光电检测光电探测器

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1、 光电检测器件是利用物质的光电效应把光电检测器件是利用物质的光电效应把光光信号转换成电信号的器件信号转换成电信号的器件。它是光电系统的核。它是光电系统的核心组成部分，在光电系统中的作用是发现信号、心组成部分，在光电系统中的作用是发现信号、测量信号，并为随后的应用提取某些必要的信测量信号，并为随后的应用提取某些必要的信息。息。第二章、光电检测器件第二章、光电检测器件真空光电器件真空光电器件半导体光电器件半导体光电器件热电偶和热电堆热电偶和热电堆热敏电阻热敏电阻热释电探测器热释电探测器真空光电管真空光电管光电倍增管光电倍增管充气光电管充气光电管光敏电阻光敏电阻光电池光电池光电二极管光电二极管光电三

2、极管光电三极管 热电探测器特点：热电探测器特点：响应波长无选择性响应波长无选择性响应波长无选择性响应波长无选择性，它对从可见光，它对从可见光到远红外的各种波长的辐射同样敏感。到远红外的各种波长的辐射同样敏感。响应慢响应慢响应慢响应慢，吸收辐射，吸收辐射产生信号需要的时间长，一般在几毫秒以上。产生信号需要的时间长，一般在几毫秒以上。 光电探测器特点：光电探测器特点：响应波长有选择性响应波长有选择性响应波长有选择性响应波长有选择性，存在某一截止，存在某一截止波长波长0 0，超过此波长，器件没有响应。超过此波长，器件没有响应。 响应快响应快响应快响应快，一般在纳，一般在纳秒到几百微秒。秒到几百微秒。

3、1.1.响应度（或灵敏度响应度（或灵敏度) ) 光电探测器的输出电压或输出电流光电探测器的输出电压或输出电流( (或光电导或光电导) )与入射与入射光功率光功率( (或光照度或光照度) )之比之比，它描述器件的光电转换效能。，它描述器件的光电转换效能。第一节、基本特性参数第一节、基本特性参数一、响应方面的参数一、响应方面的参数光谱响应度光谱响应度 光电探测器的输出电压或输出电流与入射到探测器上的光电探测器的输出电压或输出电流与入射到探测器上的单色辐射通量之比单色辐射通量之比，光谱响应度愈大，表示光电探测器愈灵敏。光谱响应度愈大，表示光电探测器愈灵敏。 积分响应度积分响应度 光电探测器输出的电流

4、或电压与入射总光通量之比称为光电探测器输出的电流或电压与入射总光通量之比称为积分响应度积分响应度。积分灵敏度表示探测器对积分灵敏度表示探测器对连续辐射通量连续辐射通量的反应的反应程度。程度。2 2响应时间响应时间 当入射辐射到光电探测器当入射辐射到光电探测器后或入射辐射遮断后，光电探后或入射辐射遮断后，光电探测器的输出上升到稳定值或下测器的输出上升到稳定值或下降到照射前的值所需时间称为降到照射前的值所需时间称为响应时间响应时间。上升时间和下降时间上升时间和下降时间3 3频率响应频率响应 光电探测器的响应随入射辐射的调制频率而变化的特性称光电探测器的响应随入射辐射的调制频率而变化的特性称为频率响

5、应为频率响应。二、噪声方面的参数二、噪声方面的参数 从响应度的定义来看，好象只要有光辐射存在，不管它的从响应度的定义来看，好象只要有光辐射存在，不管它的功率如何小，都可探测出来。但事实并非如此。当入射功率很低功率如何小，都可探测出来。但事实并非如此。当入射功率很低时，输出只是些杂乱无章的变化信号，而无法肯定是否有辐射入时，输出只是些杂乱无章的变化信号，而无法肯定是否有辐射入射在探测器上。这并不是探测器不好引起的，而是它所固有的射在探测器上。这并不是探测器不好引起的，而是它所固有的“噪声噪声”引起的。如果对这些随时间而起伏的电压引起的。如果对这些随时间而起伏的电压( (流流) )按时间取按时间取

6、平均值，则平均值等于零。但这些值的平均值，则平均值等于零。但这些值的均方根不等于零，这个均均方根不等于零，这个均方根电压方根电压( (流流) )称为探测器的噪声电压称为探测器的噪声电压( (流流) )。热噪声：热噪声： 也称约翰逊噪声，也称约翰逊噪声， 载流子无规则的热运动造成的噪声。载流子无规则的热运动造成的噪声。热噪声存在于任何电阻中。热噪声存在于任何电阻中。热噪声存在于任何电阻中。热噪声存在于任何电阻中。 热噪声与温度成正比。热噪声与温度成正比。热噪声与温度成正比。热噪声与温度成正比。 热噪声与频率无关。热噪声与频率无关。热噪声与频率无关。热噪声与频率无关。热噪声是各种频率分量组成，就像

7、白热噪声是各种频率分量组成，就像白光是各种波长的光组成一样，所以热噪声也称为光是各种波长的光组成一样，所以热噪声也称为白噪声白噪声。1 1、器件的噪声、器件的噪声散粒噪声：散粒噪声： 也称散弹噪声，也称散弹噪声， 穿越势垒的载流子的随机涨落（统计起伏）所穿越势垒的载流子的随机涨落（统计起伏）所造成的噪声。在每个时间间隔内，穿过势垒区的载流子的数或从阴造成的噪声。在每个时间间隔内，穿过势垒区的载流子的数或从阴极到阳极的电子数都围绕一平均值上下起伏。散粒噪声也是极到阳极的电子数都围绕一平均值上下起伏。散粒噪声也是白噪声白噪声。产生复合噪声：产生复合噪声：产生复合噪声：产生复合噪声： 载流子的产生率

8、与复合率在某个时间间隔内也会在平均值上下载流子的产生率与复合率在某个时间间隔内也会在平均值上下载流子的产生率与复合率在某个时间间隔内也会在平均值上下载流子的产生率与复合率在某个时间间隔内也会在平均值上下起伏，这种起伏导致载流子浓度的起伏，从而也产生均方噪声电流。起伏，这种起伏导致载流子浓度的起伏，从而也产生均方噪声电流。起伏，这种起伏导致载流子浓度的起伏，从而也产生均方噪声电流。起伏，这种起伏导致载流子浓度的起伏，从而也产生均方噪声电流。它不是白噪声。它不是白噪声。它不是白噪声。它不是白噪声。 1/f 噪声噪声( (闪烁噪声或低频噪声）：闪烁噪声或低频噪声）： 由于光敏层的微粒不均匀或不必要的

9、微量杂质的存在，当电流由于光敏层的微粒不均匀或不必要的微量杂质的存在，当电流流过时在微粒间发生微火花放电而引起的微电爆脉冲称为流过时在微粒间发生微火花放电而引起的微电爆脉冲称为1/f 噪声。噪声。 频率越低，这种噪声越大，所以也称为低频噪声，它是属于频率越低，这种噪声越大，所以也称为低频噪声，它是属于“红红”噪声。噪声。2 2、噪声参数：、噪声参数：信噪比信噪比(SN) ： 信噪比是判定噪声大小通常使用的参数。它是信噪比是判定噪声大小通常使用的参数。它是在负载电阻在负载电阻R RL L上上产生的信号功率与噪声功率之比产生的信号功率与噪声功率之比，即若用分贝若用分贝( (dB)dB)表示，则为表

10、示，则为 利用利用S SN N评价两种光电探测器性能时，必须在评价两种光电探测器性能时，必须在信号辐信号辐射功率相同射功率相同的情况下才能比较。的情况下才能比较。 但对单个光电探测器，其但对单个光电探测器，其S SN N的大小与入射信号辐射的大小与入射信号辐射功率及接收面积有关。如果入射辐射强，接收面积大，功率及接收面积有关。如果入射辐射强，接收面积大，S SN N就大，但性能不一定就好。因此用就大，但性能不一定就好。因此用S SN N评价器件有一定的评价器件有一定的局限性。局限性。等效噪声输入等效噪声输入等效噪声输入等效噪声输入( ( ( (ENlENl) ) ) ) ： 它定义为器件在特定

11、带宽内器件在特定带宽内(1(1Hz)Hz)产生的均方根信号电流恰好产生的均方根信号电流恰好等于均方根噪声电流值时的输入通量等于均方根噪声电流值时的输入通量，此时，其他参数，如频率温度等应加以规定。这个参数是在确定光电探测器件的探测极限(以输入通量为瓦或流明表示)时使用。 噪声等效功率噪声等效功率( (NEP) )： 或称最小可探测功率最小可探测功率P Pminmin。它定义为信号功率与噪声功率之比信号功率与噪声功率之比为为1(1(即即S SN N=1)=1)时，入射到探测器上的辐射通量时，入射到探测器上的辐射通量( (单位为瓦单位为瓦) )。即探测率探测率D D ： 只用只用NEPNEP无法比

12、较两个不同来源的光探器的优劣。为此，引入无法比较两个不同来源的光探器的优劣。为此，引入两个新的性能参数两个新的性能参数探测率探测率D D和比探测率和比探测率D D* *。探测率探测率D D定义为定义为NEPNEP（噪声等效功率）的倒数噪声等效功率）的倒数，即，即 显然，显然，D D愈大，光电探测器的性能就愈好。探测率愈大，光电探测器的性能就愈好。探测率D D所提供的信所提供的信息与息与NEPNEP一样，也是一项特征参数。不过它所描述的特性是：光电一样，也是一项特征参数。不过它所描述的特性是：光电探测器在它的噪声电平之上产生一个可观测的电信号的本领，探测器在它的噪声电平之上产生一个可观测的电信号

13、的本领，即光即光即光即光电探测器能响应的入射光功率越小，则其探测率越高。电探测器能响应的入射光功率越小，则其探测率越高。电探测器能响应的入射光功率越小，则其探测率越高。电探测器能响应的入射光功率越小，则其探测率越高。归一化探测率归一化探测率D D* * ： 为了在不同带宽内对测得的不同的光敏面积的光电探测器件进为了在不同带宽内对测得的不同的光敏面积的光电探测器件进行比较，使用了归一化探测率（比探测率）行比较，使用了归一化探测率（比探测率）D D* *。暗电流暗电流Id ： 即光电探测器在没有输入信号和背景辐射时所流过的电流即光电探测器在没有输入信号和背景辐射时所流过的电流( (加加电源时电源时

14、) )。一般测量其直流值或平均值。一般测量其直流值或平均值。 1 1、量子效率、量子效率() ： 在某一特定波长上每秒钟内产生的光电子数与入射光量子数之在某一特定波长上每秒钟内产生的光电子数与入射光量子数之比。比。 一般一般()反映的是入射辐射与最初的光敏面的相互作反映的是入射辐射与最初的光敏面的相互作用。若用。若()1（理论上），则入射一个光量子就能发射一理论上），则入射一个光量子就能发射一个电子或产生一对电子孔穴对。实际上个电子或产生一对电子孔穴对。实际上()410nm的的可可见见光光来来说说，很很难难产生光电发射产生光电发射，量子效率低；量子效率低；量子效率低；量子效率低；金属材料是否满

15、足良好的光电发射材料的条件？金属材料是否满足良好的光电发射材料的条件？金属材料是否满足良好的光电发射材料的条件？金属材料是否满足良好的光电发射材料的条件？半导体材料是否满足良好的光电发射材料的条件？半导体材料是否满足良好的光电发射材料的条件？半导体材料是否满足良好的光电发射材料的条件？半导体材料是否满足良好的光电发射材料的条件？光吸收系数比金属大；光吸收系数比金属大；光吸收系数比金属大；光吸收系数比金属大；体体体体内内内内自自自自由由由由电电电电子子子子少少少少，散散散散射射射射能能能能量量量量变变变变小小小小故故故故量量量量子子子子效效效效率率率率比比比比金金金金属大；属大；属大；属大；光发

16、射波长延伸至可见光、近红外波段。光发射波长延伸至可见光、近红外波段。光发射波长延伸至可见光、近红外波段。光发射波长延伸至可见光、近红外波段。 70 70 70 70年代后期，发展了年代后期，发展了年代后期，发展了年代后期，发展了负电子亲和势（负电子亲和势（负电子亲和势（负电子亲和势（NEANEANEANEA）光电阴极，长波光电阴极，长波光电阴极，长波光电阴极，长波可至可至可至可至mm。 (1)(1)使光电阴极发射的光电子尽可能全部会聚到第一倍增极上，而将其他部分使光电阴极发射的光电子尽可能全部会聚到第一倍增极上，而将其他部分的杂散电子散射掉，提高信噪比；的杂散电子散射掉，提高信噪比； (2)

17、(2)使阴极面上各处发射的光电子在电子光学系统中有尽可能相等的渡越时间，使阴极面上各处发射的光电子在电子光学系统中有尽可能相等的渡越时间，以保证光电倍增管的快速响应。以保证光电倍增管的快速响应。光电阴极光电阴极聚焦极聚焦极3 3电子光学系统电子光学系统 倍增系统是由许多倍增极组成的综合体，每个倍增极都是由二次电子倍增材倍增系统是由许多倍增极组成的综合体，每个倍增极都是由二次电子倍增材料构成，具有使一次电子倍增的能力。因此倍增系统是决定整管灵敏度最关键的料构成，具有使一次电子倍增的能力。因此倍增系统是决定整管灵敏度最关键的部分。部分。4 4二次发射倍增系统二次发射倍增系统 阳极是采用金属网作的栅

18、网状结构，把它置于靠近最末一级倍阳极是采用金属网作的栅网状结构，把它置于靠近最末一级倍增极附近，用来收集最末一级倍增极发射出来的电子。增极附近，用来收集最末一级倍增极发射出来的电子。光入射窗口光入射窗口光电阴极光电阴极电子光学输入系统电子光学输入系统二次发射电子倍增器二次发射电子倍增器阳极阳极5 5阳极阳极工作原理工作原理1 1、光子透过入射窗入射到光电阴极、光子透过入射窗入射到光电阴极K K上。上。2 2、光电阴极的电子受光子激发，离开表面发射到真空中。、光电阴极的电子受光子激发，离开表面发射到真空中。3 3、光电子通过电场加速和电子光学系统聚焦入射到第一倍增极、光电子通过电场加速和电子光学

19、系统聚焦入射到第一倍增极D1D1上，倍增极发射出比入射电子数目更多的二次电子。入射电子经上，倍增极发射出比入射电子数目更多的二次电子。入射电子经N N级倍增后，光电子就放大级倍增后，光电子就放大N N次。次。4 4、经过倍增后的二次电子由阳极、经过倍增后的二次电子由阳极a a收集起来，形成阳极光电流，在收集起来，形成阳极光电流，在负载负载R RL L上产生信号电压。上产生信号电压。、基本特性参数、基本特性参数1 1光谱响应度光谱响应度 PMTPMT的光谱响应曲线与光电阴极的相同，主要取决于的光谱响应曲线与光电阴极的相同，主要取决于光电阴光电阴极材料的性质极材料的性质。2 2放大倍数放大倍数(

20、(电流增益电流增益) ) 在一定工作电压下，光电倍增管的阳极电流与阴极电流之在一定工作电压下，光电倍增管的阳极电流与阴极电流之比称为管子的放大倍数比称为管子的放大倍数M M或电流增益或电流增益G G。 它限制了可测直流光通量的最小值，同时也是产生噪声的重它限制了可测直流光通量的最小值，同时也是产生噪声的重要因素，是鉴别管子质量的重要参量。应选取暗电流较小的管要因素，是鉴别管子质量的重要参量。应选取暗电流较小的管子。子。 光电倍增管的伏安特性光电倍增管的伏安特性曲线分为阴极伏安特性曲线曲线分为阴极伏安特性曲线与阳极伏安特性曲线。在电与阳极伏安特性曲线。在电路设计时，一般使用阳极伏路设计时，一般使

21、用阳极伏安特性曲线来进行负载电阻、安特性曲线来进行负载电阻、输出电流、输出电压的计算。输出电流、输出电压的计算。5. 5. 频率响应频率响应 由于由于PMT是光电发射型器件，而光电发射的延迟时间是光电发射型器件，而光电发射的延迟时间31013S，所以所以PMTPMT有很高的频率响应有很高的频率响应有很高的频率响应有很高的频率响应。 主要来源是光电阴极、光电发射的随机性和各倍增极二次主要来源是光电阴极、光电发射的随机性和各倍增极二次电子发射的随机性，同时也与背景光或信号光中的直流分量电子发射的随机性，同时也与背景光或信号光中的直流分量有关。有关。、PMTPMT的供电电路的供电电路 倍增管各电极要

22、求倍增管各电极要求直流供电直流供电，从阴极开始至各级的电压，从阴极开始至各级的电压要依次升高，一般多采用要依次升高，一般多采用电阻链分压电阻链分压电阻链分压电阻链分压办法来供电。一般情况办法来供电。一般情况下，各级间电压均相等，约下，各级间电压均相等，约80V100V，总电压约总电压约1KVKV。 对对电源电压稳定性要求较高电源电压稳定性要求较高。如果电源电压不稳，会引起许多。如果电源电压不稳，会引起许多参量的变化，特别是电流增益变化，从而直接影响输出特性。目前参量的变化，特别是电流增益变化，从而直接影响输出特性。目前已有光电倍增管专用的电源稳压块。已有光电倍增管专用的电源稳压块。1)1)1)

23、1)电源电压稳定性的要求电源电压稳定性的要求电源电压稳定性的要求电源电压稳定性的要求 电源电压的变化和放大倍数变化的关系为：电源电压的变化和放大倍数变化的关系为：电源电压的变化和放大倍数变化的关系为：电源电压的变化和放大倍数变化的关系为： 因倍增管中的电流与电阻链中的电流是并联关系，要保证各因倍增管中的电流与电阻链中的电流是并联关系，要保证各级电压稳定，要求流过电阻链的电流级电压稳定，要求流过电阻链的电流IR至少要比阳极电流至少要比阳极电流Ia大大20倍以上倍以上。 一般说，一般说，IR越大，对稳定极间电压越大，对稳定极间电压U UD D越有利。但越有利。但IR也不能太大，也不能太大，因为因为

24、IR太大会增大电阻的功耗，加重电源负担。当太大会增大电阻的功耗，加重电源负担。当UD给定后，分给定后，分压电阻压电阻R的最大值的最大值应取决于阳极的最大平均电流应取决于阳极的最大平均电流，R最小值最小值应取应取决于高压电源输出的功率决于高压电源输出的功率。一般常用分压器的阻值选择范围为。一般常用分压器的阻值选择范围为20K 500K2)2)2)2)电阻链分压电阻的确定电阻链分压电阻的确定电阻链分压电阻的确定电阻链分压电阻的确定 倍增管的输出电流主要是倍增管的输出电流主要是来自于最后几级，探测脉冲来自于最后几级，探测脉冲光时，为了不使光时，为了不使阳极脉动电阳极脉动电流流引起极间电压发生大的变引

25、起极间电压发生大的变化，常在最后几级的分压电化，常在最后几级的分压电阻上并联电容器。阻上并联电容器。3)3)并联电容的确定并联电容的确定 倍增管供电电路与其后倍增管供电电路与其后倍增管供电电路与其后倍增管供电电路与其后续信号处理电路必须要有续信号处理电路必须要有续信号处理电路必须要有续信号处理电路必须要有一个共用的参考电位，即一个共用的参考电位，即一个共用的参考电位，即一个共用的参考电位，即接地点。倍增管的接地方接地点。倍增管的接地方接地点。倍增管的接地方接地点。倍增管的接地方式有两种，即式有两种，即式有两种，即式有两种，即阴极接地阴极接地阴极接地阴极接地或或或或阳极接地阳极接地阳极接地阳极接

26、地。4)4)接地方式接地方式阴极接地阴极接地阴极接地阴极接地阳极接地阳极接地阳极接地阳极接地 优点：优点：便于屏蔽，光、磁、电的屏蔽罩可以跟阴极靠得近便于屏蔽，光、磁、电的屏蔽罩可以跟阴极靠得近些，些，屏蔽效果好；暗电流小，噪声低屏蔽效果好；暗电流小，噪声低。 缺点：缺点：但这时阳极要处于正高压，会导致寄生电容大，匹但这时阳极要处于正高压，会导致寄生电容大，匹配电缆连接复杂，特别是后面若接直流放大器，整个放大器都处于配电缆连接复杂，特别是后面若接直流放大器，整个放大器都处于高电压，不利于安全操作；如果后面接交流放大器，则必须接一个高电压，不利于安全操作；如果后面接交流放大器，则必须接一个耐压很

27、高的隔直电容器，而一般耐压很高的电容器体积大而且价格耐压很高的隔直电容器，而一般耐压很高的电容器体积大而且价格高。高。 阴极接地的特点阴极接地的特点阴极接地的特点阴极接地的特点 优点优点优点优点：便于跟后面的放大器相接，操作安全，后面不仅可以便于跟后面的放大器相接，操作安全，后面不仅可以通过一个低压耦合电容与交流放大器相接，也可以直接与直流通过一个低压耦合电容与交流放大器相接，也可以直接与直流放大器相接。放大器相接。缺点：缺点：但这时阴极要处于负高压，屏蔽罩不能跟阴极靠得很但这时阴极要处于负高压，屏蔽罩不能跟阴极靠得很近，至少要间隔近，至少要间隔1 1cmcm2 2cmcm，因此屏蔽效果差一些

28、，暗电流和噪因此屏蔽效果差一些，暗电流和噪声都比阴极接地时大，而且整个倍增管装置的体积也要大些。声都比阴极接地时大，而且整个倍增管装置的体积也要大些。阳极接地的特点阳极接地的特点阳极接地的特点阳极接地的特点 使用前应了解器件的特性。真空光电器件的共同特点是灵敏度高、使用前应了解器件的特性。真空光电器件的共同特点是灵敏度高、惰性小、供电电压高、采用玻璃外壳、惰性小、供电电压高、采用玻璃外壳、抗震性差抗震性差。 使用时不宜用强光照使用时不宜用强光照。光照过强时，光电线性会变差而且容易使光。光照过强时，光电线性会变差而且容易使光电阴极疲劳（轻度疲劳经一段时间可恢复，重度疲劳不能恢复），缩短寿电阴极疲

29、劳（轻度疲劳经一段时间可恢复，重度疲劳不能恢复），缩短寿命。命。 工作电流不宜过大工作电流不宜过大。工作电流大时会烧毁阴极面，或使倍增级二次电。工作电流大时会烧毁阴极面，或使倍增级二次电子发射系数下降，增益降低，光电线性变差，缩短寿命。子发射系数下降，增益降低，光电线性变差，缩短寿命。 用来测量交变光时，用来测量交变光时，负载电阻不宜很大负载电阻不宜很大，因为负载电阻和管子的等，因为负载电阻和管子的等效电容一起构成电路的时间常数，若负载电阻较大，时间常数就变大，频效电容一起构成电路的时间常数，若负载电阻较大，时间常数就变大，频带将变窄。带将变窄。6 6 6 6）使用注意事项）使用注意事项）使用

30、注意事项）使用注意事项习题习题2 22 2一、简答题一、简答题1 1、光电倍增管的基本结构与工作原理是什么？、光电倍增管的基本结构与工作原理是什么？二、文献检索二、文献检索 什么是负电子亲和势（什么是负电子亲和势（NEANEA）光电阴极？原理？光电阴极？原理？三、选择题三、选择题1 1、关于、关于PMTPMT，错误的是（错误的是（ ）A A、使用时不宜用强光照使用时不宜用强光照 B B、抗震性好抗震性好 C C、工作电流不宜过大工作电流不宜过大 D D、选大负载电阻来扩展频带选大负载电阻来扩展频带2 2、关于良好的光电发射材料，错误的是（）、关于良好的光电发射材料，错误的是（）A A、光吸收系

31、数要小光吸收系数要小 B B、溢出深度要小溢出深度要小C C、材料的溢出功要小材料的溢出功要小 D D、有一定的电导率有一定的电导率 三、计算题三、计算题 现有现有GDB-423光电倍增管的阴极有效面积为光电倍增管的阴极有效面积为2cm2 ，阴极灵阴极灵敏度为敏度为25A/lm，倍增系统的放大倍数倍增系统的放大倍数105，阳极额定电流为，阳极额定电流为20A，求允许的最大照度。求允许的最大照度。 一、光敏电阻一、光敏电阻1 1、结构、结构第三节、半导体光电检测器件第三节、半导体光电检测器件2 2、分类、分类 本征型本征型半导体光敏电阻、半导体光敏电阻、掺杂型掺杂型半导体光敏电阻半导体光敏电阻3

32、 3、工作原理、工作原理 当入射光子使电子由价带越升到导带时，导带中的电子和当入射光子使电子由价带越升到导带时，导带中的电子和价带中的空穴均参与导电，因此电阻显著减小，电导增加。若价带中的空穴均参与导电，因此电阻显著减小，电导增加。若连接电源和负载电阻，即可输出电信号。连接电源和负载电阻，即可输出电信号。4 4、特性、特性 优点优点：灵敏度高灵敏度高，工作电流大工作电流大（达数毫安）（达数毫安） ，光谱响应范围宽，所测光强范围宽，无极性之，光谱响应范围宽，所测光强范围宽，无极性之分。分。 缺点缺点：响应时间长，频率特性差，强光线性差，：响应时间长，频率特性差，强光线性差，受温度影响大。受温度影

33、响大。 主要用于主要用于红外的弱光探测与开关控制红外的弱光探测与开关控制。 5 5、典型连接电路、典型连接电路例题例题路灯自动点熄原理图如图所示，分析它的工作原理。路灯自动点熄原理图如图所示，分析它的工作原理。 它是利用光生伏特效应制成的将光能转换成电能的它是利用光生伏特效应制成的将光能转换成电能的器件。它是一种不需加偏压就能把光能直接转换成电器件。它是一种不需加偏压就能把光能直接转换成电能能P-NP-N结光电器件。结光电器件。 按用途可分成按用途可分成太阳能光电池太阳能光电池和和光电检测光电池光电检测光电池。二、光电池二、光电池1 1、结构、结构 在在P P（N N）型硅作基底，然后在基底上

34、扩散型硅作基底，然后在基底上扩散N N（P P）型半导体作为受光面。构成型半导体作为受光面。构成P-NP-N结后，再经过结后，再经过各种工艺处理，分别在基底和光敏面上制作输出电各种工艺处理，分别在基底和光敏面上制作输出电极，涂上二氧化硅作保护膜，即成光电池。极，涂上二氧化硅作保护膜，即成光电池。2 2、工作原理、工作原理 当光照到当光照到PNPN结表面时，如果光子能量足够大，就结表面时，如果光子能量足够大，就将在将在PNPN结附近激发电子空穴对，在结附近激发电子空穴对，在PNPN结内电场作用结内电场作用下，下，N N区的光生空穴拉向区的光生空穴拉向P P区，区，P P区的光生电子拉向区的光生电

35、子拉向N N区，区，结果在结果在N N区聚集了电子，区聚集了电子，P P区聚集了空穴，这样在区聚集了空穴，这样在N N区和区和P P区之间产生了电势差。区之间产生了电势差。 光电检测光电池具有光电检测光电池具有光敏面积大光敏面积大，频率响应高频率响应高，光电流随光电流随照度线性变化照度线性变化。 太阳能光电池太阳能光电池耐辐射，转换效率高，成本低，体积小，结耐辐射，转换效率高，成本低，体积小，结构简单、重量轻、可靠性高、寿命长构简单、重量轻、可靠性高、寿命长，在空间能直接利用太，在空间能直接利用太阳能转换成电能的特点。阳能转换成电能的特点。3 3、特点、特点4 4、符号及典型连接电路、符号及典

36、型连接电路符号符号 连接电路连接电路 等效电路等效电路三、光敏二极管三、光敏二极管1 1、结构、结构共同点共同点：一个一个PNPN结，单向导电性结，单向导电性不同点：不同点： 受光面大，受光面大，PNPN结面积更大，结面积更大，PNPN结深度较浅；结深度较浅； 表面有防反射的表面有防反射的SiOSiO2 2保护层；保护层； 外加负偏压；外加负偏压；与普通二极管相比与普通二极管相比: :共同点：共同点：均为一个均为一个PNPN结，利用光生伏特效应，结，利用光生伏特效应，SiOSiO2 2保护膜；保护膜；不同点：不同点： 结面积结面积比光电池的比光电池的小小，频率特性好频率特性好； 光生电势与光电

37、池相同，但光生电势与光电池相同，但电流电流比光电池比光电池小小； 可在零偏压下工作，更常在可在零偏压下工作，更常在反偏压下工作反偏压下工作；与光电池相比：与光电池相比：2 2、工作原理、工作原理无光照时，只有热效应引起的暗无光照时，只有热效应引起的暗电流流过电流流过PNPN结；结；光照时，产生附加的光生载流子，光照时，产生附加的光生载流子，使流过使流过PNPN结的电流骤增；反向电压结的电流骤增；反向电压增加了耗尽层的宽度和结电场，使增加了耗尽层的宽度和结电场，使更多的光生载流子流过更多的光生载流子流过PNPN结。结。3 3、光电二极管的典型连接电路、光电二极管的典型连接电路a) a) 不加外电

38、源不加外电源 b) b) 加反向外电源加反向外电源 c) 2DUc) 2DU环极接法环极接法环极接法的作用：环极接法的作用：克制由于克制由于SiOSiO2 2保护保护膜中的杂质正离子静电感应。消除表膜中的杂质正离子静电感应。消除表面漏电流，减少暗电流和噪声。面漏电流，减少暗电流和噪声。4 4、特性参数、特性参数光谱响应光谱响应光照特性光照特性随着入射光功率的变随着入射光功率的变强，则同一反向电压下强，则同一反向电压下的光电流也变大。的光电流也变大。入射光功率不变时，入射光功率不变时，反向电压加到某一电压反向电压加到某一电压后，光电流几乎不随反后，光电流几乎不随反向电压的变化而变化。向电压的变化

39、而变化。频率响应频率响应光生载流子在薄层中的扩散时间及光生载流子在薄层中的扩散时间及PNPN结中的漂移时间（结中的漂移时间（载载流子的渡越时间）流子的渡越时间）；结电容和杂散电容（结电容和杂散电容（ RCRC时间常数）时间常数）； 它是它是半导体光电器件中频率响应最好的器件之一半导体光电器件中频率响应最好的器件之一，频率，频率响应与下列因素有关：响应与下列因素有关：无论是光生载流子向结区扩散，还是结电场中载流子的漂移，它们都无论是光生载流子向结区扩散，还是结电场中载流子的漂移，它们都有一定的驰豫时间，这个驰豫时间影响光敏器件的频率响应。对于扩散有一定的驰豫时间，这个驰豫时间影响光敏器件的频率响

40、应。对于扩散型二极管主要驰豫时间为光生载流子向结区扩散时间。对于耗尽层型二型二极管主要驰豫时间为光生载流子向结区扩散时间。对于耗尽层型二极管主要驰豫时间为光生少子在结区的漂移时间。极管主要驰豫时间为光生少子在结区的漂移时间。 对于不同波长的光，器件也有不同的频率响应。波长越长的光在较深对于不同波长的光，器件也有不同的频率响应。波长越长的光在较深处被吸收，产生的少数载流子远离处被吸收，产生的少数载流子远离PNPN结，需较长的扩散时间。而较短波结，需较长的扩散时间。而较短波长的光在靠近表面处被吸收，产生的少数载流子离长的光在靠近表面处被吸收，产生的少数载流子离PNPN结很近，扩散时间结很近，扩散时

41、间短。所以短。所以耗尽层型优于扩散型光敏二极管耗尽层型优于扩散型光敏二极管。载流子的渡越时间载流子的渡越时间载流子的渡越时间载流子的渡越时间温度特性温度特性由于反向饱和电流对温度的强烈依赖由于反向饱和电流对温度的强烈依赖性，光敏二极管的暗电流对温度的变化性，光敏二极管的暗电流对温度的变化非常敏感。非常敏感。按材料按材料按材料按材料 硅光敏二极管、硅光敏二极管、 锗光敏二极管、化合物光敏二极管；锗光敏二极管、化合物光敏二极管；按结特性：按结特性：按结特性：按结特性： PNPN结（扩散层、耗尽层）、结（扩散层、耗尽层）、PINPIN结结 、异质结、肖特基势、异质结、肖特基势 垒型及点接触型；垒型及

42、点接触型；按对光的响应：按对光的响应：按对光的响应：按对光的响应： 紫外、可见光、红外紫外、可见光、红外紫外、可见光、红外紫外、可见光、红外5 5、光电二极管的分类、光电二极管的分类PIN管管 它的结构特点是，在它的结构特点是，在P P型半导体和型半导体和N N型半导体之间夹着一层型半导体之间夹着一层（相对）很厚的本征半导体。这样，（相对）很厚的本征半导体。这样，PNPN结的内电场就基本上结的内电场就基本上全集中于全集中于I I层中，从而使层中，从而使PNPN结双电层的间距加宽，结电容变结双电层的间距加宽，结电容变小。小。几种特殊的光敏二极管几种特殊的光敏二极管 这种管子最大的特点是这种管子最

43、大的特点是频带宽频带宽频带宽频带宽，可达，可达10GHz。 另一个特点是，另一个特点是，线性输出范围宽线性输出范围宽线性输出范围宽线性输出范围宽。 所不足的是，所不足的是，I层电阻很大，层电阻很大，管子的输出电流小管子的输出电流小管子的输出电流小管子的输出电流小，一般，一般多为零点几微安至数微安。目前有将多为零点几微安至数微安。目前有将PIN管与前置运算放大器管与前置运算放大器集成在同一硅片上并封装于一个管壳内的商品出售。集成在同一硅片上并封装于一个管壳内的商品出售。雪崩光电二极管雪崩光电二极管 雪崩光电二极管是利用雪崩光电二极管是利用PNPN结在高反向电压下产生的雪崩效应结在高反向电压下产生

44、的雪崩效应来工作的一种二极管。来工作的一种二极管。 特点：特点：工作电压很高，约工作电压很高，约100V200V，接近于反向击接近于反向击穿电压。穿电压。 有很有很高的内增益高的内增益，可达到几百。，可达到几百。 响应速度特别快，带宽可达响应速度特别快，带宽可达100GHz，是目前响应速度最快是目前响应速度最快的一种光电二极管。的一种光电二极管。 缺点：缺点：噪声大噪声大。四、光敏三极管四、光敏三极管结构结构符号符号工作原理工作原理 特点：特点：光电晶体管的光电晶体管的灵敏度灵敏度比光电二极管比光电二极管高高，输出电流输出电流也比也比光电二极管光电二极管大大，多为毫安级。，多为毫安级。 缺点：

45、缺点：它的它的光电特性不光电特性不如光电二极管如光电二极管好好，在较强的光照下，在较强的光照下，光电流与照度不成线性关系。所以光敏三极管多用来作光电开关元光电流与照度不成线性关系。所以光敏三极管多用来作光电开关元件或光电逻辑元件。件或光电逻辑元件。五、五、阵列式或象限式结型光电器件阵列式或象限式结型光电器件 利用集成电路技术使两个至几百个光电二极管或光电池排利用集成电路技术使两个至几百个光电二极管或光电池排成一行，集成在一块集成电路片子上，即成为阵列式的一维光成一行，集成在一块集成电路片子上，即成为阵列式的一维光电器件，也可以使光电二极管或光电池制成象限式的二维光电电器件，也可以使光电二极管或

46、光电池制成象限式的二维光电器件。器件。 这两种器件中，衬底是共用的，而各光敏元都是独立的，这两种器件中，衬底是共用的，而各光敏元都是独立的，分别有各自的前极引出线。分别有各自的前极引出线。1 1、结构、结构 就目前的应用看，两个并列的光电二极管或光电池，可用就目前的应用看，两个并列的光电二极管或光电池，可用来辨别光点移动的方向。来辨别光点移动的方向。 2 24 4个并列的光敏元，可用来收集光点移动的相位信息。个并列的光敏元，可用来收集光点移动的相位信息。 几十个至几百个或更多并列的光敏元，可用来摄取光学图几十个至几百个或更多并列的光敏元，可用来摄取光学图象或用作空间频谱分析。象或用作空间频谱分

47、析。 象限式光电器件可用来确定光点在二维平面上的位置坐标。象限式光电器件可用来确定光点在二维平面上的位置坐标。多用于准直、定位、跟踪或频谱分析等方面。多用于准直、定位、跟踪或频谱分析等方面。 这种器件的特点是，光敏元件密集度大，这种器件的特点是，光敏元件密集度大，总尺寸小，容易作到各单元多数一致，便于总尺寸小，容易作到各单元多数一致，便于信号处理。信号处理。2 2、特点、特点3 3、应用、应用六、六、光电位置探测器（光电位置探测器（PSDPSD） PSD PSD PSD PSD是利用离子注入技术制成的一种可确定光的能量中心是利用离子注入技术制成的一种可确定光的能量中心是利用离子注入技术制成的一

48、种可确定光的能量中心是利用离子注入技术制成的一种可确定光的能量中心位置的结型光电器件，有一维的和二维的两种。位置的结型光电器件，有一维的和二维的两种。位置的结型光电器件，有一维的和二维的两种。位置的结型光电器件，有一维的和二维的两种。 当入射光是一个小光斑，照射到光敏面时，其输出则与光当入射光是一个小光斑，照射到光敏面时，其输出则与光当入射光是一个小光斑，照射到光敏面时，其输出则与光当入射光是一个小光斑，照射到光敏面时，其输出则与光的能量中心位置有关。这种器件和象限光电器件比较，其特点的能量中心位置有关。这种器件和象限光电器件比较，其特点的能量中心位置有关。这种器件和象限光电器件比较，其特点的

49、能量中心位置有关。这种器件和象限光电器件比较，其特点是，它对光斑的形状无严格要求，光敏面上无象限分隔线，对是，它对光斑的形状无严格要求，光敏面上无象限分隔线，对是，它对光斑的形状无严格要求，光敏面上无象限分隔线，对是，它对光斑的形状无严格要求，光敏面上无象限分隔线，对光斑位置可连续测量。光斑位置可连续测量。光斑位置可连续测量。光斑位置可连续测量。一、接受光信号的方式一、接受光信号的方式光信号的有无：光信号的有无：被测对象造成投射到光电器件上的光信被测对象造成投射到光电器件上的光信号截断或通过。如光电开关、光电报警等。这时光电器件不号截断或通过。如光电开关、光电报警等。这时光电器件不考虑线性，而

50、考虑线性，而要考虑灵敏度要考虑灵敏度。第四节、各种光电检测器件的性能比较和应用选择第四节、各种光电检测器件的性能比较和应用选择第四节、各种光电检测器件的性能比较和应用选择第四节、各种光电检测器件的性能比较和应用选择光信号的色度差异：光信号的色度差异：当被测对象本身光辐射的色温存在差当被测对象本身光辐射的色温存在差异或表面颜色变化时，必须选择异或表面颜色变化时，必须选择合适的光谱特性合适的光谱特性的光电器件。的光电器件。光信号的幅度大小：光信号的幅度大小：当被测对象因对光的反射率、透过率当被测对象因对光的反射率、透过率或是被测对象本身光辐射的强度变化，此时光信号幅度大小亦或是被测对象本身光辐射的

51、强度变化，此时光信号幅度大小亦改变。为准确测出幅度大小的变化，改变。为准确测出幅度大小的变化，必须选用线性好、响应快必须选用线性好、响应快的器件的器件，如，如PMTPMT或光电二极管。或光电二极管。光信号按一定频率交替变化：光信号按一定频率交替变化：这种光信号的输入是有一这种光信号的输入是有一定频率的，必须使所选器件的定频率的，必须使所选器件的上限截止频率大于输入信号的频上限截止频率大于输入信号的频率率才能测出输入信号的变化。才能测出输入信号的变化。二、各种光电器件的性能比较二、各种光电器件的性能比较 波长响应范围（波长响应范围（nmnm）输出输出电流电流光电光电特性特性直线直线性性动态特性动

52、态特性受光受光面积面积稳定稳定性性外形外形尺寸尺寸价格价格短波短波峰值峰值长波长波频率频率响应响应上升时间上升时间光电管光电管紫外紫外红外红外小小好好好好0.1s大大良良大大高高光电倍增管光电倍增管紫外紫外红外红外小小最好最好最好最好0.1s大大良良大大最高最高光敏电阻光敏电阻CdSCdS400640900大大差差差差0.21ms大大一般一般中中低低光敏电阻光敏电阻CdSeCdSe3007501220大大差差差差0.210ms大大一般一般中中低低光电池光电池SiSi4008001200最大最大好好良良0.5100s最大最大最好最好中中中中光电池光电池SeSe350550700中中好好差差1ms

53、最大最大一般一般中中中中光电二极管光电二极管4007501000最小最小好好最好最好2s以下以下小小最好最好最小最小低低光电三极管光电三极管同上同上小小较好较好良良2100s小小良良小小低低在动态特性在动态特性（即频率响应与时间响应）方面，以光（即频率响应与时间响应）方面，以光电倍增管和光电二极管（尤其是电倍增管和光电二极管（尤其是PINPIN管与管与APDAPD管）为最管）为最好；好；在光电特性在光电特性（即线性）方面，以光电倍增管、光电（即线性）方面，以光电倍增管、光电二极管和光电池为最好；二极管和光电池为最好；在灵敏度在灵敏度方面，以光电倍增管、雪崩光电二极管、方面，以光电倍增管、雪崩光

54、电二极管、光敏电阻和光电三极管为最好。光敏电阻和光电三极管为最好。灵敏度高不一定就是输出电流大，而灵敏度高不一定就是输出电流大，而输出电流大输出电流大的器件有大面积光电池、光敏电阻、雪崩光电二极的器件有大面积光电池、光敏电阻、雪崩光电二极管和光电三极管；管和光电三极管；外加偏置电压最低外加偏置电压最低的是光电二极管、光电三极管，的是光电二极管、光电三极管，光电池不需外加偏置；光电池不需外加偏置；在暗电流在暗电流方面，光电倍增管和光电二极管最小，方面，光电倍增管和光电二极管最小，光电池不加偏置时无暗电流，加反向偏置后暗电流光电池不加偏置时无暗电流，加反向偏置后暗电流也比光电倍增管和光电二极管大；

55、也比光电倍增管和光电二极管大；长期工作的稳定性长期工作的稳定性方面，以光电二极管、光电方面，以光电二极管、光电池为最好，其次是光电倍增管与光电三极管；池为最好，其次是光电倍增管与光电三极管；在在光谱响应光谱响应方面，以光电倍增管和方面，以光电倍增管和CdSeCdSe光敏电光敏电阻为最宽，但光电倍增管响应偏紫外方向，而光阻为最宽，但光电倍增管响应偏紫外方向，而光敏电阻响应偏红外方向。敏电阻响应偏红外方向。 1 1）极性结型器件都有确定的极性，如要加电压使用时，光电结）极性结型器件都有确定的极性，如要加电压使用时，光电结必须必须加反向电压加反向电压，即，即P P端与外电源的低电位相接。端与外电源的

56、低电位相接。 2 2）使用时对）使用时对入射光强入射光强范围的选择应视范围的选择应视用途用途而定。用于开关电路而定。用于开关电路或逻辑电路时光照可以强些。用于模拟量测量时，光照不宜过强。或逻辑电路时光照可以强些。用于模拟量测量时，光照不宜过强。因为一般器件都有这样的性质：光照弱些，负载电阻小些，加反偏因为一般器件都有这样的性质：光照弱些，负载电阻小些，加反偏压使用时，光电线性好，反之则差。压使用时，光电线性好，反之则差。 3 3）灵敏度主要决定于器件，但也与）灵敏度主要决定于器件，但也与使用条件和方法使用条件和方法有关，例如有关，例如光源和接收器在光谱特性上是否匹配；入射光的方向与器件光敏面光

57、源和接收器在光谱特性上是否匹配；入射光的方向与器件光敏面法线是否一致等。法线是否一致等。三、光电探测器的应用选择三、光电探测器的应用选择4 4）结型器件的）结型器件的响应速度响应速度都很快。负载电阻大，输出电压可以大，都很快。负载电阻大，输出电压可以大，但但会变大，响应变慢。相反，负载电阻小些，输出电压要减小，会变大，响应变慢。相反，负载电阻小些，输出电压要减小，但但会变小，响应速度变快。会变小，响应速度变快。5 5）灵敏度与频带宽度之积为一常数的结论灵敏度与频带宽度之积为一常数的结论，对结型光电器件也适，对结型光电器件也适用。用。6 6）器件的各种参量差不多都与）器件的各种参量差不多都与温度

58、温度有关，但其中有关，但其中受温度影响最大受温度影响最大的是暗电流的是暗电流。暗电流大的器件，容易受温度变化的影响，而使电路。暗电流大的器件，容易受温度变化的影响，而使电路工作不稳定，同时噪声也大。工作不稳定，同时噪声也大。7 7）除了温度变化，电、磁场干扰可引起电路发生误动作外，背景）除了温度变化，电、磁场干扰可引起电路发生误动作外，背景光或光反馈也是引起电路误动作的重要因素，应设法消除。光或光反馈也是引起电路误动作的重要因素，应设法消除。习题习题2-32-3一、分析题一、分析题1 1、红外报警电路如图所示，分析它的工作原理、红外报警电路如图所示，分析它的工作原理 ？二、选择题二、选择题1

59、1、雪崩光电二极管是利用（、雪崩光电二极管是利用（ ）效应制作的器件。）效应制作的器件。 A A、光电发射光电发射 B B、光电导光电导 C C、光生伏特光生伏特 D D、内光电内光电 2 2、外光电效应的光电探测器有（、外光电效应的光电探测器有（ ） A A、光电三极管光电三极管 B B、光电池光电池 C C、PMT DPMT D、雪崩光电二极管雪崩光电二极管 三、计算题三、计算题 光光敏敏电电阻阻R与与RL20k的的负负载载电电阻阻串串联联后后接接于于Ub12V的的直直流流电电源源上上，无无光光照照时时负负载载上上的的输输出出电电压压为为U120mV，有有光光照时负载上的输出电压为照时负载上的输出电压为U22V，求：求： 光敏电阻的暗电阻和亮电阻值。光敏电阻的暗电阻和亮电阻值。 若若光光敏敏电电阻阻的的光光电电导导灵灵敏敏度度Sg6106S/lx, ,求求光光敏敏电电阻阻所受的照度。所受的照度。