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1、,赛维LDK太阳能高科技（新余）有限公司 制绒原理及影响因素 向华斌 2011.9.22,主要内容,一、制绒目的及原理 二、影响反应速度的各种因素 三、rena设备与捷佳创设备的比较,第一部分,制绒目的,1、去除多晶硅片表面的机械损伤层和氧化层; 2、去除表面油污及金属离子； 3、使硅片表面形成更加明显的凹凸面效果，增加光在电池片表面的折射次数,增加对光的吸收,制绒原理,反应 试剂,HNO3,HF,附加剂,氧化剂,SiO2,NO,溶解SiO2,络合物H2SiF6,降低反应速率,对比制绒与去psg制绒槽药液，浓H2SO4的作用,水和冰醋酸,硅片的酸腐蚀由两步组成，第一步为硅的氧化过程,第二步氧化
2、物的溶解过程,总反应,当气泡在表面附着足够长的时间并使被遮盖和未被遮盖区域的腐蚀产生相当的差别，就会产生凸凹不平的表面 HNO3横向腐蚀，HF纵向腐蚀,形成腐蚀坑原理,反应速度影响因素,硅片表 面质量,溶液温度,搅拌,化学品浓度 添加剂,反应速率,制绒槽长度：2.12m，单面腐蚀4-4.5um 1、Rena滚轮速度1.45m/min（八道） 反应速率2.7-3.1um/min 2、捷佳创滚轮速度1.95m/min（五道） 反应速度3.6-4.2um/min,化学品浓度,反应速度曲线,硅片表面质量,多晶硅制绒反应的发生点为晶体表面的缺陷点，如果过分完整的表面反而无法制绒水之清则无鱼 对比单晶大颗
3、粒正常片,温度,26 ,40,30 ,10 ,8 ,搅拌,当溶液中有扰动时，富氢氟酸体系中，反应速度减小。这是因为，扰动降低了氧化过程中的中间产物在硅片表面的浓度，降低氧化反应速度。富硝酸体系中，扰动将会增大硅片腐蚀的饱和电流。增加刻蚀速度，这是因为，扰动降低HF的传质阻，降低HF的扩散梯度，减少扩散层厚度。,Rena与捷佳创比较,制冷方式 补液方式 液体循环方式,初始配液及补液方式,厂务化学药品,机器化学药品储液罐,制绒副槽,制绒槽,首次配液,补液,（方式不同）,制冷机,热量,制冷方式,rena,捷佳创,制绒槽,副槽,制冷机,制绒槽,副槽,制 冷 机,储液罐对比,Rena,捷佳创,1.容积大小与流速的区别，易由于厂务原因造成补液超时,制绒副槽对比,rena,捷佳创,溢流管,排液管,排液管,溢流管,
