LED芯片的发展趋势课件

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1、1.4 LED芯片的发展趋势芯片的发展趋势LED芯片的发展趋势LED芯片的发展趋势芯片的发展趋势l一、大功率芯片一、大功率芯片l二、高效率芯片二、高效率芯片l三、我国芯片发展情况三、我国芯片发展情况LED芯片的发展趋势一、一、LED芯片大功率芯片大功率l在在LEDLED按输入功率分类中,瓦级按输入功率分类中,瓦级LEDLED芯片的尺寸芯片的尺寸为为11mm11mm,小功率,小功率LEDLED芯片为芯片为88mil=20020088mil=200200m。l是不是会得出是不是会得出这样的的结论:LED的芯片尺寸越的芯片尺寸越大,大,输入的入的电功率越大,功率越大,输出光通量越大。出光通量越大。l

2、研究表明:当芯片尺寸大于研究表明:当芯片尺寸大于1.6661.666mm1.6661.666mm时,时,发光不会与芯片面积成正比,而是随着芯片面发光不会与芯片面积成正比,而是随着芯片面积的增加,发光强度减小。积的增加,发光强度减小。一、发展趋势之大功率LED芯片的发展趋势一、一、LED芯片大功率芯片大功率未来大功率未来大功率LED的获得方法的获得方法l不可能由大尺寸面积的单芯片不可能由大尺寸面积的单芯片LED完成完成l由多个芯片组合做成高亮度由多个芯片组合做成高亮度LED光源。光源。一、发展趋势之大功率LED芯片的发展趋势二、高效率二、高效率LED芯片发光效率的理论推算芯片发光效率的理论推算l

3、200lm/W二、发展趋势之高效率LED芯片的发展趋势目前的效率水平目前的效率水平以白光以白光LED为例为例l2000年:年:10lm/Wl市场:市场:70100lm/W二、发展趋势之高效率LED芯片的发展趋势2008年年Osram新款白光新款白光LED发光效率又创新高发光效率又创新高l在在350mA的工作电流下,峰值亮度达到了的工作电流下,峰值亮度达到了155lm,发,发光效率为光效率为136lm/W。l研究人员使用了一种新型研究人员使用了一种新型1平方毫米平方毫米LED发光元件。发光元件。这种这种LED原型的色温为原型的色温为5000K,色座标为(,色座标为(0.349,0.393)(x,

4、y)。l欧司朗表示这种欧司朗表示这种LED还可以工作于还可以工作于1.4A电流下,亮度电流下,亮度可达到可达到500lm,潜在应用包括投影仪、汽车车灯以及,潜在应用包括投影仪、汽车车灯以及其他需要高亮度照明场合,届时仅靠单颗其他需要高亮度照明场合,届时仅靠单颗LED就能满就能满足人们的需要。目前,欧司朗准备将这项技术迅速从足人们的需要。目前,欧司朗准备将这项技术迅速从实验室带入市场。实验室带入市场。 二、发展趋势之高效率LED芯片的发展趋势提高发光效率的方法提高发光效率的方法l内量子效率:电子跃迁产生光子的效率。基本内量子效率:电子跃迁产生光子的效率。基本可以达到可以达到80甚至甚至90以上。

5、以上。l外量子效率:远没有上面的高,也就是光子产外量子效率:远没有上面的高,也就是光子产生了,却无法有效提取,被生了,却无法有效提取,被LED吸收产生为热吸收产生为热能导致结温升高能导致结温升高 。从芯片的外延片的结构中。从芯片的外延片的结构中考虑,如衬底的结构、芯片表面处理、芯片大考虑,如衬底的结构、芯片表面处理、芯片大小、封装方法等方面改善。小、封装方法等方面改善。二、发展趋势之高效率LED芯片的发展趋势提高外量子效率简介提高外量子效率简介l衬底剥离技术衬底剥离技术 l表面粗化技术表面粗化技术 l制备基于二维光子晶体的微结构制备基于二维光子晶体的微结构 l倒装芯片技术倒装芯片技术 l芯片表

6、面处理技术芯片表面处理技术 l全方位反射膜全方位反射膜 l发展大功率大尺寸芯片发展大功率大尺寸芯片 l提高侧向出光的利用效率提高侧向出光的利用效率 二、发展趋势之高效率LED芯片的发展趋势三、我国芯片发展情况三、我国芯片发展情况“十一五十一五”半导体照明战略目标示意图半导体照明战略目标示意图LED芯片的发展趋势我国我国LED芯片国产化趋势变化芯片国产化趋势变化 三、我国芯片发展情况三、我国芯片发展情况LED芯片的发展趋势国内外白光国内外白光LED芯片指标对比芯片指标对比三、我国芯片发展情况三、我国芯片发展情况LED芯片的发展趋势小结小结LED的发展趋势的发展趋势l一是高功率,通过增加单个芯片的尺寸面积达一是高功率,通过增加单个芯片的尺寸面积达到,或是组合使用大功率单个到,或是组合使用大功率单个LED芯片。芯片。l二是高效率,在内部量子效率无法提高的情况二是高效率,在内部量子效率无法提高的情况下,尽可能提高外量子效率,是产生的光子有下,尽可能提高外量子效率,是产生的光子有效地辐射出来。效地辐射出来。三、我国芯片发展情况三、我国芯片发展情况LED芯片的发展趋势

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