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1、1、双极型晶体三极管的基本结构、双极型晶体三极管的基本结构三极管由两个三极管由两个PN结构成。两个结构成。两个PN结的连接方式不同有不同的类结的连接方式不同有不同的类型：型：NPN 型和型和 PNP型型发射区发射区基区基区集电区集电区发射区发射区基区基区集电区集电区从三个区分别引出一个端，分别称从三个区分别引出一个端，分别称发射极发射极E、基极基极B、集电极集电极CEEBBCPPNNNPC三个区的结合界面形成两个三个区的结合界面形成两个PN结，基区与发射区之间的结，基区与发射区之间的PN结称为结称为发射结（发射结（EB结）结），基区与集电区之间的，基区与集电区之间的PN结称为结称为集电结（集电
2、结（CB结）结）在三个半导体区中，基区非常薄，使得两个在三个半导体区中，基区非常薄，使得两个PN结之间的工作互相结之间的工作互相影响，从而使它们与两个独立二极管串联存在本质上的性能差别。影响，从而使它们与两个独立二极管串联存在本质上的性能差别。NPN三极管三极管PNP三极管三极管双极型晶体三极管双极型晶体三极管三个半导体区分别称为三个半导体区分别称为发射区、基区、集电区。发射区、基区、集电区。集电结集电结集电结集电结发射结发射结发射结发射结2、三极管的电路符号、三极管的电路符号PNP三极管三极管NPN三极管三极管CEBiCiBiECEBiCiBiE3、三极管的电流放大作用、三极管的电流放大作用
3、 要使三极管具有放大作用，基本条件是发要使三极管具有放大作用，基本条件是发射结加正向电压（正偏），集电结加反向电压射结加正向电压（正偏），集电结加反向电压（反偏）。（反偏）。 电流放大原理电流放大原理BECNNPEBRBEc发射结正发射结正偏，发射偏，发射区电子不区电子不断向基区断向基区扩散，形扩散，形成发射极成发射极电流电流IE。IE基区空基区空穴向发穴向发射区的射区的扩散可扩散可忽略。忽略。IBE进入进入P区的电子区的电子少部分与基区的少部分与基区的空穴复合，形成空穴复合，形成电流电流IBE ，多数多数扩散到集电结。扩散到集电结。BECNNPEBRBEcIE集电结反偏，集电结反偏，有少子形
4、成的有少子形成的反向电流反向电流ICBO。ICBO从基区扩散从基区扩散来的电子作来的电子作为集电结的为集电结的少子，漂移少子，漂移进入集电结进入集电结而被收集，而被收集，形成形成ICE。IC=ICE+ICBO ICEIBEICEIB=IBE-ICBO IBEIBBECNNPEBRBEcIEICBOICEIC=ICE+ICBO ICEIBEICE与与IBE之比称为电流放大倍数之比称为电流放大倍数 表明基极电流对集电极电流具有控制表明基极电流对集电极电流具有控制作用。这就是三极管的电流放大作用。作用。这就是三极管的电流放大作用。注意：这个放大作用是指一个小电流控制一个大注意：这个放大作用是指一个小
5、电流控制一个大电流的作用。而不是能量的放大。能量是不能放电流的作用。而不是能量的放大。能量是不能放大的。大的。从这个意义上看：三极管是个电流放大元件从这个意义上看：三极管是个电流放大元件 PNP管的分析同管的分析同NPN管相同。使用时注意各极管相同。使用时注意各极极性和电流方向：极性和电流方向：NPN三极管三极管CEBiCiBiEUBE+-+-UCE-+PNP三极管三极管CEBiCiBiE+-+-UEBUEC+- 为了保证受控载流子流的传输，制造晶体三极管为了保证受控载流子流的传输，制造晶体三极管时应满足两个条件：时应满足两个条件：a 发射区掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。发射区掺杂浓度远大于基
6、区的掺杂浓度。b 基区宽度应很小，以保证基区宽度应很小，以保证 IE中被复合的成份少，大中被复合的成份少，大部分能到达集电极，成为可控的集电极电流。部分能到达集电极，成为可控的集电极电流。三极管产生放大作用的条件：三极管产生放大作用的条件：1、内部条件：、内部条件：2、外部条件：、外部条件：a发射结加正向电压（正偏）发射结加正向电压（正偏）b集电结加反向电压（反偏）集电结加反向电压（反偏）NPN管：管：UCUBUEPNP管：管：UCUB 共发射极连接共发射极连接CEBiCiBiEEb 共基极连接共基极连接EBCBiEiBiCiEiCiBBCECc 共集电极连接共集电极连接注意：箭头表示电流的真
7、实方向注意：箭头表示电流的真实方向输入特性曲线：输入特性曲线： 因为晶体管有一对输入端和一对输出端，因此，要完整地因为晶体管有一对输入端和一对输出端，因此，要完整地描述晶体管的伏安特性，就必须用两组表示不同端电压、电流描述晶体管的伏安特性，就必须用两组表示不同端电压、电流之间关系的特性曲线来表示。以共发射极为例来具体分析。之间关系的特性曲线来表示。以共发射极为例来具体分析。 输入特性曲线是指当集输入特性曲线是指当集射极之间的电压射极之间的电压UCE为某一常数时，为某一常数时，输入回路中的基极电流输入回路中的基极电流IB与加在基与加在基射极间的电压射极间的电压UBE之间的关系之间的关系曲线。曲线
8、。5、晶体三极管的特性曲线、晶体三极管的特性曲线 晶体管的特性曲线是用来表示各极电压和电流之间相互晶体管的特性曲线是用来表示各极电压和电流之间相互关系，反映的是晶体管的性能。关系，反映的是晶体管的性能。IB( A)UBE(V)204060800.4 0.8UCE 1V 死区电压，死区电压，硅管硅管0.5V，锗管锗管0.2V。工作压降：工作压降： 硅管硅管UBE 0.60.7V,锗管锗管UBE 0.20.3V。输出特性曲线输出特性曲线0uCEiCNPNiB=0iB3iB2iB1iB3 iB2 iB10从输出特性上，可将三极管分为三个工作区（工作状态）：从输出特性上，可将三极管分为三个工作区（工作
9、状态）：截止截止(Cut off)、饱和饱和(Saturation)、放大放大(Active)。截止截止饱和饱和放大放大集电极电流受基极电流控制，所以集电极电流受基极电流控制，所以晶体三极管又称为电流控制器件晶体三极管又称为电流控制器件 输出特性曲线是指当基极电流输出特性曲线是指当基极电流IB为常数时，输出电为常数时，输出电路中集电极电流路中集电极电流IC与集与集射极间的电压射极间的电压UCE之间的关系之间的关系曲线。曲线。输出特性曲线输出特性曲线IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A此区域满此区域满足足IC= IB称称为线性区为线性区（
10、放大区）（放大区）。IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A此区域中此区域中UCE UBE,集电结正偏，集电结正偏， IBIC，UCE 0.3V称为饱和区。称为饱和区。IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A此区域中此区域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE iB2 iB10截止截止饱和饱和放大放大IB = 0 曲线以下的区域。曲线以下的区域。条件：发射结零偏或反偏条件：发射结零偏或反偏集电结反偏集电结反偏RCUCCTRBUBBIBICIEIB = 0, IC = IE = ICEO
11、 (穿透电流穿透电流) ICEO受温度影响很大受温度影响很大, 温度升高温度升高, ICEO增大。增大。由于由于ICEO很小，此时很小，此时UCE近似近似等于等于ECC，C与与E之间相当与之间相当与断路。断路。2）饱和区）饱和区条件：发射结正偏，集电结正偏。条件：发射结正偏，集电结正偏。饱和电压记为饱和电压记为UCES，硅管硅管 UCES = 0.30.5V锗管锗管 UCES = 0.10.2V。C与与E之间相当于短路之间相当于短路。3）放大区）放大区条件：发射结正偏；集电结反偏。条件：发射结正偏；集电结反偏。晶体管具有放大作用。晶体管具有放大作用。特点：特点： 当当IB有很小的变化时，有很小
12、的变化时，IC变化很大。变化很大。 UCE变化时，变化时，IC基本不变。基本不变。对于三极管的输出特性，以下三点应有深刻认识：对于三极管的输出特性，以下三点应有深刻认识：三极管工作在放大区时，改变三极管工作在放大区时，改变IB的大小，的大小，IC的大小的大小会随之改变。因此，改变会随之改变。因此，改变IC的唯一途径就是改变的唯一途径就是改变IB，而而这正是这正是IB对对IC的控制作用。的控制作用。三极管电流放大作用能力的大小，反映在输出特性三极管电流放大作用能力的大小，反映在输出特性曲线平坦部分间隔的大小上。间隔大，即曲线平坦部分间隔的大小上。间隔大，即IC大，因而大，因而放大能力（即放大能力
13、（即 ）也大。也大。三极管具有恒流特性。在放大区时，增大三极管具有恒流特性。在放大区时，增大UCE，IC不不会明显增加，这就是三极管的恒流特性。会明显增加，这就是三极管的恒流特性。6、三极管的作用、三极管的作用1）用作放大元件）用作放大元件2）用作开关元件。）用作开关元件。工作在放大区，构成放大电路工作在放大区，构成放大电路工作在截至区、饱和区，构成数字电路等工作在截至区、饱和区，构成数字电路等例例 判断图中晶体管的工作状态。判断图中晶体管的工作状态。解：解：（a）是是NPN管管， UCUB UE工作在放大状态。工作在放大状态。（b）是是PNP管管， UEUB UC工作在放大状态。工作在放大状
14、态。（c）是是NPN管管， UEUB ， UCUB ,发射结、集电发射结、集电结均反偏结均反偏工作在截止状态。工作在截止状态。6、晶体管的主要参数、晶体管的主要参数共射共射直流电流放大倍数直流电流放大倍数：1）电流放大倍数）电流放大倍数和和 工作于动态的三极管，真正的信号工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为的变化量为 IB，相应的集电极电流变相应的集电极电流变化为化为 IC，则则交流电流放大倍数交流电流放大倍数为：为： 和和 含义不同，但在输出特性放大区内，曲线含义不同，但在输出特性放大区内，曲线接近于平行等距接近于平行等
15、距: 所以今后在使用时，一般用所以今后在使用时，一般用 代替代替 ，而不将，而不将二者分开。二者分开。 由于制造工艺的分散性，同一型号的晶体管，由于制造工艺的分散性，同一型号的晶体管， 值也有很大差别。常用的晶体管的值也有很大差别。常用的晶体管的 值一般在值一般在 20100之间。之间。例：例：UCE=6V时时：IB=40 A, IC=1.5mA； IB=60 A, IC=2.3mA。在以后的计算中，一般作近似处理：在以后的计算中，一般作近似处理： =2）集）集-基极反向截止电流基极反向截止电流ICBO AICBOICBO是集是集电结反偏电结反偏由少子的由少子的漂移形成漂移形成的反向电的反向电
16、流，受温流，受温度的变化度的变化影响。影响。 通常希望通常希望ICBO越小越好。在温度稳定性方面，越小越好。在温度稳定性方面，硅管比锗管好。硅管比锗管好。3）集）集-射极反向截止电流射极反向截止电流ICEO AICEOBECNNPICBOICEO= ICBO+ICBO IBE IBEICBO进入进入N区，区，形成形成IBE。根据放大关根据放大关系，由于系，由于IBE的存在，必的存在，必有电流有电流 IBE。集电结反偏集电结反偏有有ICBO4）集电极最大电流）集电极最大电流ICM集电极电流集电极电流IC上升会导致三极管的上升会导致三极管的 值的下降，当值的下降，当 值下降到正常值的三分值下降到正
17、常值的三分之二时的集电极电流即为之二时的集电极电流即为ICM。所以集电极电流应为：所以集电极电流应为：IC= IB+ICEO而而ICEO受温度影响很大，当温度上升受温度影响很大，当温度上升时，时，ICEO增加很快，所以增加很快，所以IC也相应增加。也相应增加。三极管的温度特性较差三极管的温度特性较差。5 5）集）集- -射极反向击穿电压射极反向击穿电压手册上给出的数值是手册上给出的数值是2525 C C、基极基极开路时的击穿电压开路时的击穿电压U(BR)CEO。 是指当基极开路时，加在集电极和发射极是指当基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压。集之间的最大允许电压。集射极之间电压超射
18、极之间电压超过过U(BR)CEO时，集电极电流会大幅度上升，此时，集电极电流会大幅度上升，此时，三极管被击穿而损坏。时，三极管被击穿而损坏。6）集电极最大允许功耗）集电极最大允许功耗PCM集电极电流集电极电流IC流过三极管，所发出的流过三极管，所发出的功率为：功率为：PC=ICUCEPC PCM 两个结上消耗的功率分别等于通过结的电流乘以两个结上消耗的功率分别等于通过结的电流乘以加在结上的电压，一般集电结上消耗的功率比发射结加在结上的电压，一般集电结上消耗的功率比发射结大得多，用大得多，用PCM表示，这个功率将导致集电结发热，表示，这个功率将导致集电结发热，结温上升，当结温超过最高工作温度时，
19、管子性能下结温上升，当结温超过最高工作温度时，管子性能下降，甚至被烧坏。因此集电结的最高工作温度决定了降，甚至被烧坏。因此集电结的最高工作温度决定了三极管的最大集电极耗散功率。三极管的最大集电极耗散功率。ICUCEICUCE=PCMICMU(BR)CEO安全工作区安全工作区 由由U(BR)CEO、PCM、ICM共同确定三极管的安全工共同确定三极管的安全工作区，如图所示。作区，如图所示。6、半导体三极管的主要参数、半导体三极管的主要参数（1）电流放大系数）电流放大系数(a)直流直流(静态静态) (hFE)(b)交流交流(动态动态) (hfe) 和和 含义不同，但在输出特性放大区内，曲线接近于平行
20、等距，含义不同，但在输出特性放大区内，曲线接近于平行等距，所以今后在使用时，一般用所以今后在使用时，一般用 代替代替 ，而不将二者分开。，而不将二者分开。由于制造工艺的分散性，同一型号的晶体管，由于制造工艺的分散性，同一型号的晶体管， 值也有很大差别。值也有很大差别。常用的晶体管的常用的晶体管的 值一般在值一般在20100之间。之间。（2）极间反向电流）极间反向电流(a) 集集基反向饱和电流基反向饱和电流ICBO(b) 集集射穿透电流射穿透电流 ICEO ICBO是发射极开路时，是发射极开路时，集集基反向饱和电流。通常希望基反向饱和电流。通常希望ICBO越小越小越好。在温度稳定性方面，硅管比锗
21、管好。越好。在温度稳定性方面，硅管比锗管好。ICEO是基极开路时，从集电极直接穿透三极管到达发射极的电流。是基极开路时，从集电极直接穿透三极管到达发射极的电流。（3）集）集射反向击穿电压射反向击穿电压U(BR)CEO由由U(BR)CEO、PCM、ICM共同确定三共同确定三极管的安全工作区，如图所示。极管的安全工作区，如图所示。是指当基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压。是指当基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压。集集射极之间电压超过射极之间电压超过U(BR)CEO时，集电极电流会大幅度上升，时，集电极电流会大幅度上升，此时，三极管被击穿而损坏。此时，三极管被击穿而损坏。
22、0uCEiCU(BR)CEOICMuCEiC=PCM安安全全工工作作区区（NPN）过过损损耗耗区区（4）集电极最大允许耗散功率）集电极最大允许耗散功率PCM两个结上消耗的功率分别等于通过结的电流乘以加在结上的电压，两个结上消耗的功率分别等于通过结的电流乘以加在结上的电压，一般集电结上消耗的功率比发射结大得多，用一般集电结上消耗的功率比发射结大得多，用PCM表示，这个功表示，这个功率将导致集电结发热，结温上升，当结温超过最高工作温度时，率将导致集电结发热，结温上升，当结温超过最高工作温度时，管子性能下降，甚至被烧坏。因管子性能下降，甚至被烧坏。因此集电结的最高工作温度决定了此集电结的最高工作温度决定了三极管的最大集电极耗散功率三极管的最大集电极耗散功率（5）集电极最大允许电流）集电极最大允许电流 ICM集电极电流集电极电流IC超过一定值时，超过一定值时， 值要值要下降，当下降，当 降到原来值的降到原来值的2/3时，对时，对应的应的IC称为称为ICM
