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1、技术 QQ：917603226 电调常见的烧毁问题，可通过更换烧坏的管来解决，如未买到 相应电流的，可用更多大额定电流的代替。注意，焊接管应防注意，焊接管应防 止静电。止静电。 TO-220 TO-252 TO-3 技术 QQ：917603226 附 SO-8（贴片脚）封装管 IRF7805Z 的引脚图。 上图中有小圆点的为脚 注：下表按电流降序排列（如有未列出的，可回帖，我尽量补充） 封装形式极性型号电流(A) 耐压(V) 导通电阻 (m) SO-8N 型SI433622304.2 SO-8N 型IRF783121303.6 SO-8N 型IRF783220304 技术 QQ：9176032
2、26 SO-8N 型IRF78221830 SO-8N 型IRF783617305.7 SO-8N 型IRF811317305.6 SO-8N 型SI440417308 SO-8N 型FDS668816306 SO-8N 型IRF7805Z16306.8 SO-8N 型IRF747714308.5 SO-8N 型IRF872114308.5 SO-8N 型IRF78051330 SO-8N 型IRF7805Q133011 SO-8N 型IRF7413123018 SO-8N 型TPC800312306 SO-8N 型IRF7477113020 SO-8N 型IRF7811113012 SO-8
3、N 型IRF7466103015 SO-8N 型SI4410103014 SO-8N 型SI4420103010 SO-8N 型A27009307.3 SO-8N 型IRF78078.330 SO-8N 型SI48127.33028 SO-8N 型SI94106.93050 SO-8N 型IRF731363029 SO-8P 型SI440517307.5 SO-8P 型STM4439A143018 SO-8P 型FDS667913309 SO-8P 型SI441113308 SO-8P 型SI446312.32016 SO-8P 型SI44071230 SO-8P 型IRF7424113013
4、.5 SO-8P 型IRF7416103020 SO-8P 型IRF7416Q103020 SO-8P 型SI442593019 SO-8P 型IRF74248.83022 SO-8P 型SI443583020 SO-8P 型SI4435DY83020 SO-8P 型A271673011.3 SO-8P 型IRF74065.83045 SO-8P 型SI94355.33050 SO-8P 型IRF72054.63070 TO-252N 型FDD668884305 TO-3N 型IRF1504010055 TO-220N 型IRF3703210302.8 技术 QQ：917603226 MOS
5、管应用电路设计 本文来自: DZ3W.COM 原文网址： MOS 管最显著的特性是开关特性好， 所以被广泛应用在需要电子开关的电路中， 常见的如开关电源和马达驱动， 也有照明调光。 现在的 MOS 驱动，有几个特别的需求， 1，低压应用 当使用 5V 电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的 be 有 0.7V 左右的压降，导致实际最终加在 gate 上的电压只有 4.3V。这时候，我们选用标称 gate 电压 4.5V 的 MOS 管就存在一定的风险。 同样的问题也发生在使用 3V 或者其他低压电源的场合 本文来自: DZ3W.COM 原文网址： 2，宽电压应用 输入电压并不是一个
6、固定值，它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致 PWM 电路提供给 MOS 管的驱 动电压是不稳定的。 为了让 MOS 管在高 gate 电压下安全，很多 MOS 管内置了稳压管强行限制 gate 电压的幅值。在这种情况下，当 提供的驱动电压超过稳压管的电压，就会引起较大的静态功耗。 同时，如果简单的用电阻分压的原理降低 gate 电压，就会出现输入电压比较高的时候，MOS 管工作良好，而输 入电压降低的时候 gate 电压不足，引起导通不够彻底，从而增加功耗。 3，双电压应用 在一些控制电路中，逻辑部分使用典型的 5V 或者 3.3V 数字电压，而功率部分使用 12V 甚至更高的电压。
7、两个 电压采用共地方式连接。 TO-220N 型IRL3803140306 TO-220N 型IRF1405131555.3 TO-220N 型IRF3205110558 TO-220N 型BUZ111S80558 TO-220N 型05N0575509.5 TO-220N 型IRF280475402 TO-220N 型60N06606014 TO-220N 型50N03L282521 TO-220N 型BTS12019100100 TO-220N 型BTS11010100200 TO-220N 型06N605.5600750 技术 QQ：917603226 这就提出一个要求，需要使用一个电路
8、，让低压侧能够有效的控制高压侧的 MOS 管，同时高压侧的 MOS 管也 同样会面对 1 和 2 中提到的问题。 在这三种情况下，图腾柱结构无法满足输出要求，而很多现成的 MOS 驱动 IC，似乎也没有包含 gate 电压限制 的结构。 于是我设计了一个相对通用的电路来满足这三种需求。 电路图如下： 图 1 用于 NMOS 的驱动电路 技术 QQ：917603226 图 2 用于 PMOS 的驱动电路 这里我只针对 NMOS 驱动电路做一个简单分析： Vl 和 Vh 分别是低端和高端的电源，两个电压可以是相同的，但是 Vl 不应该超过 Vh。 Q1 和 Q2 组成了一个反置的图腾柱，用来实现隔
9、离，同时确保两只驱动管 Q3 和 Q4 不会同时导通。 R2 和 R3 提供了 PWM 电压基准，通过改变这个基准，可以让电路工作在 PWM 信号波形比较陡直的位置。 Q3 和 Q4 用来提供驱动电流，由于导通的时候，Q3 和 Q4 相对 Vh 和 GND 最低都只有一个 Vce 的压降，这个 压降通常只有 0.3V 左右，大大低于 0.7V 的 Vce。 R5 和 R6 是反馈电阻，用于对 gate 电压进行采样，采样后的电压通过 Q5 对 Q1 和 Q2 的基极产生一个强烈的负 反馈，从而把 gate 电压限制在一个有限的数值。这个数值可以通过 R5 和 R6 来调节。 最后，R1 提供了
10、对 Q3 和 Q4 的基极电流限制，R4 提供了对 MOS 管的 gate 电流限制，也就是 Q3 和 Q4 的 Ice 的限制。必要的时候可以在 R4 上面并联加速电容。 这个电路提供了如下的特性： 1，用低端电压和 PWM 驱动高端 MOS 管。 2，用小幅度的 PWM 信号驱动高 gate 电压需求的 MOS 管。 3，gate 电压的峰值限制 技术 QQ：917603226 4，输入和输出的电流限制 5，通过使用合适的电阻，可以达到很低的功耗。 6，PWM 信号反相。NMOS 并不需要这个特性，可以通过前置一个反相器来解决。 在设计便携式设备和无线产品时，提高产品性能、延长电池工作时间
11、是设计人员需要面对的两个问题。DC- DC 转换器具有效率高、输出电流大、静态电流小等优点，非常适用于为便携式设备供电。目前 DC- DC 转换器设计技术发 展主要趋势有： （1）高频化技术：随着开关频率的提高，开关变换器的体积也随之减小，功率密度也得到大幅提升， 动态响应得到改善。小功率 DC- DC 转换器的开关频率将上升到兆赫级。 （2）低输出电压技术：随着半导体制造技术的 不断发展，微处理器和便携式电子设备的工作电压越来越低，这就要求未来的 DC- DC 变换器能够提供低输出电压以适 应微处理器和便携式电子设备的要求。 这些技术的发展对电源芯片电路的设计提出了更高的要求。首先，随着开关
12、频率的不断提高，对于开关元件的 性能提出了很高的要求，同时必须具有相应的开关元件驱动电路以保证开关元件在高达兆赫级的开关频率下正常工作。 其次，对于电池供电的便携式电子设备来说，电路的工作电压低（以锂电池为例，工作电压 2.53.6V） ，因此，电源 芯片的工作电压较低。 MOS 管具有很低的导通电阻， 消耗能量较低， 在目前流行的高效 DCDC 芯片中多采用 MOS 管作为功率开关。 但是由于 MOS 管的寄生电容大， 一般情况下 NMOS 开关管的栅极电容高达几十皮法。 这对于设计高工作频率 DCDC 转换器开关管驱动电路的设计提出了更高的要求。 在低电压 ULSI 设计中有多种 CMOS
13、、BiCMOS 采用自举升压结构的逻辑电路和作为大容性负载的驱动电路。 这些电路能够在低于 1V 电压供电条件下正常工作，并且能够在负载电容 12pF 的条件下工作频率能够达到几十兆甚 至上百兆赫兹。本文正是采用了自举升压电路，设计了一种具有大负载电容驱动能力的，适合于低电压、高开关频率 升压型 DCDC 转换器的驱动电路。电路基于 Samsung AHP615 BiCMOS 工艺设计并经过 Hspice 仿真验证，在供电电 压 1.5V ，负载电容为 60pF 时，工作频率能够达到 5MHz 以上。 本文来自: DZ3W.COM 原文网址： .1作用作用 1、场效应管可应用于放大。由于场效应
14、管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必 使用电解电容器。 2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。 3、场效应管可以用作可变电阻。 4、场效应管可以方便地用作恒流源。 5、场效应管可以用作电子开关。 2常用场效应管的脚位图 1使用注意事项使用注意事项 技术 QQ：917603226 对于 P 沟道 mos 管，VDS = -6 V, VGS = -4.5 V， ID = - 2.8 A 也就是栅极低于源极电压时开始导通。 相反对于 N 沟道 mos 管，VDS = 6 V, VGS = 4.5 V， ID=2.8 A 也就是栅极高于源极
15、电压时开始导通。 容易出现的错误容易出现的错误 大家注意到无论是大家注意到无论是 N 还是还是 P mos 管在管在 D- - - S 之间都有二极管，此二极管起保护作用。之间都有二极管，此二极管起保护作用。 型 号 材料 管脚 用 途 参 数 3DJ6NJ 低频放大 20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS 开 关 600V11A150W0.36 2SJ117 PMOS GDS 音频功放功放开关 400V2A40W 2SJ118 PMOS GDS 高速功放功放开关 140V8A100W50/70nS0.5 2SJ122 PMOS GDS 高速功放功放开关
16、60V10A50W60/100nS0.15 2SJ136 PMOS GDS 高速功放功放开关 60V12A40W 70/165nS0.3 2SJ143 PMOS GDS 功放功放开关 60V16A35W90/180nS0.035 2SJ172 PMOS GDS 激 励 60V10A40W73/275nS0.18 2SJ175 PMOS GDS 激 励 60V10A25W73/275nS0.18 2SJ177 PMOS GDS 激 励 60V20A35W140/580nS0.085 2SJ201 PMOS n 2SJ306 PMOS GDS 激 励 60V14A40W30/120nS0.12 2SJ312 PMOS GDS 激 励 60
