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1、电子原器件的基础知识培训教材1、电阻器：指电荷在电场的作用下流过导体时，所受到的阻力，称为电阻。用字母“R”表示。RT表示半导体碳膜，RJ表示金属膜，RX表示线绕。RY表示金属氧化膜。1.1 电阻的分类1.1.1 按功能可分为普通电阻和特种电阻。1.1.1.1普通电阻：碳膜电阻、金属膜电阻、合成膜电阻等。1.1.1.2特种电阻：压敏电阻、光敏电阻、热敏电阻、磁敏电阻等。1.1.2 按阻值分类1.1.2.1固定电阻表示方法：R符号1.1.2.2可变电阻表示方法：VR（或W）符号1.2 电阻的阻值1.2.1 电阻的单位： 欧姆1.2.2 单位换算：1M10K106 1G1000M 1M1000K
2、1K1000（）1.2.3 电阻值的表示方法直标法和色标法（常用）1.2.3.1 直标法：在电阻上直接写上该电阻的阻值。如：1K5颜色符号黑棕红橙黄绿蓝紫灰白金银本身颜色A第一位123456789B第二位0123456789C倍乘数10010110210310410510610710810910-110-2C误差1%2%0.50.250.15%10%20%1.2.3.2 色标法：用色环表示该电阻的阻值和误差值。常用的方法见下表：1.2.3.3 四色环标法如： A B C D黄 紫 棕 金4 7 101 5% 4705%1.2.3.4 五色环标法如： A B C D E 黄 紫 棕 棕 棕4 7
3、 1 101 1% 即47101%1.3 贴片电阻1.3.1 单位换算(单位)以数值表示第一、第二位为有效值；第三位倍剩数（即加零的个数）.例如：R00=0 010=1 4R7=4.7 100=10 101=100 102=1K 103=10K 104=100K 105=1M 106=10M误差：F=1%、G=2%、J=5%、K=10%1.3.2 贴片电阻的命名方法：以肇庆丰华产品为例说明：RC05 K 391 J T 表示编带包装（B表示散装）表示误差 5% 表示电阻值 390表示温度系数 K100ppm / (L250ppm / ) 表示尺寸规格0.805(长2.0mm,宽1.25mm)
4、表示产品代号(片状电阻)1.4 贴片电阻规格尺寸见下表:型号功率（W）耐压（V）L长度（mm）W宽度（mm）H高度（mm)0402(Rc02)1/1650V1.00.10.50.050.30.050603(Rc03)1/16501.60.010.850.100.30.150805(Rc05)1/101502.00.101.250.100.350.201206(Rc06)1/82003.050.101.550.100.55+0.10 0.55-0.051210(Rc12)1/42003.050.102.550.100.550.102010(Rc20)1/22005.000.202.500.200
5、.550.102512(Rc25)3/42006.300.23.200.200.550.101.5 电阻在电路中的连接方法：串连、并联、1.5.1 串联：电阻首尾依次连接，起分压作用 R总=R1+R2+R3+Rn1R1R11R21R3R1R2R1+ R21.5.2 并联：电阻首尾分别在一起,起分流作用 并联计算 R总 3个以上并联 + + + 1.6 电阻的功率：电流通过电阻时，电阻要耗散功率并散发出热量，若电流过大，电阻就会过烫而烧焦断路失去作用，所以每个电阻都有一个耐热功率（即称标功率），常用的有1W、1/2W、1/4W、1/6W、1/8W。在电路板上，体积允许时一般功率大的电阻可以替代功
6、率小的电阻，但功率小的电阻不可以替用功率大的电阻：公式：P=UI=I2R（I为额定电流）。1.7 检验方法按IQC作业指导书QC-03-01-69培训。2、 电容器 主要作用：耦合、傍路、滤波、隔直流、通交流、调谐、振荡等。2.1 电容的符号:(瓷片电容)、 （电解电容）、 （可变电容）、 （半可变电容）2.2 电容用C表示；CD表示电解、CC表示瓷片、CL表示绦纶、CT4表示独石。2.3 电容分类2.3.1 按材料及特性可分为：电解电容、瓷片电容、涤纶电容、金属膜电容、SMD贴片电容。2.3.2 按容量值分为：可变电容、半可变电容、不可变电容。2.4 单位：F（法位） 1F=103mF=10
7、6uF=109nF=1012pF、1uF=105、0.1uF=104、10nF=103、1n=102。2.5 电容量的表示方法：2.5.1 直标法 如4n7=4.7nF 003=0.033nF 200=200pF 2.5.2 数码标注法：前两位数字表示有效数值,第三位为倍乘数,最后一位字母表示误差。 例如：472=47102pF=4700pF 102=1000pF473J即47103pF5% 误差字母表示：F=1% G=2% J=5% K=10% M=20% Q=-10%+30% T=-10%+50% Z=-20%+80% B=0.1 C=0.25 D=0.52.6 电容的参数2.6.1 耐压
8、值及温度系数：电容器在长期使用时所能承受的电压。用字母表示：2Z=100V 2E=250V 2G=400V 2J=630V 3A=1000V 2D=200V 2B=125V 2C=160V2.6.2 绝缘电阻及损耗值：电容两脚间的直流电阻。2.6.3 标称电容量及误差：常用的电容误差值一般为5%、10%、20%。2.7 瓷片电容绝缘电阻：CR25nF IR CR10S即IR =10/CR 例104/50V IR=10/0.1=100M CR100V） IO=0.021050=10uA 例：3.3u/160V IO=0.023.3160+20=0.066160+20=10.56+20=30.56
9、 uA2.9 检验方法,按IQC作业指导书,偏号QC-03-01-07-A(电解)；QC-03-01-04-A（绦纶）；QC-03-01-22-A（瓷片）培训。3. 三极管3.1 概念：由三块半导体、二个PN结组成，并具有一定放大能力的半导体器件。3.2 晶体三极管的三个极分别为：发射极、基极、集电极、分别用E、B、C表示。3.3 位于发射极一方的PN结,称为发射结,位于集电极一方的PN结称为集电结。3.4 分类：A、由三极管各个电极和材料构成，可分为PNP管和NPN管。c B、由功能用途可分为：低频放大管、功放管、开关管、高频放大管等。ebebc符号：PNP: NPN: d漏极+ d漏极 P
10、沟道 S 源极g+ 栅极N沟道 S 源极g- 场效应管：3.5 三极管用字母T表示(英文Triode),型号直接标示在管体上,不同型号具有不同用途。低频小功率管是通过改变基极电流、控制集电极电流放大倍数的。场效应管是电压放大器件。3.6 三极管管脚判别:一般三极管管脚呈等腰三角形，顶点为基极，底边两点左右依次为发射极和集电极。贴片三极管从左至右极性一般为E 、B、C。3.7 三极管发射极、基极、集电极的电流关系：IC=Ib IE=Ib+IC=（I+）Ib3.8 三极管的主要参数3.8.1直流放大倍数()：指无交流信号输入时，集电极电流与基极电流的比值。=IC/Ib。3.8.2集电极反向载止电流
11、(ICBO):指发射极开路时,集电极电流与基极直流电流的比值。3.8.3 集电集、发射极反向电流（ICEO穿透电流）：指基极开路时，集电极与发射极间加上规定的反向电压时，集电极的漏电流。ICEO=（1+）ICBO。3.8.4 特征频率(fT)一共发射极放大倍数随信号频率升高而下降，频率越高下降越严重，fT是值下降到1时的频值，此时管子已失去了放大能力（一般高频电路要比实际使用频率高三倍的管子）。3.8.5集电极最大允许电流(Icm)：当集电极电流超过一定值时，电流放大倍数会下降，当值下降到2/3或1/2时，集电极的电流为最大允许电流。3.8.6 集电极、发射极反向击穿电压（Bvceo）:基极开
12、路时，集电极与发 射极间允许加的最高电压为Vceo。超过Vceo会造成反向击穿，管子短路损坏。3.9检验方法按IQC作业指导书,编号QC-03-01-17-A培训.4 二极管的基础知识4.1二极管结构:是由半导体材料硅或锗做成的,故称为晶体二极管或半导体二极管4.2二极管分类: A、按材料分：有锗二极管（正向电压0.3V），硅二极管（正向电压0.7V）二种。砷化镓二极管（发光二极管、正向电压1.5-3V）。双基极发光B、按用途分：检波、整流、稳压、开关、变容、发光。变容稳压普通号：4.3 作用:4.3.1 整流二极管:主要用于整流电路中。它是利用PN结的单向导电性把交流电转交成脉冲直流电的。其制作工艺一般为面接触型，因此其结电容较大，使用频率范围较
