陶瓷基复合材料讲述

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1、C/SiC陶瓷基复合材料 l 陶瓷基复合材料是以陶瓷为基体与各 种纤维复合的一类复合材料。陶瓷基体可 为氮化硅、碳化硅等高温结构陶瓷。这些 先进陶瓷具有耐高温、高强度和刚度、相 对重量较轻、抗腐蚀等优异性能,而其致 命的弱点是具有脆性,处于应力状态时, 会产生裂纹,甚至断裂导致材料失效。 l l 而采用高强度、高弹性的纤维与基体复 合,则是提高陶瓷韧性和可靠性的一个有 效的方法。纤维能阻止裂纹的扩展,从而 得到有优良韧性的纤维增强陶瓷基复合材 料。今天我们主要介绍的是 C/SiC陶瓷基复 合材料。 l 炭/陶复合材料是由碳纤维、陶瓷纤维及其织 物作为增强相,炭、陶瓷作为基体相的一类复合 材料的

2、总称。相比炭/炭复合材料而言,炭/陶复合 材料具有更好的抗氧化性。C/SiC陶瓷基复合材料 具有耐高温、低密度、高强度、高热导率、高耐 磨性、高阻尼系数、热辐射系数、性能可设计性 强等优点。 l l1、韧性好 l C/SiC陶瓷基复合材料具有类似金属的 断裂行为,同时它对裂纹不敏感,经高能 冲击后不会发生灾难性破坏。 l2、耐高温 l C/SiC陶瓷基复合材料与传统材料相比 具有更耐高温的特点,可在1650oC以下长 时间使用,在1650-2200oC有限寿命使用 。 l3、低密度 l C/SiC陶瓷基复合材料的密度基本在 2.0g/cm3,与高温合金8.0g/cm3的密度相 比具有较大的优势

3、,在航空航天领域应用 时可使结构减重1/2-2/3。 l4、性能可设计性强 l 通过采用不同的纤维预制体编织方式, 可以实现材料性能的预先设计,在满足性 能要求的前提下达到节约成本的目的。 1、在刹车系统中的应用 lC/SiC制动材料具有低成本、环境适应性强 (如湿态下摩擦系数不衰减)等优势,因 而成为新一代高性能制动材料,从而引起 广大研究者的重视。目前德国研究人员以 研制出C/C-SiC刹车片,并应用于Porsche (保时捷)轿车刹车系统中。 C/SiC陶瓷基复合材料的应用领域 2、在高温连接件中的应用 l 连续纤维增强陶瓷基复合材料用于热结 构材料的机械连接已取得相当程度的进展 。在欧

4、洲的一项发展计划中,热结构材料 的先进连接技术已经发展得非常成熟,用 C/SiC热结构材料连接,能够防止超音速气 流干扰,且能够在高温下密封、模拟测试 结果证明连接件可以适用于实际高温环境 ,并能满足必要的飞行标准。 3、在热防护系统中的应用 l 在航空航天领域,当飞行器进入大气层 后,由于摩擦产生的大量热量,导致飞行 器受到严重的烧蚀,为了减小飞行器的这种 烧蚀,需要一个有效的防热体系。如航天飞 机和导弹的鼻锥、导翼、机翼和盖板等。 纤维增强陶瓷基复合材料是制作抗烧蚀表 面隔热板的较佳候选材料之一。 l 目前,欧洲正集中研究载人飞船及可重 复使用的飞行器的可简单装配的热结构及 热保护材料,

5、C/SiC复合材料是其研究的一 个重要材料体系,并已达到很高的生产水 平。波音公司通过测试热保护系统大平板 隔热装置,也证实了C/SiC 复合材料具有优 异的热机械疲劳特性 C/SiC陶瓷基复合材料制备工艺 lC/SiC和C/C-SiC陶瓷基复合材料的制备工 艺的关键是:纤维损伤小;纤维/基体界面 结合强度适中;克服基体致密化过程中的“ 瓶颈效应”;制备成本低。 l制备C/SiC和C/C-SiC陶瓷基复合材料的基 备工艺主要有:先驱体浸渍裂解法(PIP) 、化学气相渗透法( CVI)、液相渗硅法 (LSI)及综合工艺。 1、先驱体浸渍裂解法 l 先驱体浸渍裂解法又成为液态聚合物浸 渍法(PIP

6、),在一定温度和压力下,采用 有机先驱体溶液或熔融体浸渍碳纤维预制 体,交联固化后在惰性气氛中进行高温裂 解,使先驱体转化为SiC陶瓷基体。制备 C/SiC和C/C-SiC陶瓷基复合材料使用的聚 合物先驱体通常为聚碳硅烷(PCS)。 lPIP法的优点是:(1)先驱体分子可设计 ,可制备成分均匀的基体;(2)制备温度 低,设备要求简单;(3)可无压烧结,对 纤维的化学和机械损伤较小;(4)可制备 大型复杂形状的构件。 2、化学气相渗透法 l 化学气相渗透法首先将碳纤维预制体置 于CVI炉中,制备热解炭涂层,在通过CVI 或者前驱体浸渍/炭化工艺制备低密度C/C 坯体,然后用CVI工艺,以三氯甲基

7、硅烷( CH3SiCl3,MTS)作为SiC气源,以H2和 Ar作为还原气体和载气,在碳纤维预制体 的表面和内部发生原位化学反应沉积生成 SiC基体,从而得到C/SiC和C/C-SiC陶瓷基 复合材料。 CVI工艺制备C/SiC和C/C-SiC陶瓷基复合 材料的主要优点:( l(1)可在较低温度下制备SiC基体,避免 高温使纤维与基体发生化学反应,从而对 纤维造成损伤; l(2)制备过程中能保持预制体结构的完整 性,实现近净成型制备异型C/SiC和C/C- SiC陶瓷基复合材料; l(3)可对C/SiC和C/C-SiC陶瓷基复合材料 的成分进行设计;(4)制备的材料的基体 组织均匀、纯度较高。 3、液相渗硅法 l 液相渗硅法的基本过程为:首先采用CVI或液 相浸渍/炭化工艺得到低密度的C/C复合材料;然 后采用熔融Si在真空下通过毛细作用进行浸渗处 理,使Si熔体与C基体反应生成SiC基体。 lLSI法优点是:(1)制备周期短、成本低、残余 孔隙率低;(2)实现近净成型制备复杂形状的 C/SiC和C/C-SiC陶瓷基复合材料。 l

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