单片机课程设计_直流电机PWM调速系统方案

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1、.专业整理.基于单片机实现直流电机PWM调速系统摘要:利用MCS-51系列单片机控制PWM信号从而实现对直流电机转速进行控制;采用了专门的芯片组成了PWM信号的发生系统,并且对PWM信号的原理、产生方法以及如何通过软件编程对PWM信号占空比进行调节,从而控制其输入信号波形。关键词:PWM信号;直流电机;调速;占空比;单片机一、 系统总体设计框图图1系统总框图近年来,随着科技的进步,电力电子技术得到了迅速的发展,直流电机得到了越来越广泛的应用。直流它具有优良的调速特性,调速平滑、方便,调速范围广;过载能力大,能承受频繁的冲击负载,可实现频繁的无级快速起动、制动和反转;需要能满足生产过程自动化系统

2、各种不同的特殊运行要求,从而对直流电机的调速提出了较高的要求,改变电枢回路电阻调速,改变电枢电压调速等技术已远远不能满足要求,这时通过PWM方式控制直流电机调速的方法应运而生。采用传统的调速系统主要有以下缺陷:模拟电路容易随时间漂移,会产生一些不必要的热损耗,以及对噪声敏感等。而在用了PWM技术后,避免了以上的缺陷,实现了用数字方式来控制模拟信号,可以大幅度降低成本和功耗。另外,由于PWM 调速系统的开关频率较高,仅靠电枢电感的滤波作用就可获得平稳的直流电流,低速特性好;同样,由于开关频率高,快速响应特性好,动态抗干扰能力强,可以获得很宽的频带;开关器件只工作在开关状态,主电路损耗小,装置效率

3、高。PWM 具有很强的抗噪性,且有节约空间、比较经济等特点。二、 外设电路设计1、AT89C51单片机(1)AT89C51单片机的基本组成 AT89C51单片机由CPU和8个部件组成,它们都通过片内单一总线连接,其基本结构依然是通用CPU加上外围芯片的结构模式,但在功能单元的控制上采用了特殊功能寄存器的集中控制方法。(2)AT89C51单片机引脚图及功能介绍P0.7-P0.0:这8个引脚共有两种不同的功能,分别使用于两种不同的情况。第一种情况是AT89C51不带片外存储器,P0口可以作为通用I/O口使用,P0.7-P0.0用于传送CPU的I/O数据。第二种情况是AT89C51带片外存储器,P0

4、.7-P0.0在CPU访问片外存储器时先是用于传送片外存储器的低8位地址,然后传送CPU对片外存储器的读写数据。P2.7-P2.0:这组引脚的第一功能可以作为通用的I/O使用。它的第二功能和P0口引脚的第二功能相配合,用于输出片外存储器的高8位地址,共同选中片外存储器单元,但是并不能像P0口那样还可以传送存储器的读写数据。P3.7-P3.0:这组引脚的第一功能为传送用户的输入/输出数据。它的第二功能作为控制用,每个引脚不尽相同,如下表所示: P3口的位第二功能注释P3.0RXD串行数据接收口P3.1TXD串行数据发送口P3.2外中断0输入P3.3外中断1输入P3.4T0计数器0计数输入P3.5

5、T1计数器1计数输入P3.6外部RAM写选通信号P3.7外部RAM读选通信号表1 AT89C51芯片引脚P3口第二功能及说明 VCC为+5V电源线,VSS为接地线。ALE/:地址锁存允许/编程线,配合P0口引脚的第二功能使用,在访问片外存储器时,AT89C51CPU在P0.7-P0.0引脚线上输出片外存储器低8位地址的同时还在ALE/线上输出一个高电位脉冲,其下降沿用于把这个片外存储器低8位地址锁存到外部专用地址锁存器,以便空出P0.7-P0.0引脚线去传送随后而来的片外存储器的读写数据。在不访问片外存储器时,AT89C51自动在ALE/线上输出频率为1/6 fOSC的脉冲序列。该脉冲序列可以

6、用作外部时钟源或者作为定时脉冲源使用。 / VPP:允许访问片外存储器/编程电源线,可以控制AT89C51使用片内ROM还是片外ROM。如果=1,那么允许使用片内ROM;如果=0,那么允许使用片外ROM。:片外ROM选通线,在执行访问片外ROM的指令MOVC时,AT89C51自动在线上产生一个负脉冲,用于片外ROM芯片的选通。其他情况下,线均为高电平封锁状态。RST/VPD:复位备用电源线,可以使AT89C51处于复位工作状态。XTAL1和XTAL2:片内振荡电路输入线,这两个端子用来外接石英晶体和微调电容,即用来连接AT89C51片内OSC的定时反馈电路。石英晶振起振后,应能在XTAL2线上

7、输出一个3V左右的正弦波,以便于AT89C51片内的OSC电路按石英晶振相同频率自激振荡,电容C1、C2可以帮助起振,调节它们可以达到微调fOSC的目的。2、PWM信号发生电路设计(1)PWM的基本原理PWM(脉冲宽度调制)是通过控制固定电压的直流电源开关频率,改变负载两端的电压,从而达到控制要求的一种电压调整方法。PWM可以应用在许多方面,比如:电机调速、温度控制、压力控制等等。在PWM驱动控制的调整系统中,按一个固定的频率来接通和断开电源,并且根据需要改变一个周期内“接通”和“断开”时间的长短。通过改变直流电机电枢上电压的“占空比”来达到改变平均电压大小的目的,从而来控制电动机的转速。也正

8、因为如此,PWM又被称为“开关驱动装置”。如下图所示:设电机始终接通电源时,电机转速最大为Vmax,设占空比为,则电机的平均速度为,其中Va指的是电机的平均速度;Vmax 是指电机在全通电时的最大速度;是指占空比。由上面的公式可见,当我们改变占空比时,就可以得到不同的电机平均速度Vd,从而达到调速的目的。严格来说,平均速度Vd 与占空比D并非严格的线性关系,但是在一般的应用中,我们可以将其近似地看成是线性关系。(2)PWM信号发生电路图PWM波可以由具有PWM输出的单片机通过编程来得以产生,也可以采用PWM专用芯片来实现。当PWM波的频率太高时,它对直流电机驱动的功率管要求太高,而当它的频率太

9、低时,其产生的电磁噪声就比较大,在实际应用中,当PWM波的频率在18KHz左右时,效果最好。在本系统内,采用了两片4位数值比较器4585和一片12位串行计数器4040组成了PWM信号发生电路。两片数值比较器4585,即图上U2、U3的A组接12位串行4040计数输出端Q2Q9,而U2、U3的B组接到单片机的P1端口。只要改变P1端口的输出值,那么就可以使得PWM信号的占空比发生变化,从而进行调速控制。12位串行计数器4040的计数输入端CLK接到单片机C51晶振的振荡输出XTAL2。计数器4040每来8个脉冲,其输出Q2Q9加1,当计数值小于或者等于单片机P1端口输出值X时,图中U2的(AB)

10、输出端保持为低电平,而当计数值大于单片机P1端口输出值X时,图中U2的(AB)输出端为高电平。随着计数值的增加,Q2Q9由全“1”变为全“0”时,图中U2的(AB)输出端又变为低电平,这样就在U2的(AB)端得到了PWM的信号,它的占空比为(255 -X / 255)*100%,那么只要改变X的数值,就可以相应的改变PWM信号的占空比,从而进行直流电机的转速控制。使用这个方法时,单片机只需要根据调整量输出X的值,而PWM信号由三片通用数字电路生成,这样可以使得软件大大简化,同时也有利于单片机系统的正常工作。由于单片机上电复位时P1端口输出全为“1”,使用数值比较器4585的B组与P1端口相连,

11、升速时P0端口输出X按一定规律减少,而降速时按一定规律增大。图2 PWM信号发生电路图(3)功率放大驱动电路设计该驱动电路采用了IR2110集成芯片,该集成电路具有较强的驱动能力和保护功能。IR2110的引脚图以及功能引脚1(LO)与引脚7(HO):对应引脚12以及引脚10的两路驱动信号输出端,使用中,分别通过一电阻接主电路中下上通道MOSFET的栅极,为了防止干扰,通常分别在引脚1与引脚2以及引脚7与引脚5之间并接一个10K的电阻。引脚2(COM):下通道MOSFET驱动输出参考地端,使用中,与引脚13(Vss)直接相连,同时接主电路桥臂下通道MOSFET的源极。引脚3(Vcc):直接接用户

12、提供的输出极电源正极,并且通过一个较高品质的电容接引脚2。引脚5(Vs):上通道MOSFET驱动信号输出参考地端,使用中,与主电路中上下通道被驱动MOSFET的源极相通。与引脚6(VB):通过一阴极连接到该端阳极连接到引脚3的高反压快恢复二极管,与用户提供的输出极电源相连,对Vcc的参数要求为大于或等于0.5V,而小于或等于+20V。引脚9(VDD):芯片输入级工作电源端,使用中,接用户为该芯片工作提供的高性能电源,为抗干扰,该端应通过一高性能去耦网络接地,该端可与引脚3(Vcc)使用同一电源,也可以分开使用两个独立的电源。引脚10(HIN)与引脚12(LIN):驱动逆变桥中同桥臂上下两个功率

13、MOS器件的驱动脉冲信号输入端。应用中,接用户脉冲形成部分的对应两路输出,对此两个信号的限制为Vss-0.5V至Vcc+0.5V,这里Vss 与Vcc分别为连接到IR2110的引脚13(Vss)与引脚9(VDD)端的电压值。引脚11(SD):保护信号输入端,当该引脚为高电平时,IR2110的输出信号全部被封锁,其对应的输出端恒为低电平,而当该端接低电平时,则IR2110的输出跟随引脚10与12而变化。引脚13(Vss):芯片工作参考地端,使用中,直接与供电电源地端相连,所有去耦电容的一端应接该端,同时与引脚2直接相连。引脚8、引脚14、引脚4:为空引脚。芯片参数:1IR2110的极限参数和限制

14、:最大高端工作电源电压VB: -0.3V至525V门极驱动输出最大(脉冲)电流IOMAX:2A最高工作频率fmax:1MHz工作电源电压Vcc:-0.3V至25V贮存温度Tstg:-55至150C工作温度范围TA:-40至125C允许最高结温Tjmax:150C逻辑电源电压VDD:-0.3V至VSS+25V允许参考电压Vs临界上升率dVs/dt:50000V/s高端悬浮电源参考电压Vs:VB-25V至VB+0.3V高端悬浮输出电压VHO:Vs-0.3V至VB+0.3V逻辑输入电压VIN:Vss-0.3V至VDD+0.3V逻辑输入参考电压Vss:Vcc-25V至Vcc+0.3V低端输出电压VLO

15、:-0.3V至Vcc+0.3V功耗PD:DIP-14封装为1.6W2IR2110的推荐工作条件:高端悬浮电源绝对值电压VB:Vs+10V至Vs+20V低端输出电压VLO:0至Vcc低端工作电源电压Vcc:10V至20V逻辑电源电压VDD: Vss+5V至Vss+20V逻辑电源参考电压Vss: -5V至+5V(4)主电路设计A延时保护电路利用IR2110芯片的完善设计可以实现延时保护电路。IR2110使它自身可对输入的两个通道信号之间产生合适的延时,保证了加到被驱动的逆变桥中同桥臂上的两个功率MOS器件的驱动信号之间有一互时间间隔,因而防止了被驱动的逆变桥中两个功率MOS器件同时导通而发生直流电源直通路的危险。B主电路图及功能说明从上面的原理可以看出,产生高压侧门极驱动电压的前提是低压侧必须有开关的动作,在高压侧截止期间低压侧必须导通,才能够给自举电容提供充电的通路。因此在这个电路中,Q1、Q4或者Q2、Q3是不可能持续、不间断的导通的。我们可以采取双PWM信号来控制直流电机的正转以及它的速度。将IC1的HIN端与IC2的LIN端相连,而把IC1的LIN端与IC2的HIN端相连,这样就使得两片芯片所输出的

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