《清华大学 辐射安全与防护培训-辐射探测器(2008-10)讲解》由会员分享，可在线阅读，更多相关《清华大学 辐射安全与防护培训-辐射探测器(2008-10)讲解（43页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、第五节 辐射探测及常用辐射探测器 对于辐射是不能感知的，因此人们必须 借助于辐射探测器辐射探测器探测各种辐射，给出辐 射的类型、强度(数量)、能量及时间等特性 。即对辐射进行测量。 辐射探测器的定义：利用辐射在气体、 液体或固体中引起的电离电离、激发激发效应或 其它物理、化学变化进行辐射探测的器 件称为辐射探测器。 为什么需要辐射探测器？ 射线与物质相互作用的分类 Charged Particulate Radiations Uncharged Radiations Heavy charged particles Neutrons Fast electrons X-rays and rays
2、辐射探测的基本过程： 辐射粒子射入探测器的灵敏体积灵敏体积； 入射粒子通过电离电离、激发激发等效应而在探测器中沉积沉积 能量能量； 探测器通过各种机制将沉积能量沉积能量转换成某种形式的 输出信号输出信号。 对非带电粒子通过次级效应产生次电子或重带电粒子 ,实现能量的沉积。 常用的辐射探测器按探测介质类型及作用机制 主要分为： uu气体探测器气体探测器； u 闪烁探测器闪烁探测器； u 半导体探测器半导体探测器。 气体探测器是以气体为工作介质，由入 射粒子在其中产生的电离效应引起输出电信 号的探测器。由于产生信号的工作机制不同 ，气体电离探测器主要有电离室、正比计数 器、G-M计数器等类型。它们
3、均有各自的特 点以及相应的适用领域。 核辐射引起气体的电离：入射带电粒子 通过气体介质时，使气体分子、原子电离和 激发，并在通过的路径周围生成大量离子对 。 一. 气体探测器 各种气体探测器 电离能电离能WW：带电粒子在气体中产生一电 子离子对所需的平均能量。 对不同的气体， W大约为30eV。 若入射粒子的能量为E0，当其能量全部 损失在气体介质中时，产生的平均离子对平均离子对 数数为： 离子和电子在外加电场中的漂移 离子和电子除了与作热运动的气体分 子碰撞而杂乱运动和因空间分布不均匀造 成的扩散运动外，还有由于外加电场的作 用沿电场方向定向漂移。 这种运动称为“漂移运动”，定向运动 的速度
4、为“漂移速度”。它是形成输出信号 的基本过程。 工作气体： 气体探测器的工作介质为气体，工作 气体充满电离室内部空间； 工作气体有确定的组成，一般为氩气 (Ar ) 加少量多原子分子气体CH4。 气体压力：从10-110大气压。 需要保证气体的成分和压力，所以一 般电离室均需要一个密封外壳将电极系 统包起来。 气体探测器的圆柱型电离室结构 高压极 负载电阻 灵敏体积 输出信号： 分别为极板电容、分布电容和放大器输 入电容。 气体电离探测器主要有电离室、正比 计数器、G-M计数器等类型。 当在两电极上所加电压不同时，就造 成气体探测器的不同工作状态。 随着工作电压的升高，在中央阳极附近 很小的区
5、域内，电场强度足够强，以至电 子在外电场的加速作用下，能发生新的碰 撞电离，我们称之为气体放大或雪崩过程 。 I : 复合区 II : 饱和区 III : 正比区 IV: 有限正比区 V: G-M工作区 VI: 连续放电区 工作区 域 输出信号用途 电离室饱和区计数及测 量入射粒 子能量 正比计数 器 正比区计数及测 量入射粒 子能量 G-M 计数管 G-M工 作区 形成正离子 鞘，与入射 粒子能量无 关。 仅用作计 数 二. 闪烁探测器 利用辐射在某些物质中产生的闪光，产生荧光 光子来探测电离辐射的探测器。 闪烁体 光电倍增管 (打拿极) 反射层 管座 分压器 高压 多道或单道 光阴极 阳极
6、 荧光 光子 光电子 暗盒 窗 前置放大器 闪烁探测器的工作过程： (1) 辐射射入闪烁体使闪烁体原子电离或 激发，受激原子退激而发出波长在可见光 波段的荧光荧光。 (2) 荧光光子被收集到光电倍增管光电倍增管(PMT)的 光阴极光阴极，通过光电效应光电效应打出光电子光电子。 (3) 电子运动并倍增电子运动并倍增，并在阳极阳极输出回路输出回路 输出信号。 闪烁探测器闪烁探测器可用来测量入射粒子入射粒子的能量能量。 (一). 闪烁体闪烁体 1、闪烁体的分类 1) 无机无机闪烁体闪烁体： 玻璃体玻璃体 纯晶体纯晶体 无机晶体无机晶体(掺杂) (锂玻璃) 2) 有机有机闪烁体闪烁体：有机晶体蒽晶体等
7、； 有机液体闪烁体及塑料闪烁体. 3) 气体气体闪烁体闪烁体：Ar、Xe等。 2. 闪烁体的物理特性 1) 发射光谱 特点：发射光谱为连续谱。各种闪烁体都存在 一个最强波长；要注意发射光谱与光电倍增管 光阴极的光谱响应是否匹配。 以NaI(Tl)为例： 对粒子；对粒子 2) 发光效率与光能产额 指闪烁体将所吸收的射线能量转化为光的比例。 发光效率： Eph闪烁体发射光子的总能量； E入射粒子损耗在闪烁体中的能量。 以NaI(Tl)为例 对1MeV的粒子，发射光子平均能量 光能产额： nph为产生的闪烁光子总数。 发光效率与光能产额的关系： 3) 发光衰减时间 受激过程大约 退激过程及闪烁体发光
8、过程按指数规律 对于大多数无机晶体，t时刻单位时间发 射光子数： 为发光衰减时间，即发光强度降为1/e所 需时间。 （二）（二）. . 光电倍增管光电倍增管 1. PMT的结构光电倍增管为电真空器件。 1) PMT的主要部件和工作原理 真空壳 打拿极打拿极阳极 阳极 光电子轨迹 入射光 聚焦电极 半透明光阴极光阴极 2) PMT的类型 (1) 外观的不同 (2) 根据光阴极形式 聚焦型非聚焦型 (3) 根据电子倍增系统 具有较快的响应 时间，用于时间 测量或需要响应 时间快的场合。 电子倍增系数较 大，多用于能谱 测量系统。 直线结构 环状结构 百叶窗结构 盒栅型结构 2. PMT主要性能 1
9、) 光阴极的光谱响应 光阴极受到光照后，发射光电子的概率是 入射光波长的函数，称作“光谱响应”。 PMT增益 打拿极间电子传输效率 阳极灵敏度 阳极电流 2) 光照灵敏度 阴极灵敏度 光阴极的光电子流 光通量 F i S k k = (1)光阴极的热电子发射。 3) PMT 暗电流与噪声 当工作状态下的光电倍增管完全与光辐射隔 绝时，其阳极仍能输出电流(暗电流)及脉冲信 号(噪声)。 (2)残余气体的电离-离子反馈； 残余气体的激发-光子反馈。 (3)工艺-尖端放电及漏电 成因： 4) PMT 的时间特性 飞行时间(渡越时间渡越时间) 一个光电子从光阴极光阴极到达阳极阳极的 平均时间。 渡越时
10、间渡越时间离散离散 到达阳极的每个电子都经历了不不 同的同的倍增过程和飞行距离，反映了 飞行时间飞行时间的涨落涨落，是决定闪烁计数 器分辨时间分辨时间的限制因素。 ：te的分布函数的半宽度 5) PMT 的稳定性 稳定性稳定性是指在恒定辐射源照射下，光电倍增管 的阳极电流随时间的变化。 包含两部分： 短期稳定性，指建立稳定工作状态所需的时间 。一般在开机后预热半小时才开始正式工作。 长期稳定性：在工作达到稳定后，略有下降的 慢变化，与管子的材料、工艺有关，同时与周 围的环境温度有关。长期工作条件下，须采用 “ “稳峰” ”措施。措施。 （三）闪烁探测器的应用 主要用于构成 谱仪 光电 倍增 管
11、 闪烁体 射极 输出 器 线性脉冲 放大器 单道脉冲 幅度分析 器 多道脉冲 幅度分析 器 打印机 自动定标 器 线性率表 高压电 源 示波器 源 图3-1Nal(T1)闪烁谱仪装置示意图 半导体探测器的基本原理是带电粒子在半导 体探测器的灵敏体积内产生电子空穴对，电子 空穴对在外电场的作用下漂移而输出信号。 我们把气体探测器中的电子离子对、闪烁 探测器中被 PMT第一打拿极收集的电子 及半导 体探测器中的电子空穴对统称为探测器的信息 载流子。产生每个信息载流子的平均能量分别为 30eV(气体探测器)，300eV(闪烁探测器)和3eV(半 导体探测器)。 三. 半导体探测器 半导体探测器半导体
12、探测器的特点： (1) 能量分辨率最佳； (2) 射线探测效率较高，可与闪烁探测器 相比。 常用半导体探测器有： (1) P-N结型半导体探测器； (2) 锂漂移型半导体探测器； (3) 高纯锗半导体探测器； (一) 半导体作为探测介质的物理性能 1.平均电离能 （w） SiGe 300K3.62eV 77K3.76eV2.96eV 入射粒子在半导体介质中平均产生一对电子 空穴需要的能量。 半导体中的平均电离能与入射粒子能量无 关。在半导体中消耗能量为E时，产生的载流 子数目N为： 2. 载流子的漂移 由于 电子迁移率n 和 空穴迁移率p 相近，与 气体探测器不同，不存在电子型或空穴型半导体
13、探测器。 对N型半导体，电子的漂移速度为 对P型半导体，空穴的漂移速度为 电场较高时，漂移速度随电场的增加较慢，最 后达到载流子的饱和速度107cm/s。 3. 电阻率与载流子寿命 半导体电阻率： 本征电阻率： 掺杂将大大降低半导体的电阻率，对硅来说掺杂对电 阻率的影响比锗显著得多。当半导体材料被冷却到液氮 温度时将大大提高电阻率。 载流子寿命载流子寿命 -载流子在俘获以前，可在晶体中自由运 动的时间。只有当漂移长度 大于灵敏体积的 长度才能保证载流子的有效收集。对高纯度的Si和Ge 10-3s，决定了Si和Ge为最实用的半导体材料。 高的电阻率高的电阻率和长的载流子寿命长的载流子寿命是组成半
14、 导体探测器的关键。 (二) P-N结半导体探测器 1、P-N结半导体探测器的工作原理 P-N结区(势垒区)的形成： 多数载流子扩散，空间电荷形成内电场并 形成结区结区。结区内存在着势垒，结区又称为 势垒区势垒区。势垒区内为耗尽层耗尽层，无载流子存在无载流子存在 ，实现高电阻率，达 ，远高于本征电 阻率。 n-typep-type - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - + + + + + + + + + + + + + + + 2、P-N结半导体探测器的类型 1) 扩散结(Diffused Junct
15、ion)型探测器 采用扩散工艺高温扩散或离子注入；材 料一般选用P P型高阻硅型高阻硅，电阻率为1000；在 电极引出时一定要保证为欧姆接触，以防止 形成另外的结。 2) 金硅面垒(Surface Barrier)探测器 一般用N型高阻硅型高阻硅，表面蒸金50100g/cm2 氧化形成P型硅，而形成P-N结。工艺成熟、 简单、价廉。 3.应用 重带电粒子能谱测量- 谱仪 1.P-N结的构成 采用高纯度的 P P型型Ge单晶，杂质浓度为 。因为杂质浓度极低，相应的电阻电阻 率很高率很高。空间电荷密度很小，P区的耗尽层厚耗尽层厚 度大度大。 一般半导体材料杂质浓度为1015原子/cm3。 电荷分布 （三）高纯锗半导体探测器 1) P区存在空间电荷，HPGe半导体探测器 是PNPN结结型探测器。 2) P区为非均匀电场非均匀电场。 3) P区为灵敏体积灵敏体积，其厚度与外加电压 有关，一般工作于全耗尽状态全耗尽状态。 4) HPGe半导体探测器可在常温下保存常温下保存， 低温下工作低温下工作。 2.高纯锗半导体探测器特点 10.8mm不锈钢丝；2 玻璃钢支柱；3活性 炭；4内胆；5镀铝 涤纶薄膜；6真空室外 套；7多孔套管；8 活性炭；9
