模拟电子技术基础第2讲 半导体基础知识

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1、第二讲 半导体基础知识 一、本征半导体 二、杂质半导体 三、PN结的形成及其单向导电性 一、本征半导体 导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。 无杂质 稳定的结构 本征半导体是纯净的具有晶体结构的半导体。 1、什么是半导体?什么是本征半导体? 导体铁、铝、铜等金属元素等低价元素,其最外层电 子在外电场作用下很容易产生定向移动,形成电流。 绝缘体惰性气体、橡胶等,其原子的最外层电子受原 子核的束缚力很强,只有在外电场强到一定程度时才可能导 电。 半导体硅(Si)、锗(Ge),均为四价元素,它们原 子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。 1、本征半导体的结构 由于热运动,具有足

2、够能量 的价电子挣脱共价键的束缚 而成为自由电子 自由电子的产生使共价键中留 有一个空位置,称为空穴。 半导体在热激发下产生自由电子-空穴对的现象称为本 征激发。 共价键 自由电子与空穴相遇时会主动填补空穴,使两者同时消 失,这种现象称为复合。 载流子 外加电场时,带负电的自由电 子和带正电的空穴均参与导电, 且运动方向相反分别形成电子电 流和空穴电流。本征半导体中的 电流为电子电流和空穴电流之和 。并且载流子数目很少,故导电 性很差。 2、本征半导体中的两种载流子及载流子浓度 运载电荷的粒子称为载流子。 一定温度下,自由电子空穴对的浓度一定(本征激发与复合 运动达到动态平衡);温度升高,热运

3、动加剧,挣脱共价键的 电子增多,自由电子空穴对的浓度增大。 了解以下名词: l共用电子与共价键 l自由电子与空穴 l本征激发与复合 l热运动与动态平衡 l载流子 导体和半导体中的载流子是否相同? 为什么?影响本征半导体中载流子浓 度的主要因素是什么? 结论:本征半导体在不同的温度下,自由 电子和空穴的浓度不同,所以导电性能也 不同,当绝对温度等于0度时,为绝缘体。 就本征半导体和自然界半导体相比,本征 半导体的导电性要弱。 二、杂质半导体:本征半导体中掺入少量合适的杂质元素 磷(P) 杂质半导体主要靠多数载 流子导电。掺入杂质越多, 多子浓度越高,导电性越强 ,实现人为的导电性可控。 多数载流

4、子 空穴比未加杂质时的数目 多了?少了?为什么? 1. N1. N型半导体型半导体 2. P型半导体 硼(B) 多数载流子 P型半导体主要靠空穴导电, 掺入杂质越多,空穴浓度越高, 导电性越强, 在杂质半导体中,温度变化时 ,载流子的数目变化吗?少子与 多子数目的变化相同吗?少子与 多子浓度的变化相同吗? 杂质半导体中,影响载流子浓度的主要因素是什么?影响多 子浓度的因素和影响少子浓度的主要因素是否相同?为什么? 结论: 1、N型半导体自由电子为多数载流子,空穴 为少数载流子;主要靠自由电子导电,掺 入P元素越多,导电性越强。 2、 P型半导体自由电子为少数载流子,空穴 为多数载流子;主要靠空

5、穴导电,掺入B元 素越多,导电性越强。 三、PN结的形成及其单向导电性 物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。气 体、液体、固体均有之。 扩散运动 N区自由电 子浓度远高 于P区。 当P型半导体和N型半导体制作在同一块硅片上时,交界面处 会产生扩散运动和复合运动,出现不可移动的正负离子区,从 而产生内电场,阻止扩散运动的继续进行。(内电场方向?) P区空穴 浓度远高 于N区。 PN结的形成 因内电场作用所产 生的运动称为漂移运 动。 当参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同 ,达到动态平衡时,交界面处就形成了PN结。 漂移运动 由于扩散运动使P区与N区的交界面处多数载流子浓度下降, 形成内电场

6、,从而阻止扩散运动的进行。内电场使空穴从N区 向P区、自由电子从P区向N 区运动。 PN结加正向电压导通: 耗尽层变窄,扩散运动加 剧,由于外电场的作用,形 成正向电流,PN结处于导通 状态。 PN结加反向电压截止: 耗尽层变宽,阻止扩散运动 ,有利于漂移运动,形成漂移 电流。由于电流很小,故可近 似认为其截止。 PN结的单向导电性 PN结的电流方程和伏安特性 a、正向特性 b、反向特性 (当反向电压超过反向击穿电压时,反向电流急 剧增加,称为反向击穿) 1)齐纳击穿:掺杂浓度高,需较低的反向电压,直接破坏共价键 2)雪崩击穿:掺杂浓度低,需较高的反向电压,少子碰撞共价键 1 1、电流方程:、电流方程: 2 2、伏安特性、伏安特性: PN结的电容效应 1. 势垒电容 PN结外加电压变化时,空间电荷区的宽度将发生 变化,有电荷的积累和释放的过程,与电容的充放 电相同,其等效电容称为势垒电容Cb。 2. 扩散电容 PN结外加的正向电压变化时,在扩散过程中载流 子的浓度及其梯度均有变化,也有电荷的积累和释 放的过程,其等效电容称为扩散电容Cd。 结电容: 这三个电容都不是确定值,与外接电压、回路电 流、PN结本身的结构有关!若PN结外加电压频率 高到一定程度,则失去单向导电性! 清华大学清华大学 华成英华成英 hchyahchya

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