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1、Company LOGORoF 基本组成：基本组成：光源，光调制器，光放大器，光电探测器光源，光调制器，光放大器，光电探测器Company LOGO光调制器：依据的基本理论是各种不同形式的电光效应、声光效应、磁光效应、Fang-Keldgsh效应、量子阱Stark效应、载流子色散效应等主要包括：相位调制器和强度调制器强度调制器主要有：EAM和MZMCompany LOGO马赫-增德尔调制器（MZM）MZM结构构图Company LOGOMZM2个相位调制器输入光场输入光场驱动电压驱动电压相位调制引起的附加相位相位调制引起的附加相位经相位调制输出光场形式经相位调制输出光场形式Company LO
2、GO相位调制器如果如果Company LOGOMZM两个相位调制器假假设两臂分两臂分别调制了角制了角频率率为1, 2，幅度幅度为V1和和V2的的调制制电压Company LOGO马赫-增德尔调制器G是电极间间隔，L是电极长度，neff是铌酸锂光波导有效折射率，是电场与光场间之间重叠因子，为真空中光波波长，33为线性电光张量第九分量MZM输出光场为：为两个Y分支功率分配比，理想状况下1=2=1/2，所以Company LOGO马赫-增德尔调制器输出端光强为：(V1-V2)=0 Iout=Iin 最大输出点(V1-V2)=V/2 Iout=1/2Iin 正交点(quadrature point)(
3、V1-V2)=V Iout=0 最小输出点Company LOGO马赫-增德尔调制器 输出MZM光强经过光纤链路衰减注入到PD，根据PD探测原理，输出电流与光强成正比，系数为PD响应度 MZM在ROF系统中有着多方面的应用，主要包括射频信号调制到光载波上、毫米波信号的产生、上变频技术以及新型光调制技术的实现等等。Company LOGO电吸收调制器（EAM）电吸收调制器是一种P-I-N半导体器件，其I层由多量子阱（MQW）波导构成。当调制电压使P-I-N反向偏置时，入射光完全被I层吸收，入射光不能通过I层，相当于“0”码；反之，当偏置电压为零时，势垒小时，入射光不被I层吸收而通过它，相当于“1
4、”码，从而实现对入射光的调制。对不同波长的吸收峰不同，对同一波长不同能量的脉冲吸收不同电吸收调制器Company LOGO电吸收调制器特性吸收特性吸收系数是外加电压、入射光子能量的函数，同时又是与波长相关的函数。消光特性（通断状态下的光强度比）不加偏压时，光吸收最小，on,输出功率最大。入射波长越小，消光比越大。偏压特性调制电压反向偏置，随着偏压增大，量子阱电场增大，“断”，输出功率最小插入损耗特性通时的损耗啁啾特性折射率实部变化量比上虚部变化量Company LOGO优缺点马赫一增德尔干涉仪型强度调制器是比较常用的外调制器，其输出功率为两臂光场干涉的结果。这种调制器的缺点是工作在线性偏置点时，引入了固有的3dB损耗。此外调制器半波电压目前还较高，调制效率较低。它是一个铌酸锂器件，无法做到全光纤化。电吸收型强度调制器基于器件的各种电吸收效应。相比与MZM来说，其优点是易集成、驱动电压低并且调制速率高，但是损耗比较高，作为模拟调制器性能也不是很理想。
