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1、宝剑锋从磨砺出，梅花香自苦寒来！ 模拟电子技术 综合复习资料第一章 常用半导体器件一、选择1、在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如下图所示，该晶体管的类型是 A A. NPN型硅管 B. PNP型硅管 C. NPN型锗管 2V 6VD. PNP型锗管 1.3V 2、三极管各个电极的对地电位如下图所示，可判断其工作状态是 D A. 饱和 B. 放大C. 截止 D. 已损坏 3、 在如下图所示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。若把电源电压调整到V=10V，则电流的大小将是 C A.I=2mA B.I2mA D.不能确定 4、 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 B A.
2、温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷5、二极管的主要特性是 C A.放大特性 B.恒温特性 C.单向导电特性 D.恒流特性 6、温度升高时，晶体管的反向饱和电流ICBO将 B A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 7、 下列选项中，不属三极管的参数是 B A.电流放大系数 B.最大整流电流IF C.集电极最大允许电流ICM D.集电极最大允许耗散功率PCM 8、 温度升高时，三极管的值将 A A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 9、 在N型半导体中，多数载流子是 A A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质 10、下面哪一种情况二极管的单向导电性好 A A.正向电阻
3、小反向电阻大 B. 正向电阻大反向电阻小 C.正向电阻反向电阻都小 D. 正向电阻反向电阻都大 11、 在P型半导体中，多数载流子是 B A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质二、填空1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 掺杂浓度 ，而少数载流子的浓度则与 本征激发 有很大关系。2、温度升高时，晶体管的电流放大系数 增大 ，反向饱和电流ICBO 增大 ，正向结电压UBE 变小 。(a.变大，d.变小，c.不变)3、在本征半导体中，电子浓度 等于 空穴浓度；4、在P型半导体中，电子浓度 小于 空穴浓度；5、在N型半导体中，电子浓度 大于 空穴浓度。4、二极管的最主要特性是 单向导
4、电性 。5、双极型晶体管从结构上看可以分成 NPN 和 PNP 两种类型，它们工作时有 自由电子 和 空穴 两种载流子参与导电。6、晶体三极管用来放大时，应使发射结处于 正向 偏置，集电结处于 反向 偏置。三、判断对错1、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。（ ）2、P型半导体带正电，N型半导体带负电。（ ）3、由于PN结交界面两边存在电位差，所以，当把PN结两端短路时就有电流流过。（ ）4、通常的BJT管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。（ ）四、 在某放大电路中，晶体管三个电极的电流下图所示。已量出I1=-1.2mA，I2=-0.03mA，I3=1.23m
5、A。由此可知：1、电极是 C 极，电极是 B 极，电极是 E 极。l1l2l3T2、此晶体管的电流放大系数约为 40 。3、此晶体管的类型是 PNP 型（PNP或NPN）。五、 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如下图所示1判断它们各是NPN管还是PNP管，在图中标出e，b，c极；（a）NPN 4mA-C 4.1mA-E 0.1mA-B(b) PNP 6mA-C 6.1mA-E 0.1mA-B2估算(b)图晶体管的 和 值。 (a) =40 =40/41(b) =60 =60/61第二章 基本放大电路一、选择题1、 在基本放大电路的三种组态中，输入电阻最大的放大电路是 C A.共射放
6、大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定 2、在基本共射放大电路中，负载电阻RL减小时，输出电阻RO将 C A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 3、 在三种基本放大电路中，输入电阻最小的放大电路是 B A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定 4、在电路中我们可以利用 C 实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合。 A 共射电路 B 共基电路 C 共集电路 D 共射-共基电路5、 在基本放大电路的三种组态中，输出电阻最小的是 C A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定 6、 在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，
7、当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了底部削平的失真，这种失真是 A A. 饱和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.频率失真7、以下电路中，可用作电压跟随器的是 D A差分放大电路 B共基电路C共射电路 D共集电路8、 晶体三极管的关系式iC=f(uBE)|uCE代表三极管的 B A.共射极输入特性 B.共射极输出特性 C.共基极输入特性 D.共基极输出特性 9、 在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真，这种失真是 B B. 饱和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.频率失真10、对于基本共射
8、放大电路， Rb减小时，输入电阻Ri将 B A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 11、在基本共射放大电路中，信号源内阻RS减小时，输入电阻Ri将 C A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 12、在三种基本放大电路中，电压增益最小的放大电路是 C A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定 13、 在三种基本放大电路中，电流增益最小的放大电路是 B A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定 二、填空 1、 某放大电路的负载开路时的输出电压为4V，接入3KW的负载电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为 1KW 。2、 双极
9、型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结 正偏 、集电结 反偏 。3、有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下测得A的输出电压小。这说明A的 b 。a.输入电阻大 b.输入电阻小c.输出电阻大 d.输出电阻小三、 判断下列说法是否正确，对的画，错的画。1、晶体管的输入电阻rbe是一个动态电阻，故它与静态工作点无关。（ ）2、在基本共射放大电路中，若晶体管的增大一倍，则电压放大倍数也相应地增大一倍。 （ ）3、共集放大电路的电压放大倍数总是小于1，故不能用来实现功率放大。（ ）4、只有当两个晶体管的类型相同（都为NPN管或都为
10、PNP管）时才能组成复合管。 （ ）5、复合管的类型（NPN或PNP）与组成它的最前面的管子类型相同。（ ）四、设下图所示电路中各电容对交流信号可视为短路，晶体管的b=50，rbb=200W,UBEQ=0.6V,求： 1静态工作点ICQ、UCEQ 各为多少？2输入电阻Ri ,输出电阻Ro各为多少？3电压放大倍数Au为多少？ 解：1、 2、Ri =rBE,输出电阻Ro=R23、五、设下图所示电路中各电容对交流信号可视为短路，晶体管的=50,rbb=200,UBEQ=0.6,求: 1.求静态工作点ICQ=?2.该电路的输入电阻Ri输出电阻Ro各为多少?3.该电路的电压放大倍数Au为多少?解：1、2、Ri =rBE,输出电阻Ro=R2 3、六、指出并改正下图电路中的错误使电路能够正常放大信号。解：1、电源
