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1、模组式低压动态无功补偿电能质量解决方案该样本资料主要针对低压无谐波系统，对于应用电网谐波含量超标系统的滤波补偿装置，将在低压滤波补偿样本中详细介绍。同时中压 6KV、10KV 的自动补偿、集中补偿、就地补偿、线路补偿、滤波补偿将在中压补偿样本中详细介绍。前言概述随着电能质量、输电效率越来越被重视，功率因数校正技术也将得到大规模应用。通过改善公率因数来提高输电效率，不仅节约能源、净化电网，也是回报率极高的投资。在低压配电系统中，HLTSC 系列补偿装置致力于快速、稳定、长期、经济的改良系统功率因数（cos）并通过产生无功功率来提高电压的稳定性，进而改善配电系统的电压质量与可靠性。无功产生电网中的
2、感性负载（如电机、扼流圈、变压器、感应式加热器及电焊机等）都会产生不同程度的电滞，既所谓的电感。感性负载具有电压改变方向仍能使电流的方向（如正向）保持一段时间的特性。一旦存在了这种电流与电压之间的相位差，就会产生无功功率，并被反馈到电网中。在交流电网中（50Hz/60Hz） ，上述过程每秒重复 50 或 60 次，因而一种显而易见的解决方法就是直接将这些感性功率电能（无功功率）通过电容器来暂时存储和释放，从而减少了电网的无功公率交换。无功危害 改善方法降低输电效率 电容器无功功率补偿电网功率损耗 半导体有功功率补偿电网压降增加 使用过激的同步电机（马达/发电机）较高的变压器损耗较高成本及能源消
3、耗 负荷特性感应炉 0.200.69电弧炉 0.600.80水泥厂 0.750.85感应马达 100Kw 0.600.80250Kw 0.800.90造纸工业 0.500.80化工设备 0.750.85 钢铁设备 0.600.75塑胶工业 0.60.0.75轧钢设备 0.300.75交流电弧及点焊机 0.350.40HL 模组式动态无功补偿装置装置特点：投切快速。HL 模组单元投切响应速度快，测量和执行过程可在 20ms 内完成，同时无冲击电流不会造成网压闪变。精确控制。HL 模组单元投入控制是可控硅零电压投入，无电流冲击，切除控制是可控硅零电流切除，无拉弧、噪音。通用安装。HL 模组安装与柜
4、型无关。可与国内外各种柜型任意配套。组合拼装。使用模组如同搭积木，可按照需要组合出各种容量和级数。接口简单。每个模组自成相对独立的系统，对外提供两个接口电网接口和控制接口。结构紧凑。安装容量较传统接触器式安装增加近一倍。扩展自如。随着企业生产的发展，在无功补偿容量不足时可以随时增加模组 进行扩容。检修方便。维修保养。升级改造便捷安全。技术参数：系统电压：220380V动态响应时间：20ms额定测量电流:5A额定测量电压：380V15%控制方式：等容、编码、模糊功率损耗：1.2W/Kvar技术特点采用单片机全智能控制实时快速跟踪负荷变化，动态控制投切投切电容器无冲击、无涌流、无过渡过程投切开关无
5、机械磨损、无噪音、无暂态过程测量和执行过程可在一个周期波内完成（20ms）采用网压平衡技术，过压时自动退出已投入电容器组使用环境环境温度：-25+45相对湿度：90%(+25)海拔高度：不超过 1000 米无剧烈震动和冲击无导电尘埃和腐蚀性气体投切快速HL 模组动态补偿装置的动态响应时间小于 20ms，而普通接触器式补偿装置的动态响应时间一般为 2min，原因是接触器式的投切方式要考虑电容器端电压的放电，而可控硅采用零电压投入控制，无形考虑投入时冲击电流对电容器和电网的影响。因此用户采用可控硅方式的补偿装置，会比接触器方式节省部分的无功损耗，该损耗就是 2min 延时产生无功损耗。精确控制HL
6、 模组单元投切器件采用德国原装大功率可控硅为通断开关，导通控制采用零电压投入方式，投入时无电流冲击，避免了接触器开关投入瞬间的冲击涌流。降低了电容器投入电网时造成的电压闪变。可控硅开关关断时是零电流切除，没有接触器开关切除时的拉弧、噪音、电压闪变。通用安装HL 模组单元具有体积小，安装方便等优点。单元生产采用标准化结构组装，安装采用通用导轨安装，可以满足标准的 GGD/GCS/MNS 柜体和非标准柜体的组装。HL 模组单元具有通用安装功能后，可使用户、低压成套开关柜厂家。在确定具体电容安装容量及分组后，订购单元模组和功率因素控制器，自行组屏安装功率因数校正装置。组合拼装HL 模组单元的安装容量
7、从 10Kvar-90Kvar 共十三档分组，为用户提供丰富选择方案，用户、设计院在确定补偿容量、步进精度、增容容量等要求后可方便组合。在整柜分组时，建议采用 1：2：3.、1：2：4.、或 1：2：2.的比例分组，该分组比传统接触器 1：1：1.方式在保证输出步进精度的前提下，减少分组路数。例如：用户补偿安装容量 80Kvar，要求步进精度为 10Kvar。该分组精度如果按 1：1：1 分组需分 8 路，但采用 1：2：5 方式分组后，在只缺少一个步进精度（40Kvar）情况下，节省了 5 组。用户补偿安装容量 300Kvar,要求步进精度为 20Kvar.该分组精度如果按1：1：1 分组需
8、分 15 路，但采用 1：2：4：4：4 方式分组（20+40+80+80+80） ，在保证输出步进精度（20Kvar）情况下，节省了 10 组。接口简单HL 模组单元的整体是由开关式熔断器、可控硅开关、电容器、电抗器、控制端子等元件组合而成，组装后对外安装连接接口共 2 个：电网接口和控制接口。电网接口采用铜排连接，三相 A/B/C.控制接口采用 BVR-1.5 导线连接，可控硅触发信号 2 根、模组工作指示 2 根。结构紧凑 HL 模组单元内部体布置合理。安装容量大，单台模组最大可安装 80 Kvar 的补偿容量。标准 800（宽）X600（深）X2200(高)柜体可安装 5 路模组单元，
9、标准 800（宽）X1000（深）X2200（高）柜体可安装 10 模组单元（采用背靠背安装方式，安装双隔离开关） 。扩展自如HL 模组单元具有的方便扩展性，使用户在初次安装补偿装置的同时已经为今后补偿设备的增容打好基础。标准 800（宽）X600（深）X2200（高）柜体可安装 5 路模组单元，标准 800（宽）X1000（深）X2200（高）柜体可安装 10 路模组单元（采用背靠背安装方式，安装双隔离开关） ，用户的增容不必改动柜体，不必改动母线、不必长时间停电，只需订购魔族但愿即可完成增容。检修方便HL 模组单元更换、安装方便。无须专用工具。可以在短时间内拆除故障单元并同时安装备用的模组
10、单元，恢复动态补偿装置的运行。对故障单元的修理也是在脱离装置的前提下处理，具有更好的安全性，也可返回制造厂家处理。无功功率自动补偿控制器智能调控低压系统中功率因素校正控制器测量实际功率因素，并投入或切除电容器，从而达到理想要求的功率因素（cos）HLPFC 系列智能功率因数调整器采用现代化设计，体现了先进科技和合理价格的完美结合。结构模块化。固态化，体积紧凑、面板操作简单，易于安装和应用。设定显示自动编程可显示 V,I,f,Q,P, cos可显示电流和电压 1 到 19 次的所有奇次谐波可显示电容器电流可显示每一电容器级的切换操作可显示每个电容器级的总工作时间对所有电容器级有放电时间设置密码保
11、护可编程输出下列报警：欠压 过压 欠电流 过电流电容器输出不足 谐波超限 过温技术参数测量电压：100V15% 400V15%测量电流: 5A测量频率: 50Hz工作电压：220V20% 50Hz电流互感器变比：50-3000/5目标功率因素：0.9-1.00投切延时：动态 0.1-5S静态 60-900S控制方式：循环或编码控制投切动态响应时间：20ms输出接点容量：T 型 12V 60msM 型 220V 5A特点：全数字化设计现代化的微电脑技术易于操作的人性化界面大屏幕 LCD 中文液晶显示器电源中断，所有投入段跳开手动补偿/自动补偿一键平滑转换过压保护，自动切除已投入的电容器低压电容器
12、投切开关可控硅开关智能电容投切开关采用模块化结构设计，由可控硅和数字触发保护元件组成，保证可控硅零电流投入零电流切除，无冲击，无涌流，并且监视可控硅的状态，具有过流、过压保护。可控硅开关没有机械磨损，操作时没有噪声，并且具有实际上无暂态过程的优点。技术参数额定电压：380V/220 50Hz控制信号：DC12V驱动电流：30mA工作环境：环境温度-25+55相对湿度：40时，20%90%投切速度：10ms通讯接口：485 接口，传送开关电压、电流、温度等数据可控硅 VRRM:1800V可控硅 VRMS:180A特点：单片机控制，智能、可靠零电流投入，零电流切除光电隔离、抗干扰能力强响应速度快，
13、最短时间仅为一个周波检测开关的电流以及开关两端的电压，可实现对开关的工作状态检测和保护。能自动切除故障可控硅可附加键盘、显示。过压。过电流值可人为设定自然风冷+强制风冷易安装，易维护三相抗谐振电抗器概述随着现代电力电子设备（直流启动装置、不间断电源、变频器等）的大量使用产生的非线性谐波电流正越来越严重的影响电网的稳定运行。功率因素校正系统，或者说电力电容器的电容与输变电设备连接形成了谐振回路，经验表明这个电路的自振频率一般位于 250Hz 和 650Hz 之间。系统谐振后可导致以下不良后果：谐波放大电容器的过载电压电流畸变测量和控制系统的干扰变压器和输电设备的过载计算机和电气传动装置的干扰这些
14、谐振现象的避免，可以通过串联带有滤波扼流功能的宽频电抗器来实现。串联电抗器后使电容器组在危险频率内时对系统表现为纯感性，对于50Hz的工频而言呈容性，因而保证功率因数校正装置的稳定运行。技术参数上限温度：80冷却方式：自然冷却工作噪音：50dB长期过载电流：1.5In特点：真空浸渍损耗功率低工作噪音低高抗谐波能力高线度避免磁饱和过载能力高，线性度可达 2XIn低压自愈电容器电容器设计电容器采用金属化薄膜（MKP）技术制造，在高真空状态下用蒸镀的方式在聚丙烯薄膜的两面蒸镀极薄的银锌铝复合层，具有十分优越的自愈性能。同时内部配有过压分离器。放电容器由于过热。过载或临近使用寿命期限而发生大量电气击穿时，电容器壳内的气压迅速上升，由于顶盖弯曲或膨胀凹边拉伸引起了电容器长度改变。当膨胀超过限度时，内部连接线会分离，即电容器切离电网。特点：可靠的安全压力保护自愈容量损失小，接近 100PF使用寿命长，可达 60000 小时体积小、重量轻，可以任意角度安装
