数量级一般为 1 BJT的H参数及小信号模型 H参数的确定 一般用测试仪测出 rbe与Q点有关 可用图示仪测出 一般也用公式估算rbe 忽略r e rb 1 re 对于低频小功率管rb 200 则 而 T
16、 300K 估算公式 若用万用表的 欧姆 档测量b e两极之间的电阻 是否为rbe 1 BJT的H参数及小信号模型 5 3 2BJT放大电路的小信号模型分析法 2 用H参数小信号模型分析基本共射极放大电路 1 利用直流通路求Q点 共射极放大电路 一般硅管VBE 0 7V 锗管VBE 0 2V 已知 vs 0 5 3 2BJT放大电路的小信号模型分析法 2 画小信号等效电路 2 用H参数小信号模型分析基本共射极放大电路 H参数小信号等效电路 5 3 2BJT放大电路的小信号模型分析法 3 求放大电路动态指标 已知 估算rbe 则电压增益为 可作为公式 电压增益 2 用H参数小信号模型分析基本共射极放大电路 根据 5 3 2BJT放大电路的小信号模型分析法 输入电阻 3 求放大电路动态指标 2 用H参数小信号模型分析基本共射极放大电路 令 输出电阻 1 放大电路如图所示 已知BJT的 80 Rb 300k Rc 2k VCC 12V 求 1 放大电路的Q点 此时BJT工作在哪个区域 2 当Rb 100k 时 放大电路的Q点 此时BJT工作在哪个区域 忽略BJT的饱和压降 解 1 2 当Rb
