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1、联芯科技联芯科技TD-LTE/TD-SCDMA产品简介产品简介 联芯科技公司简介 联芯科技TD-LTE/TD-SCDMA产品路标联芯科技LTE产品研发进展及计划目录大唐集团及联芯科技总体介绍联联芯芯科科技技有有限限公公司司联芯科技成立时间：2008年3月在上海设立主营业务：终端芯片与解决方案提供商单位性质：国有控股有限责任公司人员构成：公司现有员工超过1000人具有博士学位的员工约2%具有硕士学位的员工约48%联芯科技企业文化联芯科技版权所有核心价值观创新价值成就客户诚信正直注重结果企业精神乐业求精勇担当敢战善战战必胜愿景成为全球领先的移动互联网芯片及解决方案提供商使命联接信息世界用心丰富生活
2、联芯科技发展历程1998年2002年2005年成立大唐移动,主营GSM系统设备开发及产业化2007年2008年2009年2010年进入TD领域，从事无线子系统及终端技术研发与ADI合作，发布全球首个支持自动切换的商用TD/GSM双模终端解决方案发布全球首个TD-HSDPA/GGE双模终端解决方案3月，联芯科技成立5月，发布全球首各个TD-MBMS终端解决方案4月，发布全球首个TD-HSPA/GGE终端解决方案4月，发布全球首个TD-Ophone智能手机解决方案10月，联芯L系列芯片LC1708/1808成功商用量产3月，联芯科技与MTK合作共同发布世界首个TD-HSPA终端解决方案4月，联芯科
3、技推出千元TD智能手机解决方案10月，入驻大唐电信集团上海产业园国家重点实验室：无线移动通信国家重点实验室分中心国家工程实验室：新一代移动通信无线网络与芯片技术分中心上海市高新技术企业上海市小巨人企业2008年TD-SCDMA终端解决方案荣获国家信息产业重大技术发明2009年联芯科技TD-SCDMA/GSM终端高层协议栈软件V4.0荣获中国创新软件产品2009年被授予国家重点实验室-无线移动通信国家重点实验室分中心2009年被授予国家工程实验室-新一代移动通信无线网络与芯片技术2009年上海市集成电路设计行业销售前10名2009年被国家知识产权局授予中国专利优秀奖2010年联芯科技被授予“国家
4、高技术产业化示范工程”2010年联芯科技被TD联盟授予“TD终端创新发展贡献奖”2010年上海市创新型企业2010年上海市小巨人企业2010年度上海市集成电路设计业销售前十名2011年上海市高新技术成果转化项目联芯科技荣誉联芯科技内部资料ConfidentialTD-SCDMA/TD-LTE核心技术核心技术INNOPOWER核心套片核心套片OMS/Android/LARENA软件平台软件平台TD-SCDMA/TD-LTE终端解决方案OMS/Android/WM智能手机解决方案智能手机解决方案LARENA Phone解决方案解决方案TD-SCDMA/TD-LTE测试终端提供商测试终端提供商TD-
5、SCDMA/TD-LTE 融合终端解决方案融合终端解决方案TD-SCDMA/TD-LTE终端套片与解决方案提供商核心业务联芯科技发展战略及业务综述 联芯科技公司简介 联芯科技TD-LTE/TD-SCDMA产品路标联芯科技LTE产品研发进展及计划目录联芯科技技术演进路线图 通信制式芯片技术软件平台2011201120122012201320132014201420152015 联芯科技联芯科技TD-SCDMATD-SCDMA功能手机解决方案功能手机解决方案功能手机功能手机入门级手机入门级手机超低端手机超低端手机无线固话无线固话201120122013 TD-HSPA/EDGE 2 x ARM9
6、390MHz HVGA display Camera: 5M MP: NOW 65nm CMOS5chips TD-HSPA/EDGE ARM9 450MHz CMMB H.264 QVGA WQVGA display Camera: 3M MP: NOW 55nm LP CMOS TD-HSPA+/EDGE, 4.2Mbps DL ARM9 520MHz CMMB/PMU/Codec Integrated Camera: 8M(ISP) WVGA display LPDDR1/LPDDR2 ES: 4Q, 2012 MP: 2Q, 2013 40nm LP CMOS5chips TD-HSP
7、A+/EDGE ARM9 450MHz PMU/Codec Integrated LPDDR1/LPDDR2 ES: 4Q, 2012 MP: 2Q, 2013 40nm LP CMOS2chips2chips2chips TD-HSPA/EDGE ARM9 450MHz PMU/Codec Integrated ES: Jan, 2012 MP: Mar, 2012 55nm LP CMOS高集成度多媒体平台系列高集成度超低端平台系列LC1808BLC1806LC1716 TD-HSPA/EDGE ARM9 600MHz GPU：8M /s, 160Mpix/s Multi-format,
8、H.264 D130fps WVGA display LPDDR1150Mhz ES: Jan, 2012 MP: Mar, 2012 55nm LP CMOS2chipsLC1710LC1712LC1805Mass productionMass production65nm/55nm65nm/55nmUnder DevelopmentUnder Development55nm55nmIn PlanningIn Planning40nm40nmIn PlanningIn Planning40nm40nm 联芯科技联芯科技TD-SCDMATD-SCDMA智能手机解决方案智能手机解决方案中高端智能
9、中高端智能普及型智能普及型智能20112012Mass ProductionMass Production65nm/55nm65nm/55nmUnder DevelopmentUnder Development55nm/40nm55nm/40nm TD-HSPA/EDGE 2 x ARM9 600MHz HVGA displayAndroid 2.2 MP: NOW 65nm LP CMOSLC1809传统智能传统智能及及无线模块无线模块LC1809G TD-HSPA/EDGE 2 x ARM9 600MHzWVGA,display,GPU:2D/3DAndroid 2.3 ES: 4Q, 2
10、011, MP: 1Q, 201255nm LP CMOS s TD-HSPA/EDGE ARM9 390MHz MP: NOW 55nm LP CMOSLC1711 TD-HSPA/EDGE PMU Integrated ES: 1Q, 2012, MP: 1Q, 2012 55nm LP CMOSLC1713 TD-HSPA+/EDGE, 4.2Mbps, DC-HSPA, 5.6Mbps 2 x Cortex A9 1.2GHz 1080p, WXGA display, up to 20Mp camera HDMI, USB2.0 OTG/HS Android2.3/4.0 ES: 1Q
11、, 2012, MP: 3Q, 2012 40nm LP CMOS TD-HSPA+/EDGE, 4.2Mbps , DC-HSPA 5.6Mbps Single Cortex A9 1GHz720p, WVGA, up to 8Mp cameraAndroid 2.3/4.0 ES: 1Q, 2012, MP: 3Q, 2012 40nm, LP CMOSLC1810LC18112013 TD-HSPA+/EDGE, 4.2Mbps DC-HSPA+, 8.4Mbps PMU Integrated ES: 4Q, 2012, MP: 2Q, 2013 40nm LP CMOSLC1715In
12、 PlanningIn Planning28nm28nm 联芯科技联芯科技TD-LTETD-LTE终端解决方案终端解决方案20112012InIn Testing Testing 65nm65nmUnder DevelopmentUnder Development40nm40nm无线无线ModemModem2013智能手机智能手机平板电脑平板电脑 LTE R9, 150Mbps DL/50Mbps UL DC-HSPA+/TD-HSPA+/EDGE 2x Dual Cortex A9 1.5GHz1080P LPDDR2/LPDDR3533MHz POP WXGA LCD, up to 20M
13、p ES: 2Q, 2013, MP: 4Q, 2013 28nm LP CMOS LTE/TD-HSPA+/EDGE DC-HSPA+/MIMO Quad Cortex A15 2GHz DDR2/DDR3533MHz POP WXGA LCD, up to 20Mp ES: 2Q, 2013, MP: 4Q, 201328nm LP CMOSLC1815LC1820 TD-LTE R8/TD-HSPA ARM11 600MHzMP: 4Q, 2011 65nm LP CMOSLC1760 LTE R9, 150Mbps DL/100Mbps UL TD-HSPA+/DC-HSPA/EDGE
14、 ARM11 600MHz ES: 2Q, 2012, MP: 1Q, 2013 40nm LP CMOSLC1761 LTE-A R 10 DC-HSPA+/MIMO ES: 2Q, 2014 , MP: 2H, 2015 28nm LP CMOSLC1762LC1761LC1761通用AP +通用AP + 联芯科技联芯科技LTELTE测试终端产品路标测试终端产品路标 201120122013LC5160双模测试数据卡双模测试数据卡TD-S/TD-LTEUSB2.0BB:LC1760ES:4Q 2011,MP:Q1 2012三模测试手机三模测试手机GSM/TD-S/TD-LTEBB:LC18
15、10+LC1761ES:Q4 2012,MP:1Q 2013LC6161 V1.0三模测试模块三模测试模块GSM/TD-S/TD-LTEUSB2.0BB:LC1761ES: 4Q2012,MP:2Q 2013LC8161 V1.0LC5161 V1.0三模测试数据卡三模测试数据卡GSM/TD-S/TD-LTEUSB2.0BB:LC1761ES:4Q2012,MP:2Q 2013.LC8161 V2.0四模测试手机四模测试手机GSM/TD-S/TD-LTE/FD-LTEBB:LC1810+LC1761ES:2Q2013.7,MP:4Q2013测试模块测试模块测试手机测试手机测试数据卡测试数据卡L
16、C6161 V2.0四模测试模块四模测试模块GSM/TD-S/TD-LTE/FD-LTE BB:LC1761ES:2Q2013 MP:Q4 2013LC5161 V2.0四模测试数据卡四模测试数据卡GSM/TD-S/TD-LTE/FD-LTEBB:LC1761ES:2Q2013,MP:4Q2013TDS/TDLTDS/TDL双模测试终端双模测试终端双模测试终端双模测试终端TDL/TDS/GSMTDL/TDS/GSM三模测试终端三模测试终端三模测试终端三模测试终端FDL/TDL/TDS/GSMFDL/TDL/TDS/GSM四模测试终端四模测试终端四模测试终端四模测试终端 联芯科技公司简介 联芯科
17、技TD-LTE/TD-SCDMA产品路标联芯科技LTE产品研发进展及计划目录DTivy L1760 TD-LTE/TD-SCDMA双模解决方案12.30 LC1760样片2010.10 9.30完成单模Mtnet2x2测试小批量试产101112123456789101112123456789101112122011年2012年DTivy L17602013年2010年10.30双模重选11.30 双模切换pTD-LTE与TD-SCDMA两个模式可分别正常工作；p与大唐移动MTnet内场测试情况如下：协议基本功能：共103个用例（95个必选，8个可选），通过94个（90个必选，4个可选），N/A
18、 5个；业务能力测试：共9个用例，通过8个，N/A 1个；基本性能：共17个必选用例，通过11个；p射频测试：共27个必选用例，累计通过27个p与大唐移动的外场预测试进行中，可在外场正常开展业务并进行切换；p与上海贝尔的室内IOT测试完成75%的测试用例Mtnet 2x2测试进展：测试进展： 计划9月底完成Mtnet 2x2测试主要特性：主要特性：支持TDD Band：Band38和Band40频段支持PS业务，支持传输分集、空间复用和单流波束赋形，支持下行2*2 MIMO和下行4*2 MIMO支持LTE Category 3，下行100Mbps，上行50Mbps支持TD-SCDMA HSDP
19、A Category 15, TD-SCDMA HSUPA Category 6101112123456789101112123456789101112122011年2012年DTivy L17612013年2010年2012.12.30 2012.5.30 2013.1.30TD-LTE多模版本发布LC1761样片TD-LTE/FDD LTE多模版本发布2011.5LC1761 CDCP2011.11LC1761 PDCPProcess40nmPackageLFBGA10mmx10mmArch.ARMARM11ZSPZSP840RadioTD-LTE：150MbpsDL/50MbpsULDC
20、TD-HSPA/TD-HSPA+/GGEConn.USBUSB2.0HighSpeeddeviceUART3UARTportsDTivy L1761 LTE/TDS/GGE多模解决方案主要特性：主要特性：支持TDS Band：Band34（2010-2015）/Band39（1880-1920）支持TDL Band：Band38（2570-2620）/Band40（2300-2400）支持FDL Band: Band 1（1920-1980）/Band7（2500-2570）/Band17 （704-716）支持LTELTE Category 4Category 4，下行150Mbps，上行5
21、0Mbps支持双流波束赋形，支持CSFB语音回落到TD-SCDMA/GSM系统；支持FDD/TD-LTE 、DC TD-HSPA、TD-HSPA+、GGE四模测量、重选和切换功能集成FDD LTE/TD-LTE/TD-HSPA+/GGE物理层加速器 支持双SIM卡，ISIM/USIM/SIM应用TD-LTE与与TD-SCDMA协调发展：展：建议第二阶段规模技术试验测试突出TD-LTE/TD-SCDMA双模，对EDGE暂不做要求尽快明确TD-LTE /TD-SCDMA/GGE多模双待与多模单待终端技术需求TD-SCDMA的后续增强技术与LTE产业同步演进、还是TDS停止在某个阶段?TD-LTE的的频段段问题： ：需要尽早确定18801920MHz（ F频段）、700MHz频段是否为TD-LTE扩展频段，频段的不确定会影响TD-LTE终端芯片，特别是终端射频芯片的成熟周期TD-LTE产业总体体发展展规划：划：对TD-LTE产业总体发展的规划时间表，如牌照发放时间计划等对TD-LTE的发展建议与讨论 请批评指正！请批评指正！
