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1、第十明肺 日糍R 忐光学# m 学术研讨台f0 P c M2 0 0 8 ) * 女 是根大的，在可见光与絷外光光谱区削变化咒为叫显。闶此，对晶体的有效非线性系数的甜算必须考虑 到入射光被长变化带来的影响，从而得到精确的计算结果。 参考文献 l 石顺祥，陈国夫，赵卫等，非线性光学，西安；西安电子科技大学出版社，2 0 0 3 2 王奎罐非线性光学北京国防工业出版衬_ 1 9 9 8 3A b s 0 1 u k T 蚴to fs e c 蛐抽日e rn o n I 娜叩“ c a l c a l c l bo f b B a B 2 0 4 f v 吼M c I m v 日I c I c 叩d
2、 蛐0 n v e I o n g l h s ，I d I j S h q i ，Jo p IS 0 cA n LB ，v o 6 ，N o4 ，A p m l 9 蛆 4M e a s u c o m t n 8o fs o n 如r d e rn o n I o p t K dc o c 衔q 瓤Bf mn ”5 p c c 啪Ih g h c n 螂0 fp a ”! c n u o r e s c e 眦，ECc h g K 酬K 讪，0 P T I c S L E T 丁E R S ，v o l1 9 ，N o3 ，F c b l ，】9 9 4 双硫代核修饰卟啉非线性吸收的光频特
3、一l 生研究 刘智波。张冰。，策岩2 。口建国。，郏健禺2 1 ) 弱光非线性光干学教育部重点实验室，南开戈擘，天津3 0 0 4 5 7 2 ) 元素有机化学固莩重点妾验室南开大学，走津，3 0 0 0 7 l 卟琳是有着优良光学非线性性能的材料，在分于结构的变匕r 有着丰富的可裁性除了对于卟啉大 环边缘的修饰另外一种改变卧啉结构的方法就是对于卟啉核内的调整这其中包括诸如使用O 、s e 、s 等杂原子对于卧啉桉上的N 原子进行驶代。对卟啭的核内恬饰可以更有效的改变卟啉的电子结构过去 的一些年 们已经通过棱取代合成出了很多具有新型性质的卟啉，核取代己经逐新成为卧琳研究领域的 热点。一般由四个
4、吡咯构成的卟啉环音有1 8 个z 电子，而通过核修饰扩展的卟啉叫以有更多的- 电 子，直接导致材料非线性的变化目前人们已经合成出具有2 6 、3 0 、3 4 个E 电子的棱扩晨卟啉q 。 相对于卟啉合成快速发展校修饰叶啉的非线性性质的报道则非常的少，特别是在一个较宽的波长 段范嗣内进行核修饰卟啉的光频特性研究还朱见报遭我们选择了三种结构娄1 1 ；【的核修饰卟啉进行了非 缝性吸收的研究。国l 给出了3 种取硫代援修饰卧咻( D s p ) ，分别为5 ，I m 二对甲基苯基1 5 2 m 二苯基 2 l ，2 3 一双硫代卟啉( D s P l ) 、5 I 孓二对甲基苯基1 0 ，2 0
5、二苯基0 1 ，2 3 - 双硫代叶啉( D s p 2 ) 和5 ，1 5 二对硝基苯 基1 啦= 苯基0 l 。2 3 艘硫代卟啉( D s P 3 】。这三种棱修饰卧啉的特点在于它们m 啪位的取代基具有不同 的拉电子能力其拉电子能力从强到弱为：硝基( D s P 3 ) ) 甲基( D s P l 、D s P 芍。三种样品之中D s P I 是非 对称结构，D s P 2 和D S P 3 是对称结构溶剂均为氯仿溶剂。 o6 箩 a 扣扣 宅 电，皂 佻 。“ H” m r ， 国1D s P l 、D s P 2 、D s P 3 分子结构网 实验中研究波长主要集中在5 0 0 【l
6、 m 到5 8 0 n m ，以1 嘶的波长间隔，一共在9 个波长下进行了z 扫 描实验【3 。图2 培出了D s P 2 在5 岫- 5 8 0 n m 的z 扫描数据和拟舍结果( a ) 和D s P l 、D s P 2 、 D s ”的z 扫描曲线峰值随玻长的变化f b l 。D s P 2 在所研究的波长段内有比D s P l 有着更大的反饱和 特性这说明同样在s 取代按修饰卟啉中村料的对称性也是影响光学非线性吸收的重要因素之一。对 于D s P 2 在远离了Q 吸收带的5 4 0 n m 到5 8 0 m n 处，对称取代基结构带来的反饱和吸收能力的提高就显 而易见了。在s 3 0
7、 n m 到5 8 D n m 的宽波长段范蔺这两种s 取代核修饰的卧啉衍生物都有反饱和吸收特 镕H B 目猎& 出￥“ m $ “ H 0 ( 0 P c M2 0 0 8 ) * Z 性，可虬庸用于宽带的光 制器的麻用。通过分剐对比s 4 0 n m 到5 8 0 1 l I T l 内两种样品的反饱和吸收能力， 我们可以从罔中清楚地香卅+ 划韵、取代基结构的馋修饰卟啉D s P 2 有着比非对稚取代基结构的D s P l 更强 的反饱卑峨收能力。 圈2 ( a ) D s P 2 存5 0 0 n m 5 8 0 n m 的z 扫描数据和拟台结果， ( b ) D s P l 、D s
8、P 2 、D s ”的z 扫描曲线峰值随波长的变化。 接F 来，我们引八了第三种材料，目的是在反饱和吸收更 的对称材抖中比较一F 不l 目取代基对材 料性质的影响。从图l ( b ) 中我们可咀直观的看到，它们两青的比较结果并不同于D s P l 和D s P 2 我们注 意到枉Q 带吸收峰l 的前后，D s P 3 的反饱和吸收程度鞍D s P 2 有r 不目的变化。红吸收峰I 前的 5 0 0 岫，D s P 3 的反饱和吸收程度足小于D s P 2 的( 以，以= 20 4 和仉矾= 28 7 ) 。I 在吸收峰I 之后的 波K 段一直到吸收峰I I ，D s P 3 的反饱和吸收程度和
9、D s P 2 几乎相同，这从图l ( b ) 巾的曲线几乎重台就可 清楚的看到。f 在吸收峰I I 后的波长5 7 0 衄和5 8 0 D s P 3 则表现出很强的反饱和吸收，明址强于 D s P 2 。这种增强可咀解释为硝墓更强的吸电子能力导致三重卷吸收截面的增加从而提高材料反饱和吸收 的能力，另外需要j 主意的是甲基取代的材料D s P 2 在长波长处有着更大的基态吸收截面，这也刈能是其 光学非线性吸收能力减弱的影响因素之一。 通过以上的分析我们得到结论作为s 替代核修饰的卟啉衍生物，具有对称性的D s P 2 光学非线性 吸收性能较非对称性的卧啉材料D s P l 在0 带吸收峰I
10、之后的渡长段有更大的反饱和吸收能力：而同样是 对称性的村料，硝基取代的卟啉D s P 3 更有利于应用于5 3 0 n m 5 8 0 n m 范围内的光限制器材的应用。 参考文献 1 0 I l p 诅I 柚d R 州k 柚c h Mc 0 0 dc h 唧R c v 2 5 0 ：4 6 8 0 1 8 仁0 0 6 ) 2TKC h a n m h c k a rSV 翎k 啦A c cC h c mR e s3 t6 7 6 “9 】f 2 0 0 3 1 3MS h e * B a h a e ，AAs a I d THw e I ，e ta 】2 6 7 6 肛7 6 9 ( 1
11、9 9 0 ) 非晶磁光薄膜中的超快自旋与磁化翻转动力学研究 赖 树。，高瑞鑫徐振2 徐初东。，陈达鑫1 ，周什明2 1 ) 光电材料与技术国家重点实验室，物理与工程技术学院，中 托学，r 州T5 1 0 2 7 5 2 ) 先进光予材料与器件国章重点宾验室，物理糸，复旦走学，上海2 0 0 4 ” 由于自旋阀碰读头的成功应用，计算机硬盘的存储高度自过去1 年中提升了近干秆正在向存储介 质的超顺磁极限密度趋近。为了克服超顺磁教应，需要使川离矫顽力的磁存储介质。然而，目前的磁甚 录头不能磁化高矫顽山记录介质因此激光加热辅助礁记录技术被技展在居里温度或补偿温度以上 雾 l 一 匿 一一 A 一 j 到一 睑纂羔蘸隆瞻艇艇艇
