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1、LM386 中文资料中文资料 PDF 简介：简介：LM386 中文资料 PDF 是专为低损耗电源所设计的功率放大器集成电路。它的内建增益为 20，透过 pin 1 和 pin8 位间电容的搭配，增益最高可达 200。LM386 可使用电 . 是专为低损耗电源所设计的功率放大器集成电路。它的内建增益为 20，透过 pin 1 和 pin8 脚 位间电容的搭配，增益最高可达 200。LM386 可使用电池为供应电源，输入电压范围可由 4V 12V，无作动时仅消耗 4mA 电流，且失真低。LM386 的内部电路图及引脚排列图如图 1、图 2 所示，表 1 为其电气特性。 图 1. 内部电路图 图 2
2、 引脚功能图 极限参数：极限参数： 电源电压 （LM386N-1，-3，LM386M-1）15V 电源电压（LM386N-4）22V 封装耗散 （LM386N）1.25W （LM386M）0.73W （LM386MM-1）0.595W 输入电压0.4V 储存温度-65至+150 操作温度 0至+70 结温+150 焊接信息 焊接（10 秒）260 小外形封装（SOIC 和 MSOP） 气相（60 秒）215 红外（15 秒）220 热电阻 qJC （DIP）37/W qJA （DIP）107/W qJC （SO 封装）35/W qJA （SO 封装）172/W qJA （MSOP 封装）210
3、/W qJC （MSOP 封装）56/W 表 1. LM386 电气特性 Parameter 参数 测试条件 最小 典型 最大 单位 Operating Supply Voltage (VS) 操作电源电压 - LM386N-1,-3,LM386M-1,LM386 MM-1 4 - 12 V LM386N-4 - 5 - 18 V Quiescent Current (IQ) 静态电流 VS = 6V, VIN =0 4 8 mA Output Power (POUT) 输出功率 - - LM386N-1,LM386M-1,LM386MM- 1 VS = 6V, RL =8W, THD = 1
4、0% 250 325 - mW LM386N-3 VS = 9V, RL =8W, THD = 10% 500 700 - mW LM386N-4 VS=16V, RL =32W, THD = 10% 700 1000 - mW VS = 6V, f = 1 kHz 26 - dB Voltage Gain (AV) 电压增益 10 F from Pin 1 to 8 46 - dB Bandwidth (BW) 宽带 VS = 6V, Pins 1 and 8 Open 300 - kHz Total Harmonic Distortion (TH D)总谐波失 真 VS = 6V, RL
5、=8W,POUT = 125 mW f = 1 kHz, Pins 1 and 8 Op en - 0.2 - % Power Supply Rejection Ratio (PSRR) 电源抑制比 VS=6V, f=1kHz, CBYPASS =10 F Pins 1 and 8 Open,Referred to Output - 50 - dB Input Resistance (RIN) 输入电阻 - - 50 - k Input Bias Current (IBIAS) 输入 偏置电流 VS = 6V, Pins 2 and 3 Open - 250 - nA LM386 低电压音频功
6、率放大器的工作原理与典型应用电路图低电压音频功率放大器的工作原理与典型应用电路图 概述(Description): LM386 是美国国家半导体公司生产的音频功率放大器， 主要应用于低电压消费类产品。 为使外围元件最少， 电压增益内置为 20。但在 1 脚和 8 脚之间增加一只外接电阻和电容，便可将电压增益调为任意值，直至 2 00。输入端以地位参考，同时输出端被自动偏置到电源电压的一半，在 6V 电源电压下，它的静态功耗仅 为 24mW,使得 LM386 特别适用于电池供电的场合。 LM386 的封装形式有塑封 8 引线双列直插式和贴片式。 特性(Features): * 静态功耗低，约为 4mA,可用于电池供电。 * 工作电压范围宽，4-12V or 5-18V。 * 外围元件少。 * 电压增益可调，20-200。 * 低失真度。 典型应用电路图典型应用电路图 LM386应用电路图之增益应用电路图之增益=20 LM386应用电路图之增益应用电路图之增益=200 LM386 应用电路图之增益应用电路图之增益=50 LM386应用电路图之低频提升放大器应用电路图之低频提升放大器 LM386 作正弦波振荡器电路图作正弦波振荡器电路图
