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1、单结晶体管的识别与检测 单结晶体管的结构、外形及特点单结晶体管(简称UJT)又称双基极二极管,是一种只有一个PN结和两个电阻接触电极的三端半导体器件,单结晶体管(简称UJT)又称基极二极管,它的基片为条状的高阻N型硅片,两端分别用电阻接触引出两个基极b1和b2。 单结晶体管的型号命名法 单结晶体管型号命名与二极管、三极管有所不同,其命名组成部分及含义如图 单结晶体管的主要参数 (1)基极间电阻Rbb 。发射极开路时,基极b1、b2之间的电阻,一般为210K,其数值随温度上升而增大。通常Rbb具有纯电阻特性,阻值大小与温度有关。 (2)分压比 。分压比是指Rb1上产生电压Ub1与两基极电压Ubb
2、的比值,公式为:=Ub1/Ubb=Rb1/Rbb,它由管子内部结构决定的常数,一般为。 (3)eb1间反向电压Vcb1 b2开路,在额定反向电压Vcb2下,基极b1与发射极e之间的反向耐压。 (4)反向电流Ieo 。b1开路,在额定反向电压Vcb2下,eb2间的反向电流。如果实际测得管子的反向电流太大,则表明PN结的单向特性差,单结晶体管有漏电现象。 (5)发射极饱和压降Veo 。在最大发射极额定电流时,eb1间的压降。 (6)峰点电流Ip。 单结晶体管刚开始导通时,发射极电压为峰点电压时的发射极电流。单结晶体管的检测判断单结晶体管发射极e的方法是:将万用表置于R1K挡或R100挡,假设单结晶体管的任一管脚为发射极e,黑表笔接假设发射极,红表笔分别接触另外两管脚测其阻值。当出现两次低电阻时,黑表笔所接的就是单结晶体管的发射极。单结晶体管b1和b2的判断方法是:将万用表置于R1K挡或R100挡,黑表笔接发射极,红表笔分别接另外两管脚测阻值,两次测量中,电阻大的一次,红表笔接的就是b1极。应当说明的是,上述判别b1、b2的方法,不一定对所有的单结晶体管都适用,有个别管子的eb1间的正向电阻值较小。即使b1、b2用颠倒了,也不会使管子损坏,只影响输出脉冲的幅度(单结晶体管多在脉冲发生器中使用),当发现输出的脉冲幅度偏小时,只要将原来假定的b1、b2对调过来就可以了。