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1、 BP2866B 非隔离降压型非隔离降压型 LED 恒流驱动芯片恒流驱动芯片 BP2866B_CN_DS_Rev.1.0 1 BPS Confidential Customer Use Only 晶丰明源半导体 概述 概述 BP2866B 是一款高精度降压型 LED 恒流驱动芯片。 芯片工作在电感电流临界连续模式，适用于 85Vac265Vac 全范围输入电压的非隔离降压型 LED 恒流电源。 BP2866B 芯片内部集成 500V 功率开关，采用专利 的退磁检测技术和高压 JFET 供电技术，无需 VCC 电容和启动电阻，使其外围器件更简单，节约了 外围的成本和体积。 BP2866B 芯片内
2、置高精度的电流采样电路， 同时采 用了专利的恒流控制技术，实现高精度的 LED 恒 流输出和优异的线电压调整率。芯片工作在电感 电流临界模式，输出电流不随电感量和 LED 工作 电压的变化而变化，实现优异的负载调整率。 BP2866B 具有多重保护功能，包括 LED 短路保护， 芯片供电欠压保护，芯片温度过热调节等。 BP2866B 采用 SOP7 封装。 典型应用 特点 典型应用 特点 无 VCC 电容、无启动电阻 集成高压供电功能 无需辅助绕组检测和供电 宽输入电压 5% LED 输出电流精度 LED 短路保护 芯片供电欠压保护 过热调节功能 采用 SOP7 封装 应用 应用 LED 蜡烛
3、灯 LED 球泡灯 其它 LED 照明 AC DRAIN CS NC 5 6 3 1 7 2 4HV GNDDRAIN NC 图 1 BP2866B 典型应用图 BP2866B 非隔离降压型非隔离降压型 LED 恒流驱动芯片恒流驱动芯片 BP2866B_CN_DS_Rev.1.0 2 BPS Confidential Customer Use Only 晶丰明源半导体 定购信息 定购信息 定购型号 定购型号 封装 封装 温度范围 温度范围 包装形式 包装形式 打印 打印 BP2866B SOP7 -40到 105 编带 4,000 颗/盘 BP2866B YY WYYZ 管脚封装 管脚封装 图
4、 2 管脚封装图 管脚描述 管脚描述 管脚号 管脚号 管脚名称 管脚名称 描述 描述 1 GND 芯片地 2,3 NC 无连接 4 HV 芯片高压供电端 5,6 DRAIN 内部高压功率管漏极 7 CS 电流采样端，采样电阻接在 CS 和 GND 端之间 YY: lot code W: 标示 YY：周号 Z:芯片标识 BP2866B 非隔离降压型非隔离降压型 LED 恒流驱动芯片恒流驱动芯片 BP2866B_CN_DS_Rev.1.0 3 BPS Confidential Customer Use Only 晶丰明源半导体 极限参数(注 1)极限参数(注 1) 符号 参数 参数范围 单位 符号
5、 参数 参数范围 单位 HV 500V 芯片高压供电接口 -0.3500 V DRAIN 内部高压功率管漏极到源极峰值电压 -0.3500 V CS 电流采样端 -0.36 V IDMA 漏极最大电流 TJ=100 750 mA PDMA 功耗(注 2) 0.45 W JA PN结到环境的热阻 145 /W TJ 工作结温范围 -40 to 150 TSTG 储存温度范围 -55 to 150 ESD (注 3) 2 KV 注 1注 1：最大极限值是指超出该工作范围，芯片有可能损坏。推荐工作范围是指在该范围内，器件功能正常，但并不完全保 证满足个别性能指标。电气参数定义了器件在工作范围内并且在
6、保证特定性能指标的测试条件下的直流和交流电参数规 范。对于未给定上下限值的参数，该规范不予保证其精度，但其典型值合理反映了器件性能。 注 2：注 2：温度升高最大功耗一定会减小，这也是由 TJMA, JA,和环境温度 TA所决定的。最大允许功耗为 PDMA = (TJMA - TA)/ JA 或是极限范围给出的数字中比较低的那个值。 注 3： 注 3：人体模型，100pF 电容通过 1.5K 电阻放电。 推荐工作范围 推荐工作范围 符号 符号 参数 参数 参数范围 参数范围 单位 单位 ILED 1 输出 LED 电流 Vout=72V (输入电压 176V265V) 220 mA ILED
7、ma 最大输出电流 260 mA VLED min 最小负载 LED 电压 28 V BP2866B 非隔离降压型非隔离降压型 LED 恒流驱动芯片恒流驱动芯片 BP2866B_CN_DS_Rev.1.0 4 BPS Confidential Customer Use Only 晶丰明源半导体 电气参数电气参数(注 4, 5) （无特别说明情况下，T(注 4, 5) （无特别说明情况下，TA A =25=25 ） ） 符号符号 描述描述 条件条件 最小值最小值典型值典型值 最大值最大值 单位单位 电源电压电源电压 ICC 芯片工作电流 FOP=3.3kHz 200 300 uA 电流采样电流采
8、样 VCS_TH 电流检测阈值 368 380 392 mV TLEB 前沿消隐时间 500 ns TDELAY 芯片关断延迟 200 ns 内部时间控制内部时间控制 TOFF_MIN 最小退磁时间 2.5 us TOFF_MA 最大退磁时间 220 us TON_MA 最大开通时间 40 us 功率管功率管 RDS_ON 功率管导通阻抗 VGS=10V/IDS=0.1A 9 BVDSS 功率管的击穿电压 VGS=0V/IDS=250uA 500 V IDSS 功率管漏电流 VGS=0V/VDS=500V 1 uA 过热调节过热调节 TREG 过热调节温度 140 注 4：注 4：典型参数值为
9、 25C 下测得的参数标准。 注 5：注 5：规格书的最小、最大规范范围由测试保证，典型值由设计、测试或统计分析保证。 BP2866B 非隔离降压型非隔离降压型 LED 恒流驱动芯片恒流驱动芯片 BP2866B_CN_DS_Rev.1.0 5 BPS Confidential Customer Use Only 晶丰明源半导体 内部结构框图 内部结构框图 图 3 BP2866B 内部框图 应用信息 应用信息 BP2866B 是一款专用于 LED 照明的恒流驱动芯片， 应用于非隔离降压型 LED 驱动电源。采用专利的 退磁检测技术和高压 JFET 供电技术，无需 VCC电 容和启动电阻，使其外围
10、器件更简单，节约了外 围的成本和体积。 启动 启动 系统上电后， 母线电压通过HV 脚对芯片内部供电， 当内部供电电压达到芯片开启阈值时，芯片内部 控制电路开始工作。芯片正常工作时，所需的工 作电流仍然通过内部的 JFET 对其提供。 恒流控制，输出电流设置 恒流控制，输出电流设置 芯片逐周期检测电感的峰值电流，CS 端连接到内 部的峰值电流比较器的输入端，与内部 400mV 阈 值电压进行比较， 当 CS电压达到内部检测阈值时， 功率管关断。 电感峰值电流的计算公式为： )( 380 PK mA R I CS 其中，RCS为电流采样电阻阻值。 CS比较器的输出还包括一个500ns前沿消隐时间
11、。 LED 输出电流计算公式为： BP2866B 非隔离降压型非隔离降压型 LED 恒流驱动芯片恒流驱动芯片 BP2866B_CN_DS_Rev.1.0 6 BPS Confidential Customer Use Only 晶丰明源半导体 2 I I PK LED 其中， IPK是电感的峰值电流。 储能电感储能电感 BP2866B 工作在电感电流临界模式， 当功率管导通 时，流过储能电感的电流从零开始上升，导通时 间为： LEDIN PK on VV IL t 其中，L 是电感量；IPK 是电感电流的峰值；VIN是 经整流后的母线电压；VLED是输出 LED 上的电压。 当功率管关断时，流
12、过储能电感的电流从峰值开 始往下降，当电感电流下降到零时，芯片内部逻 辑再次将功率管开通。功率管的关断时间为： LED PK off V IL t 储能电感的计算公式为： IN PK LEDINLED VIf )VV(V L 其中，f 为系统工作频率。BP2866B 的系统工作频 率和输入电压成正比关系，设置 BP2866B 系统工 作频率时，选择在输入电压最低时设置系统的最 低工作频率，而当输入电压最高时，系统的工作 频率也最高。 BP2866B 设置了系统的最小退磁时间和最大退磁 时间，分别为 2.5us 和 300us。由 tOFF的计算公式 可知，如果电感量很小时，tOFF很可能会小于
13、芯片 的最小退磁时间，系统就会进入电感电流断续模 式，LED 输出电流会背离设计值；而当电感量很大 时，tOFF又可能会超出芯片的最大退磁时间，这时 系统就会进入电感电流连续模式，输出 LED 电流 同样也会背离设计值。所以选择合适的电感值很 重要。 保护功能 保护功能 BP2866B 内置多种保护功能，包括 LED 短路保护， 芯片供电电压欠压保护，芯片温度过热调节等。 当 LED 短路时，系统工作在 3.3kHz 低频，所以功 耗很低。 BP2866B 通过过温调节电路检测芯片结温度， 当结 温度超过 140时，芯片进入过温调节状态，逐渐 减小输出电流，从而控制输出功率和温升，使芯 片温度
14、控制在一定值，以提高系统的可靠性。当 芯片结温达到 160时，功率 MOS 管立刻被关断, 直到结温度下降 25 后，系统才会退出过热保护 状态，恢复到正常工作。 PCB 设计 PCB 设计 在设计 PCB 时，需要遵循以下指南： CS 采样电阻 电流采样电阻的功率地线尽可能短，且要和芯片 的地线及其它小信号的地线分头接到母线电容的 地 HV 引脚 在焊接允许的情况下， HV 引脚尽量远离 CS 引脚和 其他低压引脚 功率环路的面积 减小功率环路的面积，如功率电感、功率管、母 线电容的环路面积， 以及功率电感、 续流二极管、 输出电容的环路面积，以减小 EMI 辐射。 GND 引脚 增加 GND 引脚的铺铜面积以提高芯片散热。 DRAIN 引脚 增加 DRAIN 引脚的铺铜面积以提高芯片散热。 BP2866B 非隔离降压型非隔离降压型 LED 恒流驱动芯片恒流驱动芯片 BP2866B_CN_DS_Rev.1.0 7 BPS Confidential Customer Use Only 晶丰明源半导体 封装信息 封装信息
