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1、 N NS S4 42 25 50 0 第二代超长续航 2X3W 智能音频功放 第二代超长续航 2X3W 智能音频功放 Nsiway 1 1 N NS S4 42 25 50 0 用用户户手手册册 V V1 1. .0 0 N NS S4 42 25 50 0 第二代超长续航 2X3W 智能音频功放 第二代超长续航 2X3W 智能音频功放 修改历史修改历史 日期 版本 作者 修改说明 2010.10 V1.0 相关参数更新 Nsiway 2 2 N NS S4 42 25 50 0 第二代超长续航 2X3W 智能音频功放 第二代超长续航 2X3W 智能音频功放 目目 录录 1 功能说明功能说明
2、 . 5 2 主要特性主要特性 . 5 3 应用领域应用领域 . 5 4 典型应用电路典型应用电路 5 5 极限参数极限参数 . 6 6 电气特性电气特性 . 6 7 芯片管脚描述芯片管脚描述 7 7.1 封装管脚分配图 . 7 7.2 引脚功能描述. 8 8 NS4250 典型参考特性典型参考特性 8 9 NS4250 应用说明应用说明 12 9.1 芯片基本结构描述 . 12 9.2 NS4250 工作模式 . 13 9.3 上电 ,掉电噪声抑制 . 14 9.4 EMI增强技术 14 9.5 效率. 15 9.6 保护电路. 15 10 NS4250 应用注意事项应用注意事项 15 11
3、 芯片的封装尺寸图芯片的封装尺寸图 16 Nsiway 3 3 N NS S4 42 25 50 0 第二代超长续航 2X3W 智能音频功放 第二代超长续航 2X3W 智能音频功放 图图 目目 录录 图 1 NS4250 典型应用电路 . 5 图 2 封装管脚分配图(top view). 7 图 3 NS4250 原理框图 . 12 图 4 立体耳机工作电路示意图 . 13 图 5 EMI测试频谱图 14 图 6 NS4250 加磁珠应用电路 . 15 图 7 SOP16 封装尺寸图. 16 表表 目目 录录 表 1 芯片最大物理极限值 . 6 表 2 NS4250 电气特性 . 6 表 3
4、NS4250 管脚描述 . 8 表 4 NS4250 工作模式设置 . 13 Nsiway 4 4 N NS S4 42 25 50 0 第二代超长续航 2X3W 智能音频功放 第二代超长续航 2X3W 智能音频功放 1 功能说明功能说明 NS4250 是第二代超长续航 2X3W 智能音频功放。功放带 AB 类/D类工作模式切换功能、超低 EMI、无 需滤波器、3W双声道输出。另外，当耳机插头接入插孔时，音频功率放大器便以单端工作模式驱动立体 声耳机。通过一个控制管脚使芯片在 AB 类或者 D类工作模式之间切换，以匹配不同的应用环境。即使 工作在 D类模式 NS4250 采用先进的技术，在全带
5、宽范围内极大地降低了 EMI 干扰，最大限度地减少对 其他部件的影响。为简化音频系统的设计，NS4250 的桥式联接扬声器放大模式及单端立体耳机放大模式 都在同一芯片上实现。NS4250 无需滤波器的 PWM 调制结构及反馈电阻内置方式减少了外部元件、PCB 面积和系统成本。NS4250 内置过流保护、过热保护及欠压保护功能，有效地保护芯片在异常工作状况下 不被损坏。并且利用扩频技术充分优化全新电路设计，高达 90%的效率更加适合于手机及其他便携式音 频产品。 NS4250 提供 SOP16 封装，额定的工作温度范围为-40至 85。 2 主要特性主要特性 AB 类/D类工作模式切换功能 3W
6、输出功率 0.1%THD（1W输出功率、5V电源） 优异的全带宽 EMI抑制能力 优异的“上电，掉电”噪声抑制 高达 90%以上的效率(D 类工作模式) 高 PSRR：-80dB（217Hz） 工作电压范围：3.0V5.5V 过流保护、过热保护、欠压保护 立体声耳机放大模式 SOP16 封装 3 应用领域应用领域 手提电脑 低压音响系统 4 典型应用电路典型应用电路 图1 NS4250 典型应用电路 Nsiway 5 5 http:/www.junyi- TEL:0755-29955070 QQ:2355820666 N NS S4 42 25 50 0 第二代超长续航 2X3W 智能音频功放
7、 第二代超长续航 2X3W 智能音频功放 5 极限参数极限参数 表1 芯片最大物理极限值 参数参数 最小值最小值最大值最大值 单位单位说明说明 电源电压 1.8 6 V 储存温度 -65 150 oC 输入电压 -0.3 VDD V 耐 ESD电压 4000 V 结温 150 oC 推荐工作温度 -40 85 oC 推荐工作电压 3.0 5.25 热阻 JC(SOP16) 20 oC/W JA(SOP16) 80 oC/W 焊接温度 220 oC 15秒内 注注：在极限值之外或任何其他条件下，芯片的工作性能不予保证。 6 电气特性电气特性 限定条件：（TA25） 表2 NS4250 电气特性
8、符号 参数 测试条件 最小值标准值最大值 单位 VDD 电源电压 3.0 5.5 V VDD =3.6V， VIN0V，No load 10 mA IDD 电源静态电流 VDD =5.0V， VIN0V，No load 15 mA ISD 关断漏电流 V/SD =0V 1 15 A VOS 输出失调电压 10 40 mV RO 输出电阻 3 K 217Hz -80 dB PSRR 电源抑制比 20KHz -72 dB CMRR 共模抑制比 -70 dB fSW 调制频率 VDD =3.0V to 5.25V 450 kHz 效率 Po=0.5W,RL =8, VDD =3.6V 90 % VI
9、H 逻辑控制端 高电平 1.4 V VIL 逻辑控制端 低电平 0.4 V 耳机输出模式 (VDD =5.0V) THD1%, f=1KHz,RL=16 110 mW PO 输出功率 THD1%, f=1KHz,RL=32 80 mW XTALK 立体声分离度 RL32,Po10mW -85 dB Nsiway 6 6 N NS S4 42 25 50 0 第二代超长续航 2X3W 智能音频功放 第二代超长续航 2X3W 智能音频功放 THD 失真度 RL=16/32，f=1KHz PO=10mW 0.2 % SNR 信噪比 RL32,Po10mW 85 dB 外置喇叭输出模式(VDD =5.
10、0V) THD1%,ClassAB f=1KHz,RL=4 2.0 W THD10%,ClassAB f=1KHz,RL=4 2.6 W THD1%,ClassAB f=1KHz,RL=8 1.3 W THD10%,ClassAB f=1KHz,RL=8 1.7 W THD1%,ClassD f=1KHz,RL=4 2.3 W THD10%,ClassD f=1KHz,RL=4 3.0 W THD1%,ClassD f=1KHz,RL=8 1.4 W PO 输出功率 THD10%,ClassD f=1KHz,RL=8 1.8 W THD 失真度 f=1KHz， ClassD, RL=4/8，P
11、O=0.5W 0.2 % Stereo Isolation 立体声分离度 RL4,Po0.5W -80 dB SNR 信噪比 RL4,Po0.5W 85 dB 7 芯片管脚描述芯片管脚描述 7.1 封装管脚分配图封装管脚分配图 图2 封装管脚分配图(top view) Nsiway 7 7 N NS S4 42 25 50 0 第二代超长续航 2X3W 智能音频功放 第二代超长续航 2X3W 智能音频功放 Nsiway 8 8 7.2 引脚功能描述引脚功能描述 表3 NS4250 管脚描述 符号符号 管脚号管脚号 描述描述 SD 1 关断控制，高电平有效(关断) GND 2 电源地 VoLP
12、3 左声道输出正端 VDD 4 电源输入 VoLN 5 左声道输出负端 INLN 6 左声道输入负端 GND 7 电源地 NC 8 空脚 Bypass 9 旁路电容 AB/D 10 AB 类/D类切换控制 INRN 11 右声道输入负端 VoRN 12 右声道输出负端 VDD 13 电源输入 VoRP 14 右声道输出正端 GND 15 地 HP-IN 16 耳机模式控制端 8 NS4250 典型参考特性典型参考特性 EFFICIENCY vs OUTPUT POWER(4) 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 00.40.81.21.622.4 Output P
13、ower(W) Efficiency(%) ClassD/VDD=4.2V ClassD/VDD=3.6V ClassAB/VDD=3.6V ClassAB/VDD=4.2V EFFICIENCY vs OUTPUT POWER(8) 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 00.2 0.4 0.6 0.811.2 1.4 1.6 Output Power(W) Efficiency(%) ClassD/VDD=3.6V ClassD/VDD=4.2V ClassAB/VDD=3.6V ClassAB/VDD=4.2V N NS S4 42 25 50 0 第二代超长续航 2X3W 智能音频功放 第二代超长续航 2X3W 智能音频功放 Nsiway 9 9 POWER DISSIPATION vs OUTPUT POWER(4) 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.
