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1、四、生产工艺介绍四、生产工艺介绍晶体硅太阳能电池工艺流程如下：晶体硅太阳能电池工艺流程如下：生产工艺生产工艺生产工艺生产工艺-清洗和表面腐蚀清洗和表面腐蚀清洗和表面腐蚀清洗和表面腐蚀生产工艺生产工艺生产工艺生产工艺-制绒制绒制绒制绒表面绒面化表面绒面化 由于硅片用由于硅片用P P型（型（100100）硅片，）硅片，可利用氢氧化钠溶液对单晶硅可利用氢氧化钠溶液对单晶硅片进行各向异性腐蚀的特点来片进行各向异性腐蚀的特点来制备绒面。当各向异性因子制备绒面。当各向异性因子1010时（所谓各向异性因子就时（所谓各向异性因子就是（是（100100）面与（）面与（111111）面单晶）面单晶硅腐蚀速率之比）
2、，可以得到硅腐蚀速率之比），可以得到整齐均匀的金字塔形的角锥体整齐均匀的金字塔形的角锥体组成的绒面。绒面具有受光面组成的绒面。绒面具有受光面积大，反射率低的特点。可提积大，反射率低的特点。可提高单晶硅太阳电池的短路电流，高单晶硅太阳电池的短路电流，从而提高太阳电池的光电转换从而提高太阳电池的光电转换效率效率。 金字塔形角锥体的表面积金字塔形角锥体的表面积S0S0等于等于四个边长为四个边长为a a正三角形正三角形S S之和之和 由此可见有绒面的受光面积比光由此可见有绒面的受光面积比光面提高了倍即面提高了倍即1.7321.732倍。倍。绒面受光面积绒面受光面积 当一束强度为当一束强度为E0E0的光
3、投射到图中的的光投射到图中的A A点，产生反射光点，产生反射光1 1和进和进入硅中的折射光入硅中的折射光2 2。反射光。反射光1 1可以继续投射到另一方锥的可以继续投射到另一方锥的B B点，点，产生二次反射光产生二次反射光3 3和进入半导体的折射光和进入半导体的折射光4 4；而对光面电池就；而对光面电池就不产生这第二次的入射。经计算可知还有不产生这第二次的入射。经计算可知还有11%11%的二次反射光可能的二次反射光可能进行第三次反射和折射，由此可算得绒面的反射率为进行第三次反射和折射，由此可算得绒面的反射率为9.04%9.04%。绒面反射率绒面反射率生产工艺生产工艺生产工艺生产工艺-扩散扩散扩
4、散扩散生产工艺生产工艺生产工艺生产工艺-表面成膜表面成膜表面成膜表面成膜等离子化学气相沉积(PEVCD)PEVCD被使用来在硅片上沉积氮化硅材料，是在被使用来在硅片上沉积氮化硅材料，是在300-900的温度下通过化学反应产生的温度下通过化学反应产生Si3N4的过的过程。典型的化学反应为：程。典型的化学反应为： SiH4 + NH3 Si3N4 + NH3 + N2多晶硅太阳电池广泛使用多晶硅太阳电池广泛使用PECVD淀积淀积SiN ,由于由于PECVD淀积淀积SiN时时,不光是生长不光是生长SiN作为减反射膜作为减反射膜,同时生成了大量的原子氢同时生成了大量的原子氢,这些氢原子能对多晶硅这些氢
5、原子能对多晶硅片具有表面钝化和体钝化的双重作用片具有表面钝化和体钝化的双重作用,可用于大批可用于大批量生产高效多晶硅太阳电池量生产高效多晶硅太阳电池,为上世纪末多晶硅太为上世纪末多晶硅太阳电池的产量超过单晶硅太阳电池立下汗马功劳。阳电池的产量超过单晶硅太阳电池立下汗马功劳。随着随着PECVD在多晶硅太阳电池成功在多晶硅太阳电池成功,引起人们将引起人们将PECVD用于单晶硅太阳电池作表面钝化的愿望。用于单晶硅太阳电池作表面钝化的愿望。 生产工艺生产工艺生产工艺生产工艺-制备电极（制备电极（制备电极（制备电极（1 1 1 1）生产工艺生产工艺生产工艺生产工艺-制背电极（制背电极（制背电极（制背电极
6、（2 2 2 2）生产工艺生产工艺生产工艺生产工艺-背表面钝化背表面钝化背表面钝化背表面钝化五、生产设备五、生产设备清洗设备清洗设备生产设备生产设备扩散炉扩散炉生产设备生产设备刻蚀刻蚀生产设备生产设备PECVDPECVD生产设备生产设备测试仪测试仪生产设备生产设备烘干炉烘干炉生产设备生产设备快烧炉快烧炉五、生产环境及其它五、生产环境及其它太阳能电池生产最主要的材料是单晶硅片或多晶硅片。 其它辅料包括: 化学液（ NaOH 、IPA、乙醇、铭酸、HF） 特气（CF4、SiH4、NH3） 大宗气体（CDA、N2、O2） 水（PCW、DI）单晶硅的制绒工艺：是通过NaOH和乙醇反应，在硅片上形成减反织构，增强电池对光线的吸收能力。多晶硅的制绒工艺：是加入铬酸和氢氟酸，利用铬酸的强氧化性将切割后硅片上的污物清除，并产生SiO2和C2O3，达到在硅片上形成减反织构的目的。丝网印刷：银浆或银铝浆等导电材料印刷在硅片上，作为太阳能电池电子导通的主要通道。六、六、主要原材料主要原材料
