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1、Array制程与检测介绍 上海天马微电子有限公司 TFT-LCDTFT-LCD简介简介 1.何谓TFT-LCD： TFTThin Film Transistor 薄膜晶体管 LCDLiquid Crystal Display 液晶显示器 2.应用：由于TFT-LCD具有体积小、重量轻 、低辐射、低耗电量、全彩化等优点 ，故已广泛使用于各类显示器材上 數碼相機數碼攝錄影機 汽車導航顯示器 數碼影音光碟機 筆記型電腦 桌上型顯示器 液晶電視 厂商地区尺寸 投产日期 2002200320042005设计产 能 LG.Philips LCD 韩国龟尾第5代 1000X12001季度 6万/月 韩国龟尾
2、第5代 1100X12501季度6万/月 韩国龟尾第6代 1500X18504季度9万/月 三星电子 韩国天安第5代 1100X12504季度 10万/月 韩国天安第5代 1100X13004季度10万/月 韩国牙山第7代 1870X22001季度7万/月 友达光电台湾龙潭第5代 1100X12502季度5万/月 台湾龙潭第5代 1100X13002季度7万/月 奇美电子台湾台南第5代 1100X13001季度6万/月 中华映管中国台湾第4.5代 730X9202季度7万/月 瀚宇彩晶台湾台南第5代 1200X13001季度6万/月 广辉电子台湾桃园第5代 1100X13002季度6万/月 群
3、创光电中国台湾第5代 1100X12502季度3.5万/月 夏普日本第6代 1500X18001季度4.5万/月 日本第6代 1500X18002季度1.5万/月 京东方中国北京第5代 1100X12501季度6万/月 上广电-NEC中国上海第5代 1100X13004季度4.5万/月 上天马中国上海第4.5代 730X9202007.3季度3万/月 解析度:顯示器上水平方向、垂直方向畫素(pixel)之數目 Cell工程Module工程 信号基板 驱动IC Panel BLU LCD Module 连接电路 保护板 検 査 装配 绑定 LCD Panel 液晶滴下 真空贴合 切割 CF TF
4、T基板 TFT工程 成膜 膜 Glass基板 PR 塗布 曝光 Mask 現像 刻蚀 剥離 TFT基板 重复 Glass基板 Photo Process Resist Coating Spin coating Slit (extrusion) coating 薄膜生长制程 PVD 利用特定的溶液与薄膜间所进行的化学反应湿刻 将显影后所产生的光阻图案转印到光阻下的材质上 ，形成由光刻技术定义的图形. 刻蚀 利用等离子体电浆去除薄膜未被光阻覆盖的部分干刻 Etching type Substrate Chemical Isotropic Plasma Isotropic+Anisotropic W
5、et etchDry etch PRPR 膜膜 基板基板 PR 膜 基板 IsotropicAnisotropic Etchant 等方向浸 入造成 Side Etch Etching type selection PEP 1 Mo/AlNd wet etch PEP 2 SiNx /-Si/ n+-Si dry etch PEP 3 Mo/Al/Mo;-Si/ n+-Si wet/dry etch PEP 4 SiNx dry etch PEP 5 ITO wet etch 干刻用气体 反应方程：Cl2+SF6+SiSiF4+SiS2+其他 Cl2：Cl元素的供给源，刻蚀a-Si的主要气体。
6、 SF6：F元素的供给源，用来与a-Si发生反应，提高刻蚀速率 。 1.a-Si的刻蚀 反应方程：SF6+HeSiN SiF4+SiS2 +其他 SF6：F元素的供给源。 He：使等离子体均一化 2.SiN的刻蚀 3.PR灰化（Ashing） 反应方程：PR+O2 O2：利用等离子体方法去除PR O2：有利于形成Taper角 湿刻 M1：Mo/AlNd M2：Mo/Al/Mo ITO 草酸（H2C2O4） HNO3+CH3COOH +H3PO4 Etching mode Spray 喷淋 Spray+Dip Dip 浸入 Good taper shapeFaster Etching rate
7、Step 1：SprayStep 2：Dip AOI 2160mm 2400mm 3GB44unit=132GB The CCD sensor detect the substrate, Image by the process unit. Defect can be reviewed precisely AOI Auto optical inspection TEG prober and Tester Array laser repair After StriperAfter laser repair Inlayer repair(PEP1) Data from AOI Example: M
8、etal Al/ND:532nm Defect type Repair method Metal residueMetal residue GC short 用Block laser 将残留metal 打掉 用Block laser 将残留metal打掉 Metal residue 用Block laser 将残留 metal打掉 波长选择532nm 技术名称 优 点 缺 点 半反射半透射技术 （Transflective） 省电、室外显示效果好制程复杂、良率降低 多畴垂直取向/电极图形垂直 取向技术 (MVA/PVA) 视角广、对比度高、响应时间 短、不需要 摩擦制程 制程复杂、良率降低 平面内转换技术 (IPS)视角广、低色移 制程复杂、良率降低、透过 率低、耗电量高 光学补偿弯曲排列技术 （OCB） 响应速度快（包括低温情况）、视角广 制程复杂、良率降低、需要 预置电压 有机膜高开口率技术 （HAR） 开口率高、透过率高 制程复杂、良率降低、增加 材料成本 非晶硅栅驱动 器与有源矩阵 显示集成技术 （ASG） 成本更低、结构更紧凑、机械可靠性更高 发热量高 4掩模版技术 （4 MASK） 产量提高、成本降低 良率降低 异形panel满足产品个性化需求 制程复杂 新型显示技术新型显示技术
