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1、计算机组成原理实验计算机组成原理实验1实验二半导体存储器原理实验(信软课件一、实验目的一、实验目的三、实验原理三、实验原理四、实验连线四、实验连线五、实验步骤五、实验步骤实验二实验二 存储器实验存储器实验二、实验设备二、实验设备2实验二半导体存储器原理实验(信软课件一、实验目的一、实验目的1.1.掌握半导体掌握半导体RAM 6264RAM 6264的特性和使用方法。的特性和使用方法。2.2.掌握掌握62646264存储器的读写方法。存储器的读写方法。3.3.按给定数据，完成实验指导书中的存储器读按给定数据，完成实验指导书中的存储器读写操作。写操作。3实验二半导体存储器原理实验(信软课件n二、实
2、验设备（平台）二、实验设备（平台）DVCCDVCC实验机平面图实验机平面图4实验二半导体存储器原理实验(信软课件三、实验原理三、实验原理nRAM 6264RAM 6264芯片外特性芯片外特性工作工作方式方式I/O输入（控制）入（控制）DIDO/OE/WE/CS非非选择XHIGH-ZXXH读出出HIGH-ZDOLHL写入写入DIHIGH-ZHLL写入写入DIHIGH-ZLLL选择XHIGH-ZHHLn62646264功能表功能表5实验二半导体存储器原理实验(信软课件n 存储器实验电路原理图存储器实验电路原理图( (图图3-5)3-5)数据输入三态缓冲器门控信号数据输入三态缓冲器门控信号数据输入三
3、态缓冲器门控信号数据输入三态缓冲器门控信号 SWBSWB（0 0有效）有效）有效）有效）AR地址地址地址地址A0A0A7A7有效有效有效有效可寻址可寻址可寻址可寻址256256个单元个单元个单元个单元8Kx8数据总线挂在外部数数据总线挂在外部数数据总线挂在外部数数据总线挂在外部数据总线据总线据总线据总线EXD0EXD0 EXD7EXD78 8位地址由位地址由位地址由位地址由ARAR给出给出给出给出地址值由地址值由地址值由地址值由LAD0-7LAD0-7显示显示显示显示输入数据由输入数据由输入数据由输入数据由8 8位数据开位数据开位数据开位数据开关关关关KD0KD0 KD7KD7提供提供提供提供
4、三态门和外部总线相连三态门和外部总线相连三态门和外部总线相连三态门和外部总线相连外总线与内总线相连外总线与内总线相连外总线与内总线相连外总线与内总线相连读出数据由读出数据由读出数据由读出数据由LZD0-7LZD0-7显示显示显示显示地址锁存地址锁存地址锁存地址锁存ARAR控制信号控制信号控制信号控制信号 LDARLDAR （1 1有效）有效）有效）有效）存储器片选信号存储器片选信号存储器片选信号存储器片选信号CE CE （0 0有效）有效）有效）有效） 存储器写信号存储器写信号WEWE（1 1有效）有效）有效）有效）存储器读信号存储器读信号存储器读信号存储器读信号WEWE（0 0有效）有效）有
5、效）有效）地址锁存地址锁存地址锁存地址锁存ARAR和数据写入和数据写入和数据写入和数据写入62646264脉冲信号脉冲信号脉冲信号脉冲信号 T3T36实验二半导体存储器原理实验(信软课件四、实验连线四、实验连线n仔细查看试验箱，按以下步骤连线仔细查看试验箱，按以下步骤连线1 1） MBUSMBUS连连BUS2BUS22) 2) EXJ1EXJ1连连BUS3BUS33)3)跳线器跳线器J22J22的的T3T3连连TS3TS34)4)跳线器跳线器J16J16的的SPSP连连H23H23（拨在右边）（拨在右边）5)5)跳线器跳线器SWBSWB、CECE、WEWE、LDARLDAR拨在左边拨在左边6)
6、6)开关开关“运行控制运行控制”拨在拨在“运行运行”7)7)开关开关“运行方式运行方式”拨在拨在“单步单步”8)8)开关开关“总清总清”拨在拨在“1 1”（无效状态）（无效状态）7实验二半导体存储器原理实验(信软课件四、实验连线四、实验连线- -未连线未连线8实验二半导体存储器原理实验(信软课件四、实验连线四、实验连线- -MBUSMBUS连连BUS2/BUS6 BUS2/BUS6 9实验二半导体存储器原理实验(信软课件四、实验连线四、实验连线- - EXJ1 EXJ1连连BUS3BUS310实验二半导体存储器原理实验(信软课件四、实验连线四、实验连线- -跳线器跳线器J22J22的的T3T3
7、连连TS3TS3J22J22的的的的T3T3连连连连TS3TS311实验二半导体存储器原理实验(信软课件四、实验连线四、实验连线- -跳线器跳线器J16J16的的SPSP连连H23H23J16J16的的的的SPSP连连连连H23H2312实验二半导体存储器原理实验(信软课件SWBSWB、CECE、WEWE、LDARLDAR四个跳线器拨在左边四个跳线器拨在左边SWBSWB跳线拨左边跳线拨左边跳线拨左边跳线拨左边CECE跳线拨左边跳线拨左边跳线拨左边跳线拨左边WEWE跳线拨左边跳线拨左边跳线拨左边跳线拨左边LDARLDAR跳线拨左边跳线拨左边跳线拨左边跳线拨左边13实验二半导体存储器原理实验(信软
8、课件三个开关三个开关运行控制拨运行控制拨运行控制拨运行控制拨“ “运行运行运行运行” ”运行方式拨运行方式拨运行方式拨运行方式拨“ “单步单步单步单步” ”总清拨总清拨总清拨总清拨“ “单步单步单步单步” ”14实验二半导体存储器原理实验(信软课件四、实验连线四、实验连线- -连线及跳线完毕连线及跳线完毕15实验二半导体存储器原理实验(信软课件五、实验步骤五、实验步骤1.1.连接线路，仔细检查核对后接通电源。连接线路，仔细检查核对后接通电源。2.2.用二进制数据开关用二进制数据开关KD0-KD7KD0-KD7向地址寄存器向地址寄存器ARAR写入写入8 8位地址。位地址。3.3.用二进制数据开关
9、用二进制数据开关KD0-KD7KD0-KD7向向64246424的存储单的存储单元写入元写入8 8位数据。（写数据）位数据。（写数据）4.4.重复第重复第2 2步（将地址送入步（将地址送入ARAR准备读数据）。准备读数据）。5.5.从存储单元读出数据并验证。从存储单元读出数据并验证。6.6.填写实验报告表填写实验报告表3-23-2、表、表3-33-3中的空白数据。中的空白数据。16实验二半导体存储器原理实验(信软课件步骤步骤2. 82. 8位地址的写入位地址的写入调拨调拨8 8位开关位开关KD0-KD7KD0-KD7为为（00H00H） ，准备向，准备向ARAR送送地址。地址。三态缓冲器门控信
10、号三态缓冲器门控信号 SWB=0SWB=0（打开打开）。）。地址寄存器地址寄存器ARAR控制信号控制信号LDAR=1LDAR=1（打开打开）。）。存储器片选信号存储器片选信号CE= 1CE= 1( (片选无效）片选无效）打入脉冲信号打入脉冲信号T3 T3 ，将地址，将地址00H00H置入置入ARAR。17实验二半导体存储器原理实验(信软课件步骤步骤2. 82. 8位地址的写入位地址的写入(00H)(00H)打开三态门控制信号打开三态门控制信号打开三态门控制信号打开三态门控制信号SWB=0SWB=0通过通过通过通过8 8位开关位开关位开关位开关KD0-KD7KD0-KD7输入输入输入输入00H0
11、0H按下按下按下按下“ “复位复位复位复位” ”键键键键发出总清信号发出总清信号发出总清信号发出总清信号打开打开打开打开ARAR控制信号控制信号控制信号控制信号LDAR=1LDAR=1关闭片选信号关闭片选信号关闭片选信号关闭片选信号CE=1CE=1打入脉冲信号打入脉冲信号打入脉冲信号打入脉冲信号T3T3LAD0-LAD7LAD0-LAD7显示输入地址显示输入地址显示输入地址显示输入地址00H00H18实验二半导体存储器原理实验(信软课件步骤步骤3.83.8位数据的写入位数据的写入调拨调拨8 8位开关位开关KD0-KD7KD0-KD7为为（11H11H） ，准备向，准备向ARAR送送地址。地址。
12、数据输入三态缓冲器门控信号数据输入三态缓冲器门控信号SWB=0SWB=0（打开打开）；）；地址寄存器地址寄存器ARAR控制信号控制信号LDAR=0LDAR=0（关闭关闭）。）。存储器片选信号存储器片选信号CE= 0CE= 0（片选有效）（片选有效）存储器写信号存储器写信号WE=1WE=1 ( (写数据）写数据）打入脉冲信号打入脉冲信号T3 T3 ，将数据，将数据11H11H置入存储器中的置入存储器中的指定单元。指定单元。19实验二半导体存储器原理实验(信软课件步骤步骤3. 83. 8位数据的写入位数据的写入(11H)(11H)打开三态门控制信号打开三态门控制信号打开三态门控制信号打开三态门控制
13、信号SWB=0SWB=0通过通过通过通过8 8位开关位开关位开关位开关KD0-KD7KD0-KD7输入输入输入输入11H11H关闭关闭关闭关闭ARAR控制信号控制信号控制信号控制信号LDAR=0LDAR=0打开片选信号打开片选信号打开片选信号打开片选信号CE=0CE=0打入脉冲信号打入脉冲信号打入脉冲信号打入脉冲信号T3T3存储器写信号存储器写信号存储器写信号存储器写信号WE=1WE=1（写）（写）（写）（写）20实验二半导体存储器原理实验(信软课件步骤步骤4.4.向向ARAR送入送入00H00H地址地址重复步骤重复步骤2 2（不要发（不要发“复位复位”信号）。信号）。将将00H00H地址送入
14、地址送入ARAR，准备从该单元读出先前写入，准备从该单元读出先前写入数据数据。21实验二半导体存储器原理实验(信软课件步骤步骤4. 4. 再次向再次向ARAR写入写入8 8位地址位地址 (00H)(00H)打开三态门控制信号打开三态门控制信号打开三态门控制信号打开三态门控制信号SWB=0SWB=0通过通过通过通过8 8位开关位开关位开关位开关KD0-KD7KD0-KD7输入输入输入输入00H00H打开打开打开打开ARAR控制信号控制信号控制信号控制信号LDAR=1LDAR=1关闭片选信号关闭片选信号关闭片选信号关闭片选信号CE=1CE=1打入脉冲信号打入脉冲信号打入脉冲信号打入脉冲信号T3T3
15、22实验二半导体存储器原理实验(信软课件步骤步骤5.5.读出存储器读出存储器00H00H地址中的数据地址中的数据数据输入三态缓冲器门控信号数据输入三态缓冲器门控信号SWB=1SWB=1（关闭关闭）；）；地址寄存器地址寄存器ARAR控制信号控制信号LDAR=0LDAR=0（关闭关闭）。）。存储器片选信号存储器片选信号CE= 0CE= 0（片选有效）（片选有效）存储器写信号存储器写信号WE=0WE=0 ( (读数据）读数据）23实验二半导体存储器原理实验(信软课件步骤步骤5. 5. 读出读出8 8位数据位数据(11H)(11H)关闭三态门控制信号关闭三态门控制信号关闭三态门控制信号关闭三态门控制信
16、号SWB=1SWB=1关闭关闭关闭关闭ARAR控制信号控制信号控制信号控制信号LDAR=0LDAR=0打开片选信号打开片选信号打开片选信号打开片选信号CE=0CE=0存储器读信号存储器读信号存储器读信号存储器读信号WE=0WE=0（读）（读）（读）（读）LZD0-LZD7LZD0-LZD7显示读出数据显示读出数据显示读出数据显示读出数据11H11H24实验二半导体存储器原理实验(信软课件表表3-2 3-2 存储器电路控制信号功能表存储器电路控制信号功能表控制信号控制信号控制信号控制信号写地址写地址写地址写地址写内容写内容写内容写内容读内容读内容读内容读内容SWBSWB0 00 01 1LDAR
17、LDAR1 10 00 0CECE1 10 00 0/WE/WE0 01 10 0n根据读写原理填写表根据读写原理填写表3-23-2。步骤步骤6.6.填写控制信号功能表填写控制信号功能表25实验二半导体存储器原理实验(信软课件步骤步骤6.6.记录向存储器写入数据的操作过程记录向存储器写入数据的操作过程1) 1) 1) 1) 按照指导书向存储器地址为按照指导书向存储器地址为按照指导书向存储器地址为按照指导书向存储器地址为00H00H00H00H， 01H01H01H01H，02H02H02H02H，03H03H03H03H，04H04H04H04H，05H05H05H05H的的的的单元分别写入数
18、据：单元分别写入数据：单元分别写入数据：单元分别写入数据：55H55H55H55H，33H33H33H33H，44H44H44H44H，66H66H66H66H，08H08H08H08H，F0HF0HF0HF0H。地址地址地址地址内容内容内容内容地址地址地址地址内容内容内容内容55H55H08H08H33H33HF0HF0H44H44HFFHFFH66H66H08H08H表表3-3 3-3 存储器实验数据表存储器实验数据表2) 2) 2) 2) 写出读出存储器单元内容的操作过程写出读出存储器单元内容的操作过程写出读出存储器单元内容的操作过程写出读出存储器单元内容的操作过程, , , ,并在表并在表并在表并在表3-33-33-33-3记录指定地址记录指定地址记录指定地址记录指定地址单元读出的内容单元读出的内容单元读出的内容单元读出的内容26实验二半导体存储器原理实验(信软课件
