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1、下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页第第2 2章章 半导体三极管半导体三极管第第2章章 半导体三极管半导体三极管本章要求：本章要求：本章要求：本章要求：1 1、了解三极管的基本构造、工作原理和特性、了解三极管的基本构造、工作原理和特性曲线，理解主要参数的意义；曲线，理解主要参数的意义；2 2、了解三极管放大电路的图解分析法；掌握、了解三极管放大电路的图解分析法；掌握小信号等效电路（微变等效电路）分析法；小信号等效电路（微变等效电路）分析法；3 3、掌握三极管的测试方法、掌握三极管的测试方法。下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页第第2 2章章 半导体三
2、极管半导体三极管2.1 2.1 2.1 2.1 双极型半导体三极管双极型半导体三极管双极型半导体三极管双极型半导体三极管一、一、一、一、 晶体三极管的工作原理晶体三极管的工作原理晶体三极管的工作原理晶体三极管的工作原理1、结构与符号、结构与符号结结构：构： 有有 3块杂质半导体组成块杂质半导体组成2个个PN结结类型类型： NPN型、型、PNP型型cNPN集电区集电区 基区基区 发射区发射区 集电结集电结 发射发射 结结 beBECIBIEICPNPNPNNPN型型型型BECIBIEICPNPPNP型型型型下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页第第2 2章章 半导体三极管半导
3、体三极管基区：最薄，基区：最薄，基区：最薄，基区：最薄，掺杂浓度最低掺杂浓度最低掺杂浓度最低掺杂浓度最低发射区：掺发射区：掺发射区：掺发射区：掺杂浓度最高杂浓度最高杂浓度最高杂浓度最高发射结发射结发射结发射结集电结集电结集电结集电结B B B BE E E EC C C CN N N NN N N NP P P P基极基极基极基极发射极发射极发射极发射极集电极集电极集电极集电极2 2、放大原理、放大原理、放大原理、放大原理 内部条件内部条件内部条件内部条件 下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页第第2 2章章 半导体三极管半导体三极管B BEC CN NN NP PEBRB
4、E EC CRC发射结正偏、集电结反偏发射结正偏、集电结反偏发射结正偏、集电结反偏发射结正偏、集电结反偏 外部条件外部条件外部条件外部条件 下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页第第2 2章章 半导体三极管半导体三极管3.3.3.3.三极管内部载流子的运动规律三极管内部载流子的运动规律三极管内部载流子的运动规律三极管内部载流子的运动规律BECNNPEBRBECIEICICBO 发射结正偏，发发射结正偏，发发射结正偏，发发射结正偏，发射区多子电子大量射区多子电子大量射区多子电子大量射区多子电子大量的向基区运动，并的向基区运动，并的向基区运动，并的向基区运动，并形成发射极电流形
5、成发射极电流形成发射极电流形成发射极电流I I I IE E E E。进入进入进入进入P P P P 区的电子少区的电子少区的电子少区的电子少部分与基区的空穴部分与基区的空穴部分与基区的空穴部分与基区的空穴复合，形成电流复合，形成电流复合，形成电流复合，形成电流I I I IB B B B ，多数扩散到集电，多数扩散到集电，多数扩散到集电，多数扩散到集电结。结。结。结。从基区扩散来的电从基区扩散来的电从基区扩散来的电从基区扩散来的电子进入集电区和集子进入集电区和集子进入集电区和集子进入集电区和集电区多子的运动一电区多子的运动一电区多子的运动一电区多子的运动一块形成块形成块形成块形成I I I
6、ICECECECE。少子运动形成反向少子运动形成反向少子运动形成反向少子运动形成反向电流电流电流电流I I I ICBOCBOCBOCBO。IB下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页第第2 2章章 半导体三极管半导体三极管4. 4. 各电极电流关系及电流放大作用各电极电流关系及电流放大作用各电极电流关系及电流放大作用各电极电流关系及电流放大作用I IB B(mA)(mA)I IC C(mA)(mA)I IE E(mA)(mA)0 00.020.020.040.040.060.060.080.080.100.100.0010.0010.700.701.501.502.302.
7、303.103.103.953.950.0010.0010.720.721.541.542.362.363.183.184.054.05结论结论结论结论: :1 1）三电极电流关系）三电极电流关系）三电极电流关系）三电极电流关系 I IE E = = I IB B + + I IC C2 2） I IC C I IB B ， I IC C I IE E 3 3） I IC C/I /IB B 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的
8、特性称为晶体管的电流放大作用。称为晶体管的电流放大作用。称为晶体管的电流放大作用。称为晶体管的电流放大作用。下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页第第2 2章章 半导体三极管半导体三极管 即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。依据。 重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线二、晶二、晶二、晶二、晶体三极管的特性曲线体三极管的特性曲线体三极管的特性曲线体三极管的特
9、性曲线下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页第第2 2章章 半导体三极管半导体三极管发射极是输入回路、输出回路的公共端发射极是输入回路、输出回路的公共端发射极是输入回路、输出回路的公共端发射极是输入回路、输出回路的公共端 共发射极电路共发射极电路输入回路输入回路输出回路输出回路 测量晶体管特性的实验线路测量晶体管特性的实验线路测量晶体管特性的实验线路测量晶体管特性的实验线路ICEBmA AcUBERBIBEC+beUCE下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页第第2 2章章 半导体三极管半导体三极管1 1、输入特性曲线输入特性曲线输入特性曲线输入特性曲线特
10、点特点特点特点: : : :非线性非线性非线性非线性正常工作时发射结电压：正常工作时发射结电压：正常工作时发射结电压：正常工作时发射结电压： NPNNPN型硅管型硅管型硅管型硅管 U UBE BE PNPPNP型锗管型锗管型锗管型锗管 U UBE BE IB( A)UBE(V)204060800.40.8UCE 1VO下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页第第2 2章章 半导体三极管半导体三极管2、 输出特性曲线输出特性曲线IB=020 A40 A60 A80 A100 A36IC(mA )1234UCE(V)912O放大区放大区输出特性曲线通常分三个工作区：输出特性曲线通
11、常分三个工作区：输出特性曲线通常分三个工作区：输出特性曲线通常分三个工作区：(1) (1) 放大区放大区放大区放大区 在放大区有在放大区有在放大区有在放大区有 I IC C= = I IB B ，也，也，也，也称为线性区，具有恒流特性。称为线性区，具有恒流特性。称为线性区，具有恒流特性。称为线性区，具有恒流特性。 在放大区，在放大区，在放大区，在放大区，发射结处于正发射结处于正发射结处于正发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏向偏置、集电结处于反向偏向偏置、集电结处于反向偏向偏置、集电结处于反向偏置置置置，晶体管工作于放大状态。，晶体管工作于放大状态。，晶体管工作于放大状态。，晶体管工作于放大状
12、态。下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页第第2 2章章 半导体三极管半导体三极管I IB B=0=02020 A A4040 A A6060 A A8080 A A100100 A A3 36 6I IC C( (mmA )A )1 12 23 34 4U UCECE(V)(V)9 91212O（2 2）截止区）截止区）截止区）截止区I IB B 0 0 以下区域为以下区域为以下区域为以下区域为截止区，有截止区，有截止区，有截止区，有 I IC C 0 0 。 在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工
13、在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。作于截止状态。作于截止状态。作于截止状态。饱饱饱饱和和和和区区区区截止区截止区截止区截止区（3 3）饱和区）饱和区）饱和区）饱和区 当当当当U UCECE U UBEBE时时时时，晶体管工作晶体管工作晶体管工作晶体管工作于饱和状态。于饱和状态。于饱和状态。于饱和状态。 在饱和区，在饱和区，在饱和区，在饱和区， I IB B I IC C，发射结发射结发射结发射结处于正向偏置，处于正向偏置，处于正向偏置，处于正向偏置，集电结也处于集电结也处于集电结也处于集电结也处于正正正
14、正偏。偏。偏。偏。 饱和时，饱和时，饱和时，饱和时， 硅管硅管硅管硅管U UCES CES ， 锗管锗管锗管锗管U UCES CES 。动画下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页第第2 2章章 半导体三极管半导体三极管三、温度对特性曲线的影响三、温度对特性曲线的影响三、温度对特性曲线的影响三、温度对特性曲线的影响1 1、温度每增加、温度每增加、温度每增加、温度每增加1010 C C，I ICBOCBO增大一倍。硅管优于锗管。增大一倍。硅管优于锗管。增大一倍。硅管优于锗管。增大一倍。硅管优于锗管。2 2 2 2、温度每升高、温度每升高、温度每升高、温度每升高 1 1 C C，
15、U UBEBE将减小将减小将减小将减小 (2(2 2.5)mV2.5)mV， 即晶体管具有负温度系数。即晶体管具有负温度系数。即晶体管具有负温度系数。即晶体管具有负温度系数。3 3、温度每升高、温度每升高、温度每升高、温度每升高 1 1 C C， 增加增加增加增加 0.5%1.0% 0.5%1.0%。下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页第第2 2章章 半导体三极管半导体三极管四、四、 三极管的主要参数三极管的主要参数（1 1）. . 共发射极共发射极共发射极共发射极电流放大系数电流放大系数电流放大系数电流放大系数， 直流电流放大系数直流电流放大系数直流电流放大系数直流电流
16、放大系数交流电流放大系数交流电流放大系数交流电流放大系数交流电流放大系数当晶体管接成发射极电路时，当晶体管接成发射极电路时，当晶体管接成发射极电路时，当晶体管接成发射极电路时，注意：注意：注意：注意： 和和和和 的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且I ICE0 CE0 较小的情况下，两者数值接近。较小的情况下，两者数值接近。较小的情况下，两者数值接近。较小的情况下，两者数值接近。常用晶体管的常用晶体管的常用晶体管的常用晶体管的 值在值在值在值在20 20020 200之间
17、。之间。之间。之间。1、电流放大系数、电流放大系数下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页第第2 2章章 半导体三极管半导体三极管（2 2）. .共基极共基极共基极共基极电流放大系电流放大系电流放大系电流放大系数数数数 以三极管的基极作为输入回路和输出回路的公共端以三极管的基极作为输入回路和输出回路的公共端,称为称为共共基极电路基极电路 V VCC i iE E i iC C R RE E R RC C+-+ V VEECBE i iB图图2.1.6 共基极电路共基极电路直流电流放大倍数直流电流放大倍数交流电流放大倍数交流电流放大倍数BCii= =a a ECII_= =a
18、a一般情况下一般情况下a a aa a与与 的关系为的关系为的关系为的关系为 +1+1 = =a a 下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页第第2 2章章 半导体三极管半导体三极管（1 1）. .集集集集- - - -基极反向截止电流基极反向截止电流基极反向截止电流基极反向截止电流 I ICBOCBO I ICBOCBO是由少数载流子的漂移运动是由少数载流子的漂移运动是由少数载流子的漂移运动是由少数载流子的漂移运动所形成的电流，受温度的影响大。所形成的电流，受温度的影响大。所形成的电流，受温度的影响大。所形成的电流，受温度的影响大。 温度温度温度温度I ICBOCBO IC
19、BO A+EC（2 2）. .集集集集- - - -射极反向电流射极反向电流射极反向电流射极反向电流( ( ( (穿透电流穿透电流穿透电流穿透电流) ) ) )I ICEOCEO AICEOIB=0+ I ICEOCEO受温度的影响大。受温度的影响大。受温度的影响大。受温度的影响大。温度温度温度温度I ICEOCEO ，所以所以所以所以I IC C也相应增也相应增也相应增也相应增加。加。加。加。三极管的温度特性较差。三极管的温度特性较差。三极管的温度特性较差。三极管的温度特性较差。2、极间反向电流、极间反向电流下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页第第2 2章章 半导体三极
20、管半导体三极管（1 1）. . 集电极最大允许电流集电极最大允许电流集电极最大允许电流集电极最大允许电流 I ICMCM 集电极电流集电极电流集电极电流集电极电流 I IC C上升会导致三极管的上升会导致三极管的上升会导致三极管的上升会导致三极管的 值的下降，当值的下降，当值的下降，当值的下降，当 值下降到正常值值下降到正常值值下降到正常值值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为的三分之二时的集电极电流即为的三分之二时的集电极电流即为的三分之二时的集电极电流即为 I ICMCM。（2 2）. . 集电极最大允许耗散功耗集电极最大允许耗散功耗集电极最大允许耗散功耗集电极最大允许耗散功耗P PC
21、MCM P PCMCM取决于三极管允许的温升，消耗功率过大，温升过高会烧坏三极取决于三极管允许的温升，消耗功率过大，温升过高会烧坏三极取决于三极管允许的温升，消耗功率过大，温升过高会烧坏三极取决于三极管允许的温升，消耗功率过大，温升过高会烧坏三极管。管。管。管。 P PC C P PCM CM = =I IC C U UCECE 硅硅硅硅管允许结温约为管允许结温约为管允许结温约为管允许结温约为150150 C C，锗锗锗锗管约为管约为管约为管约为7070 9090 C C。（3 3）. . 集集集集- - - -射极反向击穿电压射极反向击穿电压射极反向击穿电压射极反向击穿电压U U(BR)CE
22、O(BR)CEO 当集当集当集当集射极之间的电压射极之间的电压射极之间的电压射极之间的电压U UCE CE 超过一定的数值时，三极管就会被击穿。超过一定的数值时，三极管就会被击穿。超过一定的数值时，三极管就会被击穿。超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是手册上给出的数值是手册上给出的数值是手册上给出的数值是2525 C C、基极开路时的击穿电压基极开路时的击穿电压基极开路时的击穿电压基极开路时的击穿电压U U(BR)(BR) CEOCEO。3、极限参数、极限参数下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页第第2 2章章 半导体三极管半导体三极管A.核心器件核心器件
23、BJTB.偏置电路偏置电路提供放大外提供放大外部条件部条件C.输入、输出电路输入、输出电路vi 的的引入，引入，vo 引出引出1.共射极放大电路共射极放大电路电路组成电路组成D.公共地公共地各信号电平的各信号电平的参考点参考点2.3 半导体三极管电路的基本分析方法半导体三极管电路的基本分析方法放大电路的分析：放大电路的分析：（1 1）静态（直流）分析；）静态（直流）分析； （2 2）动态（交流）分析。）动态（交流）分析。下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页第第2 2章章 半导体三极管半导体三极管习惯画法习惯画法 共射极基本放大电路共射极基本放大电路1. 简化电路及习惯画法
24、简化电路及习惯画法2.2 2.2 共射极放大电路共射极放大电路下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页第第2 2章章 半导体三极管半导体三极管vBEo ot（1）vi=0VCCRcRbCb2Cb1+-vo+-vi+VCb1 = VBE , VCb2 = VCE2. 工作原理说明工作原理说明下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页第第2 2章章 半导体三极管半导体三极管半导体三极管电路的基本分析方法半导体三极管电路的基本分析方法放大电路的分析：放大电路的分析：（1 1）静态（直流）分析；）静态（直流）分析； （2 2）动态（交流）分析。）动态（交流）分析。一、
25、直流分析一、直流分析 UCE + - iB + - UBE 图图2.3.1 直流通路直流通路 VCC Rc Rb iC VBB3V5V115K 1K 输入回路图解输入回路图解1、图解分析法、图解分析法下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页第第2 2章章 半导体三极管半导体三极管 UCE + - iB + - UBE 图图2.3.1 (a) VCC Rc Rb iC VBB3V5V115K 1K （1）. 列输入回路方程：列输入回路方程：UBE =VBBiBRb（2）.在输入特性曲线上，作直线在输入特性曲线上，作直线 UBE =VBBIBRb ，两线，两线的交点即是的交点即是
26、Q点，得到点，得到IBQ。如图。如图2.3.1(b)所示。所示。下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页第第2 2章章 半导体三极管半导体三极管 UCE + - iB + - UBE 图图2.3.1 (a) VCC Rc Rb iC VBB3V5V115K 1K 输出回路图解输出回路图解 列输出回路方程：列输出回路方程：uCE=VCCiCRc 在输出特性曲线上，作出直流负载线在输出特性曲线上，作出直流负载线 uCE=VCCiCRc，与，与IBQ曲线的交点即为曲线的交点即为Q点，从而得到点，从而得到VCEQ 和和ICQ。如图。如图2.3.1(c)所示。所示。图图2.3.1(c)
27、输出回路中的输出回路中的Q点点动画直流负载线下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页第第2 2章章 半导体三极管半导体三极管2、工程近似法、工程近似法 UCE + - iB + - UBE 图图2.3.1 (a) VCC Rc Rb iC VBB3V5V115K 1K 结论1、 VBB0时，三极管截止。时，三极管截止。iB=0,iC=0, UCE=VCC,三极管可视为开路三极管可视为开路。2、 VBB足够大时，三极管处于饱和足够大时，三极管处于饱和导通状态，导通状态，UCE0, iCVCC/RC，三极，三极管可视为短路。管可视为短路。下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回
28、返回上一页上一页第第2 2章章 半导体三极管半导体三极管UCE + - iB + - UBE VCC Rc RbiC VBBiC+-二、交流（动态）分析二、交流（动态）分析1、动态工作波形及交流通路、动态工作波形及交流通路图图2.3.42.3.4CUiCUO+uBE=UBEQ+ ui=Uimsintui=UBEQ +Uimsintuit0图图2.3.5（a）图（图（b）t0uBEUBEQ下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页第第2 2章章 半导体三极管半导体三极管UCE + - iB + - UBE VCC Rc RbiC VBBiC+-图图2.3.42.3.4CUiCUO
29、+iB=IBQ+ ib= IBQ+Ibmsint图（图（c）t0iBIBQiC=ICQ+ ic= ICQ+Icmsint图（图（d）t0iCICQuCE=UCEQ+ ucet0uCEUCEQ图（图（e）tuo图图2.3.5（f）uo下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页第第2 2章章 半导体三极管半导体三极管2、图解分析法、图解分析法 所谓动态所谓动态,是指放大电路输入信号不为零时的工作状态。当放大电路加是指放大电路输入信号不为零时的工作状态。当放大电路加入交流信号入交流信号ui时时,电路中各电极的电压、电流都是由直流量和交流量叠加而成电路中各电极的电压、电流都是由直流量和
30、交流量叠加而成的。的。1K UCE + - iB + - UBE 图图2.3.72.3.7(a) VCC Rc Rb iC VBB6V6V176K CUiiCV iB/uA t BEQtvBE/V Q Q1Q2 IBQ v BE/Vi B/uA 203040 下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页第第2 2章章 半导体三极管半导体三极管图图2.3.7 动态工作情况动态工作情况 Q Q1 Q2 ICQ VCEQ vCE/V iC/mA vCE/V iC/mA t t 20uA 30uA 40uA 4mA2mA3mA3V2V4V Q Q Q IBQ VBEQ vBE/V iB/
31、uA t t vBE/V iB/uA 20 30 40 下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页第第2 2章章 半导体三极管半导体三极管二、小信号等效电路分析法二、小信号等效电路分析法 建立小信号模型的意义：建立小信号模型的意义：由于三极管是非线性器件，这由于三极管是非线性器件，这样就使得放大电路的分析非常困难。建立小信号模型，样就使得放大电路的分析非常困难。建立小信号模型，就是将非线性器件做线性化处理，从而简化放大电路的就是将非线性器件做线性化处理，从而简化放大电路的分析和设计。分析和设计。 建立小信号模型的思路：建立小信号模型的思路：当放大电路的输入信号电压当放大电路的输
32、入信号电压足够小时，晶体管工作于线性区，就可以把三极管小范足够小时，晶体管工作于线性区，就可以把三极管小范围内的特性曲线近似地用直线来代替，从而可以把三极围内的特性曲线近似地用直线来代替，从而可以把三极管这个非线性器件所组成的电路当作线性电路来处理。管这个非线性器件所组成的电路当作线性电路来处理。下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页第第2 2章章 半导体三极管半导体三极管ucecicb ibubeucecbeibic(a)ibubebe(d )rbeibubebrbee(b)ib ibceucec(c)（1）晶体三极管）晶体三极管h参数小信号电路模型参数小信号电路模型1.
33、晶体三极管小信号等效电路分析法晶体三极管小信号等效电路分析法当三极管工作于放大当三极管工作于放大区时区时,ic的大小受的大小受ib控控制制, 实现了三极管的实现了三极管的受控恒流性受控恒流性,ic=ib。所以所以,当输入回路的当输入回路的ib给定时给定时,三极管输出三极管输出回路的集电极与发射回路的集电极与发射极之间极之间,可用一个大可用一个大小为小为ib的的理想受控理想受控电流源电流源来等效。来等效。下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页第第2 2章章 半导体三极管半导体三极管（1）晶体三极管）晶体三极管h参数小信号电路模型参数小信号电路模型v BE/ViB/uA Dib
34、DuBEiuiurbbeBBEbeuCE=DD=常数uCE=常数)()(26)1 (200mVmVIrEQbeb+=工程上：工程上：)1 (rrbbbeb+=r e基射间等效电阻基射间等效电阻ucecicb ibibubeberbe=iCiBuCE=常数下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页第第2 2章章 半导体三极管半导体三极管(2)晶体三极管电路交流分晶体三极管电路交流分析析2.7K UCE + - iB + - UBE 图图2.3.92.3.9(a) VCC Rc Rb iC VBB12V12V470K C1USiCC2sRRLUO+-+-+-3.6K ibicuir
35、be ibRBRCRLEBCui+ +- -uo+ +- -+ +- -RSii下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页第第2 2章章 半导体三极管半导体三极管附：三附：三极管使用基本知识极管使用基本知识一、三极管外形及引脚排列一、三极管外形及引脚排列下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页第第2 2章章 半导体三极管半导体三极管下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页第第2 2章章 半导体三极管半导体三极管下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页第第2 2章章 半导体三极管半导体三极管下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页第第2 2章章 半导体三极管半导体三极管
