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1、国家开放大学光伏电池原理与工艺形考任务1-4参考答案题目随机，下载后利用查找功能完成学习任务光伏电池原理与工艺是国家开放大学（中央广播电视大学）开放教育光伏发电技术及应用专业（专科）的一门统设必修课，是该专业的一门主干专业课程。本课程72学时，4学分，开设一个学期。课程代码：02739形考任务1一、单项选择题1.（）层位于对流层之外，属太阳大气层中的最底层或最里层。A.光球B.色球C.日冕D.针状体2.（）是太阳大气的最外层。A.光球B.色球C.日冕D.针状体3.布喇菲格子的特点是每个格点周围的环境都（）。A.相同B.不同C.部分相同D.部分不同4.当杂质原子取代基质原子占据晶格的格点位置时，
2、形成（）杂质。A.替位式B.间隙式C.组成式D.以上皆不是5.非晶硅有两个致命缺点。一是工作性能不稳定，寿命短。二是它的光电转化效率比晶体硅太阳电池（）。A.高B.低C.一致D.未知6.硅系太阳电池主要包括单晶硅太阳电池、多晶硅太阳电池、非晶硅太阳电池。其中（）太阳电池转换效率最高。A.单晶硅B.多晶硅C.非晶硅D.以上皆不是7.轨道杂化，是共价（）结构晶体的一个共同特点。A.四面体B.五面体C.六面体D.多面体8.将晶面在（）个基矢上的截距的倒数之比化为互质整数比，称为该晶面族的密勒指数。A.一个B.二个C.三个D.四个9.紧贴光球以上的一层大气称为（）层，平时不易被观测到，过去这一区域只是
3、在日全食时才能被看到。A.光球B.色球C.日冕D.针状体10.晶胞（）是体积最小的重复单元，结点一般不仅在顶点，而且可以在体心、面心上。A.一定B.一定不C.不一定D.以上皆不是11.若原子脱离格点后，形成填隙原子，这样的热缺陷称为（）缺陷。A.弗仑克尔B.肖特基C.组成D.以上皆不是12.若杂质原子占据晶格间隙位置，形成（）杂质。A.替位式B.间隙式C.组成式D.以上皆不是13.色心属于（）。A.点缺陷B.线缺陷C.面缺陷D.体缺陷14.太阳常数的参考值为Isc=（）7W/m2。A.1357B.1367C.1377D.138715.太阳发射的电磁辐射在大气顶上随（）的分布叫太阳光谱。A.时间
4、B.空间C.距离D.波长16.为使太阳电池所接收到的太阳直射辐射能量最多，就要确定太阳（）。A.高度角B.方位角C.入射角D.日照时间17.我国属于地球太阳能资源丰富程度（）地区。A.最高B.中高C.中低D.最低18.我国太阳能分布最丰富的是（）地区。A.青藏高原B.内蒙古C.宁夏D.陕西19.由基矢b1、b2、b3描述的空间点阵称为（）。A.正格子B.倒格子C.正格矢D.倒格矢20.在固体物理学中，只考虑晶格的周期性，选取（）的重复单元作为固体物理学原胞，简称原胞。A.最大B.最小C.中间D.以上皆不是二、多项选择题1.并网光伏供电系统的组成结构主要有（）。A.太阳电池阵列B.控制器C.蓄电
5、池D.逆变器E.交流负载2.地球太阳能资源丰富程度中低地区有（）。A.东欧B.新西兰C.朝鲜D.日本3.地球太阳能资源丰富程度中高地区有（）。A.中东B.美国C.中非D.中国4.地球太阳能资源丰富程度最低地区有（）。A.北非B.加拿大C.西北欧洲D.中美洲5.地球太阳能资源丰富程度最高地区有（）。A.印度B.巴基斯坦C.澳大利亚D.中国6.点缺陷对材料性能的影响有（）。A.提高材料的电阻B.加快原子的扩散迁移C.形成其他晶体缺陷D.改变材料的力学性能7.独立光伏供电系统的组成结构主要有（）。A.光伏方阵B.控制器C.蓄电池D.逆变器E.直流（交流）负载8.非晶硅的两个致使缺点是（）。A.光致衰
6、减效应B.光电转化效率低C.成本高D.有污染9.弗仑克尔缺陷的特点有（）。A.空位和填隙原子成对地产生B.空位和填隙原子数目相等C.一定的温度下，缺陷的产生和复合过程达到平衡D.一定的温度下，晶体内部的空位和表面上的原子处于平衡10.各种化学气相沉积包括（）。A.等离子增强化学气相沉积B.快速加热化学气相沉积C.催化化学气相沉积法D.热丝化学气相沉积11.根据晶体缺陷在空间延伸的线度，晶体缺陷可分为（）。A.点缺陷B.线缺陷C.面缺陷D.体缺陷12.硅系太阳电池主要包括（）。A.单晶硅太阳电池B.多晶硅太阳电池C.非晶硅太阳电池D.薄膜太阳电池13.晶胞不一定是体积最小的重复单元，结点可以位于
7、（）。A.顶点B.体心C.面心D.质心14.晶体包括（）。A.离子晶体B.原子晶体C.分子晶体D.金属晶体15.立方晶系的下列（）面是完全等价的。A.-100B.-10C.-1D.10016.太阳从中心向外可分为（）。A.核反应区B.辐射区C.对流区D.太阳大气17.太阳的大气层从内向外分为（）三层。A.光球B.色球C.日冕D.针状体18.我国（）等西部地区光照资源尤为丰富。A.青藏高原B.内蒙古C.宁夏D.陕西19.以下（）地区属于我国太阳能热能资源分布三类地区。A.山西北部B.山东C.河南D.吉林20.以下（）地区属于我国太阳能热能资源分布四类地区。A.江西B.辽宁C.浙江D.云南三、判断
8、题1.布喇菲格子的特点是每个格点周围的环境都相同。（）2.大气层的影响不仅与太阳光的入射方向有关，而且还与大气中吸收、散射、反射太阳辐射的物质有关。（）3.单晶一般是凸多面体，且都有规则的外形。（）4.当天空晴朗，太阳在头顶直射且阳光在大气中经过的光程最短时，到达地球表面的太阳辐射最强。（）5.地球只接受到太阳总辐射的二十二亿分之一，这个数量相当于全世界发电量的几百万倍。（）6.点缺陷的特点：在三维尺寸均很小，只在某些位置发生，只影响邻近几个原子。（）7.电子在原子之间的转移不是任意的，电子只能在能量相同的轨道之间发生转移。（）8.对于布喇菲格子，原胞只包含一个原子；对于复式格子，基元中包含几
9、个原子，相应的原胞也包含几个原子。（）9.对于原胞，结点只出现在顶点上。（）10.根据各地接受太阳总辐射量的多少，可将我国划分为五类地区。（）11.光致衰减效应是非晶硅的致命缺点之一。（）12.将晶面在三个基矢上的截距的倒数之比化为互质整数比，称为该晶面族的晶面指数。（）13.结点的总体称为布喇菲点阵。布喇菲点阵中，每点周围的情况不一样。（）14.每个正格子都有一个倒格子与之相对应。（）15.太阳常数的常用单位为W/m2。（）16.我国太阳能分布最丰富的是宁夏地区。（）17.我国无电地区大多集中于青藏高原、内蒙古、宁夏、陕西等西部地区。（）18.一般而言，晶体在同一方向上具有相同的周期性，而不
10、同方向上具有不同周期性。（）19.在倒格子中，以某一倒格点为原点，离原点次近的多面体称为第二布里渊区。（）20.在倒格子中，以某一倒格点为原点，离原点最近的多面体称为第一布里渊区。（）四、配伍题1.将下列事件与时间关系等一一对应。（1）1839年一一（A.法国物理学家A.E.Becqueral第一次在实验室中发现液体的光生伏特效应）（2）1877年一一（B.制作了第一片硒太阳电池）（3）1954一一（C.贝尔实验室Chapin等人开发出第一块实用的效率为6的单晶硅光电池）2.将下列地球太阳能资源分布情况与地区一一对应。（1）丰富程度最高地区一一（B.印度）（2）丰富程度中高地区一一（A.中国）
11、（3）丰富程度中低地区一一（C.日本）3.将下列定义与公式一一对应。（1）太阳高度角（C）（2）太阳方位角（A）（3）太阳入射角（B）4.将下列概念与意义一一对应。（1）太阳常数一一（A.描述大气层上的太阳辐射强度）（2）太阳光谱一一（B.太阳发射的电磁辐射在大气顶上随波长的分布）（3）大气光学质量一一（C.太阳光线穿过地球大气的路径与太阳光线在天顶角方向时穿过大气路径之比）5.将下列晶胞所含原子个数的计算方法一一对应。（1）顶点的原子一一（C.同时为8个晶胞所共有）（2）棱上的原子一一（B.同时为4个晶胞所共有）（3）面心的原子一一（A.同时为2个晶胞所共有）6.将下列晶体缺陷与特征一一对应
12、。（1）点缺陷一一（C.在三维尺寸均很小，只在某些位置发生，只影响邻近几个原子）（2）线缺陷一一（B.在二维尺寸小，在另一维尺寸大，可被电镜观察到）（3）面缺陷一一（A.在一维尺寸小，在另二维尺寸大，可被光学显微镜观察到）7.将下列省份地区与太阳能资源分布情况一一对应。（1）山东一一（B.三类）（2）江西一一（C.四类）（3）宁夏南部一一（A.二类）8.将下列世界气候带一一对应。（1）赤道带（C.南北纬10O以内）（2）热带一一（A.纬度10O回归线（23.5O）（3）温带一一（B.回归线至极圈（23.5O66.5O）9.将下列太阳大气结构与名称一一对应。（1）光球一一（C.最底层）（2）色球
13、一一（B.中层）（3）日冕一一（A.最外层）10.将下列我国太阳电池发展历程一一对应。（1）1958年一一（A.我国开始研制太阳电池）（2）1971年一一（B.我国发射的第二颗人造卫星科学实验卫星实践一号上首次应用太阳电池）（3）1979年一一（C.我国开始利用半导体工业废次硅材料生产单晶硅太阳电池）形考任务2一、单项选择题1.300K时，在本征半导体中掺入施主杂质形成N型半导体，欲使得锗中的费米能级低于导带底能量0.15eV，施主掺杂浓度ND为（）。A.3.187x1014cm-3B.3.187x1015cm-3C.3.187x1016cm-3D.3.187x1017cm-32.PN结中的总
14、的电子电流计算公式为（）。A.I=LnqDnni2(ekTqV1)（其中q是电荷量，Dn是电子扩散系数，ni是本征载流子浓度，Ln是电子扩散长度，V是外加电压，k是玻尔兹曼常数，T是绝对温度） B.I=V/R（欧姆定律，但不适用于PN结的非线性特性） C.I=CdtdV（电容的电流-电压关系，与PN结的稳态电流无关） D.I=nqAvd（电流的微观表达式，但需要考虑PN结的具体物理过程进行修正）3.PN结中的总的空穴电流计算公式为（）。A.与总的电子电流相等（在稳态情况下）B.Ip=复杂函数(V,T,材料参数)（过于复杂，不适合单项选择题）C.Ip=V/R（欧姆定律，不适用于PN结）D.Ip=CdV/dt（电容的充放电公式，与空穴电流无关）4.单晶一般是（）。A.凸多面体B.凹多面体C.圆球体D.立方体5.电子的扩散电流为（）。A.与电子的浓度梯度成正比B.与电子的浓度成正比C.与电子的迁移率成正比D.与电场强度成正比6.电子的漂移电流为（）。
