《硅薄膜太阳电池发展及產业现况》由会员分享，可在线阅读，更多相关《硅薄膜太阳电池发展及產业现况（20页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、1 請保密及尊重作者智權，不複製本文件、不使用本文件內未公開資料或將其揭露予不相關之第三人。 矽薄膜太陽電池發展及產業現況矽薄膜太陽電池發展及產業現況 工研院太陽光電科技中心工研院太陽光電科技中心工研院太陽光電科技中心工研院太陽光電科技中心 矽薄膜太陽電池部門矽薄膜太陽電池部門矽薄膜太陽電池部門矽薄膜太陽電池部門 翁得期翁得期翁得期翁得期 電話電話：電話電話：(03) 5917420(03) 5917420 E E- -mail:mail: TeChiWongitri.org.twTeChiWongitri.org.tw 2 請保密及尊重作者智權，不複製本文件、不使用本文件內未公開資料或將其揭
2、露予不相關之第三人。 太陽電池應用市場太陽電池應用市場 矽薄膜太陽電池技術優勢矽薄膜太陽電池技術優勢 工研院研發規劃及進展工研院研發規劃及進展 結結 論論 Outline 3 請保密及尊重作者智權，不複製本文件、不使用本文件內未公開資料或將其揭露予不相關之第三人。 太陽光發電之重要歷史太陽光發電之重要歷史太陽光發電之重要歷史太陽光發電之重要歷史 1954年Bell Labs發展出矽太陽電池 (轉換效率約4.5%) 1956年第一個太陽電池製作成功 1958年開始太空應用(GaAs) 1970年開始太陽光發電系統地面應用(Si) (能源危機) 1976年Carlson製作出第一個非晶矽薄膜太陽電
3、池 1980年消費性薄膜太陽電池應用(a-Si, CdS/CdTe) 1990年與公用電力併聯之太陽光發電系統技術成熟(Grid- Connected PV System, Si) (電力電子技術) 1992年起歐、美、日各國推動PV補助獎勵 2000年建材一體型太陽電池應用(BIPV) 4 請保密及尊重作者智權，不複製本文件、不使用本文件內未公開資料或將其揭露予不相關之第三人。 太陽電池產業環境太陽電池產業環境太陽電池產業環境太陽電池產業環境- -市場區隔市場區隔市場區隔市場區隔 Source：SCHOTT Solar, , SEMICOM Europa, 2006/4 100MW/10 3
4、0MW/3 110MW/11 760MW 76 2004 96MW/8 24MW/2 108MW/9 970MW 81 2005 70MW/15 30MW/7 30MW/7 320MW 71 2002 100MW/10 30MW/3 110MW/11 760MW 76 2004 100MW/10 30MW/3 110MW/11 760MW 76 2004 96MW/8 24MW/2 108MW/9 970MW 81 2005 96MW/8 24MW/2 108MW/9 970MW 81 2005 70MW/15 30MW/7 30MW/7 320MW 71 2002 5 請保密及尊重作者智權，
5、不複製本文件、不使用本文件內未公開資料或將其揭露予不相關之第三人。 併併聯聯型太陽光電發電系統型太陽光電發電系統併併聯聯型太陽光電發電系統型太陽光電發電系統 1. PV array 2. Inverter/power-conditioner 3. Indoor distribution panel 4. Energy meter (kWh, connected to grid) Source： .tw/family/system1.html Source：工研院材料所 6 請保密及尊重作者智權，不複製本文件、不使用本文件內未公開資料或將其揭露予不相關之第三人。 各國的太陽光電補助措施各國的太陽
6、光電補助措施各國的太陽光電補助措施各國的太陽光電補助措施 Source：工研院材工研院材料料所所 7 請保密及尊重作者智權，不複製本文件、不使用本文件內未公開資料或將其揭露予不相關之第三人。 太陽電池總類太陽電池總類太陽電池總類太陽電池總類 (Si, SiGe, SiC, etc.) Already commercialized Partially commercialized Under development Source :KRI Report No. 8: Solar Cells, February 2005 Single crystalline (sc-Si) Polycrystal
7、line (poly-Si) c-Si a-Si/c-Si Wet type Solid type Crystalline (Bulk) HIT Amorphous (a-Si) Microcrystalline (c-Si) Bulk Thin Film Single Crystalline Polycrystalline (GaAs type, etc.) (CuInSe2, CuInGaSe2, CdS, CdTe, etc.) Thin Film Silicon (Si) type Compound type New material Dye- sensitized Thin film
8、 (Solid type) Solar cells (Heterojunction with intrinsic thin-layer) Quantum dot 8 請保密及尊重作者智權，不複製本文件、不使用本文件內未公開資料或將其揭露予不相關之第三人。 Cost Reduction 11.5 % (s) , 570 420 mm2, aSuS Efficiency8 %10 %12 %14 %16 %18 %6 % :13.1 % (i) ; 12 % (s), 32 mm2, aSuS Company MHI Ps.: tandem solar cell (c-Si/a-Si); VHF
9、60MHz, Ladder shape electrode :10 % (i), 1120 x 925 mm2, aSuS Ps.: triple junction (a-Si/a-Si/c-Si); short-pulsed VHF plasma CVD :13.4 % (i), 910 455 mm2, aSuS Ps.: triple junction (a-Si/c-Si/c-Si); transparent interlayer 國際研發現況與技術指標國際研發現況與技術指標國際研發現況與技術指標國際研發現況與技術指標 PVTC整理 60MHz PECVD with Phase Mod
10、ulation Pulsed VHFPECVD :13 % (i), 1cm2, triple junction :15 % (i), 1cm2, triple junction :9.21% (i), 1100 1300 mm2aSuS :10.38 % (i) ,:9.45 % (s), 1cm2, aSuS 40MHz PECVD :7 % (s), a-Si :10 % (i) , 5cm 5cm, a-Si cell :11.2% (i),:9.5% (s), 1cm2, aSuS Glass Substrate 1100 1300 mm2 Glass Substrate 1100
11、1400 mm2 RFPECVD for a-Si (in-line ) Target: G8.5 (Cluster) 13.56MHz PECVD Glass Substrate 2200 2600 mm2 Single Chamber for p,i and n layer 27MHz PECVD forc-Si (cluster) Glass Substrate 1100 1400 mm2 Glass Substrate 1000 1400 mm2 Glass Substrate 1100 1400 mm2 :9.97% (i), 900cm2, aSuS Interlayer betw
12、een Cells 16 請保密及尊重作者智權，不複製本文件、不使用本文件內未公開資料或將其揭露予不相關之第三人。 2007年與Applied Materials合作，建置薄膜太陽電池生產線 2008年Q4開始量產，年產能30MW; 2009年 50 MW 玻璃基板規格:2500 mm 2200 mm ，效率6% 2007.6成立，資本額7.5億元，位於桃園 大同集團轉投資 綠能科技 2007年與日商伊藤忠商社合作，開發矽薄膜太陽電池 初期建置一條25MW的生產線，2008年Q2開始量產 2007.7成立，目前資本額約3.5億元 吉祥公司轉投資 旭能科技 2007年引進美國Nano PV 之a
13、-Si薄膜太陽電池技術 初期產能為10MW ，兩年內產能提功到30MW 2007.09成立，資本額10億元，位於台南 大億科轉投資 大億光能 Equipment: Still evaluate Capacity: 25-30MW/year in 2009。 2007.12成立，資本額:10億元，位於台南 奇美集團 奇美能源 專注研發轉換效率大於8.5%之雙藕合非晶微晶矽薄膜太陽能電池 2008年第四季開始生產，2009年產能為20MW，2010達到60MW， 2012年擴大至180MW，預估在2009年4月損益兩平。 2007.10成立，資本額14億元，位於台南 光寶和益通各占23.9%股權
14、宇通光能 2007年, 矽薄膜太陽電池設備由瑞士Oerlikon所提供 初期規劃建置四條生產線，設計產能規模逾100MW，2008年Q1開始 量產 2007.07成立，資本額7億元，位於 林口 中環轉投資 富陽科技 2007年與ULVAC合作設立a-Si薄膜太陽電池生產線 2008年Q1量產，年產能12.5MW，三年擴充產能至100MW 玻璃基板規格:1100 mm 1400 mm，效率7% 2005.11成立，資本額8億元，位於台中 聯電轉投資原名晶能科技，2007.3更名 聯相光電 2006年底引進美國EPV之a-Si薄膜太陽電池技術 生產線年產能5.5 MW，預計2007年底開始量產 玻
15、璃基板規格:1024 mm 635mm，效率5.5%，44W/片 2005.1成立，資本額6億元，位於新竹縣 主要法人為桔康投資 鑫笙 能源科技 20072007- -20082008 台灣台灣台灣台灣 投入矽薄膜太陽電池廠商投入矽薄膜太陽電池廠商投入矽薄膜太陽電池廠商投入矽薄膜太陽電池廠商 17 請保密及尊重作者智權，不複製本文件、不使用本文件內未公開資料或將其揭露予不相關之第三人。 1.8000 1.7279 1.4575 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 67891011121314151617181920 效率與成本圖效率與成本圖效率與成本圖效率與成本圖 成本成本 ($/Wp) 15.5% 模組效率模組效率 (%) 非晶矽薄膜電池非晶矽薄膜電池（設備成本設備成本14.1億億） 高效率矽薄膜電池高效率矽薄膜電池（設備成本設備成本22.1億億） 12.6% 11.7% 高效率矽薄膜電池高效率矽薄膜電池 +11億的設備成本億的設備成本 + 成本的成本的 TCO Glass 0.4900Material for Module 1.8000Total 0.1919Labor 0.3450Material for Device 0.3500Material fo
