《电子元器件参数》由会员分享，可在线阅读，更多相关《电子元器件参数（158页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、第十节第十节场效应管参数符号意义场效应管参数符号意义第八节第八节半导体二极管参数符号及其意义半导体二极管参数符号及其意义第九节第九节双极型晶体管参数符号及其意义双极型晶体管参数符号及其意义第一节第一节电感线圈电感线圈第二节第二节电容器电容器第三节第三节电阻器电阻器第四节第四节电位器电位器第五节第五节电子元器件的故障特点电子元器件的故障特点第六节第六节连接器连接器第七节第七节半导体器件半导体器件命名方法命名方法第一讲第一讲常用电子元器件的参数常用电子元器件的参数电电阻阻分分类类及及符符号号普通电阻特殊电阻金属膜电阻碳膜电阻线绕电阻排阻电位器光敏电阻热敏电阻压敏电阻磁敏电阻TPB碳膜电阻排阻光敏电
2、阻贴片电阻贴片电阻电位器电位器电阻分类及符号电阻分类及符号电阻特性电阻特性特性：对电流有阻碍作用。特性：对电流有阻碍作用。 满足欧姆定律：满足欧姆定律：电阻的主要参数 电阻值（等值代换）单位： K M 功率（只能以大代小）单位：W 电阻识别电阻识别电阻的标称 直接标称 220 4R74.7 10310*10310K 14=1*104=10K 色环标称 四道色环标称（用于一般电阻） 五道色环标称（用于精密电阻）色环电阻的识别方法 四道色环标称：第一第二道表示有效数字，第三道表示加零个数， 第四道为误差等级。 黑 棕 红 橙 黄 绿 蓝 紫 灰 白 金 银 本色 0 1 2 3 4 5 6 7 8
3、 9 5 10 20 五道色环标称：第一第二第三道为有效数字，第四道为加零个数， 第五道为误差等级。 五道色环电阻值的表示数字跟四道色环相同其 误差表示跟四道色环不同 紫 蓝 红 橙 金 银 本色 白0.1% 0.25% 0.5% 1% 5% 10% 20% +20-50% 第一道色环的识别 对于四道色环的电阻对于四道色环的电阻，由于第四道色环表示误差，而误差只 有三种，且表示误差的色环不表示阻值，故首先找到第四 道色环，另一端即为引一道。五道色环的电阻五道色环的电阻两色环间距离较大的一端为第五道，另一端即 为引一道 黄 紫 红 金黄紫绿黑 橙电阻电路电阻电路串联分电压IR1R2U1U2+_+
4、_Uabi2i1iR2R1+_abu并联分电流电电容容分分类类及及符符号号普通电容特殊电容电解电容瓷片电容绦纶电容钽电容可变电容半可变电容电容分类及符号电容分类及符号电解电容贴片电阻瓷片电容绦纶电容电解电容贴片电容贴片电容绦纶电容电容特性及参数电容特性及参数特性：储能，以电场能形势储存能量。特性：储能，以电场能形势储存能量。电阻的主要参数 电容量（单位F nF pF ） 耐压值（单位 V KV） 电容识别电容识别电容的标称 直接标称：如：220F25V 47=4.7F4n7=4.7 nF(纳法) 47n=47 nF=0.047F 间接标称：如：103=10*103 pF=10000 pF电容电
5、路电容电路串联分电压i2i1iC2C1+_abu并联分电流IC1C2U1U2+_+_Uab电感分类及符号电感分类及符号电电感感分分类类及及符符号号普通电感特殊电感中频变压器（中周）变压器空芯电感实芯电感实芯电感实芯电感实芯电感中周变压器稳压二极管稳压二极管各种二极管的外形开关二极管开关二极管大功率整流二极管大功率整流二极管整流二极管整流二极管发光二极管发光二极管贴片发光二极管贴片发光二极管贴装稳压二极管贴装稳压二极管光电二极管光电二极管各种三极管的外形大功率晶体三极管大功率晶体三极管晶体三极管晶体三极管大功率晶体三极管大功率晶体三极管贴片三极管贴片三极管光电三极管光电三极管高频三极管高频三极管
6、高频三极管高频三极管音频音频功放功放三极三极管管各种场效应管的外形电感特性及参数电感特性及参数特性：储能，以磁场能形势储存能量。特性：储能，以磁场能形势储存能量。主要参数 电感量 H额定电流或功率 电感识别： 直接标称电感电路电感电路串联分电压并联分电流i2i1iL2L1+_abuIL1L2U1U2+_+_Uab第一节第一节电感线圈电感线圈电感电感线圈是由导线一圈一圈地绕在绝缘管上，导线彼此互线圈是由导线一圈一圈地绕在绝缘管上，导线彼此互相绝缘，而绝缘管可以是空心的，也可以包含铁芯或磁粉芯，相绝缘，而绝缘管可以是空心的，也可以包含铁芯或磁粉芯，简称电感。用简称电感。用L表示，单位有亨利表示，单
7、位有亨利(H)、毫亨利、毫亨利(mH)、微亨利、微亨利(uH)，1H=103mH=106uH。一、电感的分类一、电感的分类按按电感形式电感形式分类：固定电感、可变电感。分类：固定电感、可变电感。按导磁体性质分类：空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯按导磁体性质分类：空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈。线圈。按按工作性质工作性质分类：天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、分类：天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈。偏转线圈。按按绕线结构绕线结构分类：单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。分类：单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。二、电感元件的实物图与电路图形符号二、电感元件的实物图与电
8、路图形符号 三、电感元件的基本知识三、电感元件的基本知识四、电感元件的主要参数四、电感元件的主要参数 五、分布电感五、分布电感在电路中，由于导线布线和元器件的分布而存在的在电路中，由于导线布线和元器件的分布而存在的电感电感叫叫分布电感。分布电感。例如，电解例如，电解电容电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时都具有一定的电感，它对电路的影响等效于给电路在高频时都具有一定的电感，它对电路的影响等效于给电路串联上一个串联上一个电感器电感器，这个电感值就是分布电感。，这个电感值就是分布电感。根据电感器的频率特性，可以知道由于分布电感的数值一根据电感器的频率
9、特性，可以知道由于分布电感的数值一般不大，在低频可以不考虑分布电感的影响，但对于高频交般不大，在低频可以不考虑分布电感的影响，但对于高频交流电路，分布电感的影响就不能忽略了。流电路，分布电感的影响就不能忽略了。2.传输电缆的分布参数传输电缆的分布参数可以把一条传输电缆看成是由分布电容、分布电感和电阻联合可以把一条传输电缆看成是由分布电容、分布电感和电阻联合组成的等效电路，如图组成的等效电路，如图1所示所示图1 传输电缆等效电路图 1.线绕精密线绕精密电阻和电位器的分布参数（分布电容和分布电感）电阻和电位器的分布参数（分布电容和分布电感）由于线绕精密电阻和电位由于线绕精密电阻和电位器存在分布参数
10、，所以线绕精密器存在分布参数，所以线绕精密电阻和电位器的匝数较多时，往往采用无感绕制法绕制，即正电阻和电位器的匝数较多时，往往采用无感绕制法绕制，即正向绕制的匝数和反向绕制的匝数相同，以尽量减小分布电感。向绕制的匝数和反向绕制的匝数相同，以尽量减小分布电感。3.印制板引线的分布参数印制板引线的分布参数对高频电路印制板上的引线来说，它的分布电感不容忽视。对高频电路印制板上的引线来说，它的分布电感不容忽视。去除这些分布电感影响，可以加宽电源线和地线以减少电源线去除这些分布电感影响，可以加宽电源线和地线以减少电源线和地线的阻抗。和地线的阻抗。4.接插件的分布参数接插件的分布参数线路板上的接插件，有线
11、路板上的接插件，有520nH的分布电感。双列直插的的分布电感。双列直插的(24)引脚引脚集成电路集成电路插座，有插座，有418nH的分布电感。的分布电感。5.电容器电容器的分布参数的分布参数实际中的电容器与实际中的电容器与“理想理想”电容器不同，电容器不同，“实际实际”电容电容器由于其封装、材料等方面的影响，使其只具备电感、电阻器由于其封装、材料等方面的影响，使其只具备电感、电阻的一个附加特性。的一个附加特性。单片陶瓷电容器具有很低的等效串联电感，即具备很宽单片陶瓷电容器具有很低的等效串联电感，即具备很宽的退耦频段，所以比较适合用作高频电路的退耦电容。的退耦频段，所以比较适合用作高频电路的退耦
12、电容。综上所述，这些小的分布参数对于在较低频率的电路中是综上所述，这些小的分布参数对于在较低频率的电路中是可以忽略不计的；而在高频电路中则必须予以注意。可以忽略不计的；而在高频电路中则必须予以注意。第二节第二节电容器电容器电容器电容器是组成电路的基本是组成电路的基本电子电子原件之一，在各种电子产品和原件之一，在各种电子产品和电力设备中被广泛应用。电力设备中被广泛应用。电容器电容器和电容任何两个互相靠近而又彼此绝缘的导体都可构和电容任何两个互相靠近而又彼此绝缘的导体都可构成电容器。组成电容器的两个导体叫做极板，极板中间的物质叫成电容器。组成电容器的两个导体叫做极板，极板中间的物质叫做电介质。常见
13、电容器的电介质有空气、纸、油、云母、塑料及做电介质。常见电容器的电介质有空气、纸、油、云母、塑料及陶瓷等。陶瓷等。电容器在电路中起着储存电荷的作用，电容器就是电容器在电路中起着储存电荷的作用，电容器就是“储存电储存电荷的容器荷的容器”。对任何一个电容器而言，两极板的电压都随所带电。对任何一个电容器而言，两极板的电压都随所带电荷量的增加而增加，并且电荷量与电压成正比，其比值荷量的增加而增加，并且电荷量与电压成正比，其比值q/U是一是一个恒量；但是对于不同的电容器，这一比值不相同。可见个恒量；但是对于不同的电容器，这一比值不相同。可见q/U表表现了电容器的固有特性。因此，把电容器所带电荷量与其端电
14、压现了电容器的固有特性。因此，把电容器所带电荷量与其端电压的比值叫做电容器的电容量，简称电容，用字母的比值叫做电容器的电容量，简称电容，用字母C表示。表示。一、电容器的分类一、电容器的分类按照结构分三大类：固定电容器、可变电容器和微调电容器。按照结构分三大类：固定电容器、可变电容器和微调电容器。按电解质分类有：有机介质电容器、无机介质电容器、电解按电解质分类有：有机介质电容器、无机介质电容器、电解电容器和空气介质电容器等。电容器和空气介质电容器等。按用途分有：高频旁路、低频旁路、滤波、调谐、高频耦合、按用途分有：高频旁路、低频旁路、滤波、调谐、高频耦合、低频耦合、小型电容器。低频耦合、小型电容
15、器。高频旁路：陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、涤纶高频旁路：陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、涤纶电容器、玻璃釉电容器。电容器、玻璃釉电容器。低频旁路：纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电低频旁路：纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器。容器。滤滤波：铝电解电容器、纸介电容器、复合纸介电容器、波：铝电解电容器、纸介电容器、复合纸介电容器、液体钽电容器。液体钽电容器。调调谐：陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、聚苯谐：陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、聚苯乙烯电容器。乙烯电容器。高频耦合：陶瓷电容器、云母电容器、聚苯乙烯电容器。高频耦合：陶瓷电容器、云母电容器、
16、聚苯乙烯电容器。低频耦合：纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、低频耦合：纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器、固体钽电容器。涤纶电容器、固体钽电容器。小型电容：金属化纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容小型电容：金属化纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、聚苯乙烯电容器、固体钽电容器、玻璃釉电容器、金属器、聚苯乙烯电容器、固体钽电容器、玻璃釉电容器、金属化涤纶电容器、聚丙烯电容器、云母电容器。化涤纶电容器、聚丙烯电容器、云母电容器。电容器电容量的基本单位是法，用字母电容器电容量的基本单位是法，用字母F表示。因为实际中表示。因为实际中的电容器的容量往往比的电容器的容量往往比1F小得多
17、，所以电路中常用的单位有微小得多，所以电路中常用的单位有微法法(F)、纳法（、纳法（nF）和皮法）和皮法(pF)等，等，其关系是其关系是:1法法=106微法微法1微法微法=103纳法纳法=106皮法皮法2.电路图形符号和电容器的作用电路图形符号和电容器的作用(1)电容器的图形符号如图电容器的图形符号如图1所示所示(2)电容器的作用电容器的作用在电子电路中，电容器通常具有滤波、旁路和耦合等功能。在电子电路中，电容器通常具有滤波、旁路和耦合等功能。在如图在如图2所示电路中，所示电路中，C1、C6、C8为耦合电容，为耦合电容，C2、C3为滤为滤波电容，波电容，C4、C5、C7位谐振电容。位谐振电容。
18、图2 调频无线电话筒 3.常用电容器的实物图、结构特点及典型应用常用电容器的实物图、结构特点及典型应用三、电力电容器三、电力电容器电力电力电容器电容器是用于电力网络的是用于电力网络的电容电容器。电力电容器是一器。电力电容器是一种静止的无功补偿设备。其主要作用是向电力系统提供无功功种静止的无功补偿设备。其主要作用是向电力系统提供无功功率，提高功率因数。采用就地无功补偿的方式，可以减少输电率，提高功率因数。采用就地无功补偿的方式，可以减少输电线路输送电流，起到减少线路能量损耗和压降，改善电能质量线路输送电流，起到减少线路能量损耗和压降，改善电能质量和提高设备利用率的重要作用。和提高设备利用率的重要
19、作用。电力电容器分为并联电容器（其中低压产品电力电容器分为并联电容器（其中低压产品低压自愈低压自愈式并联电容器另列）、耦合电容器、电容式电压互感器式并联电容器另列）、耦合电容器、电容式电压互感器（CVT）及交流滤波电容器等。常用电力电容器的实物图、特）及交流滤波电容器等。常用电力电容器的实物图、特点及应用如表点及应用如表1所示所示表表1常用电力电容器的实物图、特点及应用常用电力电容器的实物图、特点及应用 四、电容器的主要参数四、电容器的主要参数电容器电容器的主要参数有标称容量与允许偏差、额定工作电压、的主要参数有标称容量与允许偏差、额定工作电压、绝缘绝缘电阻电阻、温度系数、温度系数、电容电容器
20、损耗和频率特性等。器损耗和频率特性等。1.电容器的标称容量与允许偏差标志在电容器上的电容量称电容器的标称容量与允许偏差标志在电容器上的电容量称作标称容量。作标称容量。电容器的实际容量与标称容量存在一定的偏差，电容器的标电容器的实际容量与标称容量存在一定的偏差，电容器的标称容量与实际容量的允许最大偏差范围，称作电容器的允许偏称容量与实际容量的允许最大偏差范围，称作电容器的允许偏差。电容器的标称容量与实际容量的误差反映了电容器的精度。差。电容器的标称容量与实际容量的误差反映了电容器的精度。精度等级与允许偏差的对应关系如表精度等级与允许偏差的对应关系如表1所示。一般电容器常用所示。一般电容器常用、级
21、，电解电容器用级，电解电容器用、级。级。表表1电容器的精度等级电容器的精度等级2.电容器的额定工作电压电容器的额定工作电压额定工作电压是指电容器在规定的温度范围内，能够连续额定工作电压是指电容器在规定的温度范围内，能够连续可靠工作的最高点压，有时又分为额定直流工作电压和额定交可靠工作的最高点压，有时又分为额定直流工作电压和额定交流工作电压。额定工作电压的大小与电容器所用介质和环境温流工作电压。额定工作电压的大小与电容器所用介质和环境温度有关。环境温度不同，电容器能承受的最高工作电压也不同。度有关。环境温度不同，电容器能承受的最高工作电压也不同。选用电容器时，要根据其工作电压的大小，选择额定工作
22、电压选用电容器时，要根据其工作电压的大小，选择额定工作电压大于实际工作电压的电容器，以保证电容器不被击穿。常用的大于实际工作电压的电容器，以保证电容器不被击穿。常用的固定电容工作电压有固定电容工作电压有6.3V、10V、16V、25V、50V、63V、100V、400V、500V、630V、1000V、2500V。耐压值一般直。耐压值一般直接标称在电容器上，但有些电解电容的耐压采用色标法的，位接标称在电容器上，但有些电解电容的耐压采用色标法的，位置靠近正极引出线的根部置靠近正极引出线的根部.。表表2电容器耐压色环标志电容器耐压色环标志 3.电容器的温度系数电容器的温度系数温度的变化会引起电容器
23、容量的微小变化，通常用温度系数温度的变化会引起电容器容量的微小变化，通常用温度系数来表示电容器的这种特性。温度系数是指在一定温度范围内，来表示电容器的这种特性。温度系数是指在一定温度范围内，温度每变化温度每变化1C时电容器容量的相对变化值。时电容器容量的相对变化值。4.电容器的漏电流电容器的漏电流电容器的介质并不是绝对绝缘的，总会有些漏电，产生漏电电容器的介质并不是绝对绝缘的，总会有些漏电，产生漏电流。一般电解电容器的漏电流比较大，其他电容器的漏电流很流。一般电解电容器的漏电流比较大，其他电容器的漏电流很小。当漏电流较大时，电容器会发热；发热严重时，电容器会小。当漏电流较大时，电容器会发热；发
24、热严重时，电容器会因过热而损坏。因过热而损坏。5.电容器的绝缘电阻电容器的绝缘电阻电容器的绝缘电阻的值等于加在电容器两端的电压与通过电容器的绝缘电阻的值等于加在电容器两端的电压与通过电容器的漏电流的比值。电容器的绝缘电阻与电容器的介质材电容器的漏电流的比值。电容器的绝缘电阻与电容器的介质材料和面积、引线的材料和长短、制造工艺、温度和湿度等因素料和面积、引线的材料和长短、制造工艺、温度和湿度等因素有关。有关。对于同一种介质的电容器，电容量越大，绝缘电阻越小。对于同一种介质的电容器，电容量越大，绝缘电阻越小。电容器绝缘电阻的大小和变化会影响电容器绝缘电阻的大小和变化会影响电子电子设备的工作性能，设
25、备的工作性能，对于一般的电子设备，选用绝缘电阻越大越好。对于一般的电子设备，选用绝缘电阻越大越好。6.电容器的频率特性电容器的频率特性频率特性是指电容器对各种不同的频率所表现出的性能频率特性是指电容器对各种不同的频率所表现出的性能（即电容量等电参数随着电路工作频率的变化而变化的特性）。（即电容量等电参数随着电路工作频率的变化而变化的特性）。不同介质材料的电容器，其最高工作频率也不同，例如，容量不同介质材料的电容器，其最高工作频率也不同，例如，容量较大的电容器（如电解电容器）只能在低频电路中正常工作，较大的电容器（如电解电容器）只能在低频电路中正常工作，而高频电路中只能使用容量较小的高频瓷介电容
26、器或云母电容而高频电路中只能使用容量较小的高频瓷介电容器或云母电容器等。器等。7.电容器的介质损耗电容器的介质损耗电容器在电场作用下消耗的能量，通常用损耗功率和电容电容器在电场作用下消耗的能量，通常用损耗功率和电容器的无功功率之比，即损耗角的正切值表示。损耗角越大，电器的无功功率之比，即损耗角的正切值表示。损耗角越大，电容器的损耗越大，损耗较大的电容器不适于在高频情况下工作。容器的损耗越大，损耗较大的电容器不适于在高频情况下工作。五、分布电容五、分布电容除除电容器电容器外，由于电路的分布特点而具有的外，由于电路的分布特点而具有的电容叫电容叫分布电分布电容。分布电容往往都是无形的，例如线圈的相邻
27、两匝之间，两容。分布电容往往都是无形的，例如线圈的相邻两匝之间，两个分立的元件之间，两根相邻的导线间，一个元件内部的各部个分立的元件之间，两根相邻的导线间，一个元件内部的各部分之间，都具有一定的电容。它对电路的影响等效于给电路并分之间，都具有一定的电容。它对电路的影响等效于给电路并联上一个电容器，这个电容值就是分布电容。联上一个电容器，这个电容值就是分布电容。在低频交流电路中，分布电容的容抗很大，对电路的影响在低频交流电路中，分布电容的容抗很大，对电路的影响不大，因此在低频交流电路中，一般可以不考虑分布电容的影不大，因此在低频交流电路中，一般可以不考虑分布电容的影响，但对于高频交流电路，分布电
28、容的影响就不能忽略。响，但对于高频交流电路，分布电容的影响就不能忽略。1.电感电感线圈的分布电容线圈的分布电容线圈的匝和匝之间、线圈与地之间、线圈与屏蔽盒之间以线圈的匝和匝之间、线圈与地之间、线圈与屏蔽盒之间以及线圈的层和层之间都存在分布电容。及线圈的层和层之间都存在分布电容。分布电容的存在会使线圈的等效总损耗分布电容的存在会使线圈的等效总损耗电阻电阻增大，品质因增大，品质因数数Q降低。降低。高频线圈常采用蜂房绕法，即让所绕制的线圈，其平面不高频线圈常采用蜂房绕法，即让所绕制的线圈，其平面不与旋转面平行，而是相交成一定的角度，这种线圈称为蜂房式与旋转面平行，而是相交成一定的角度，这种线圈称为蜂
29、房式线圈。线圈旋转一周，导线来回弯折的次数，称为折点数。线圈。线圈旋转一周，导线来回弯折的次数，称为折点数。蜂房绕法的优点是体积小，分布电容小，而且电感量。蜂蜂房绕法的优点是体积小，分布电容小，而且电感量。蜂房式线圈都是利用蜂房绕线机来绕制的，折点数越多，分布电房式线圈都是利用蜂房绕线机来绕制的，折点数越多，分布电容越小。容越小。2.变压器变压器的分布电容的分布电容变压变压器在初级和次级之间存在分布电容，该分布电容会经器在初级和次级之间存在分布电容，该分布电容会经变压器进行耦合，因而该分布电容的大小直接影响变压器的高变压器进行耦合，因而该分布电容的大小直接影响变压器的高频隔离性能。频隔离性能。
30、也就是说，该分布电容为信号进入电网提供了通道。所以也就是说，该分布电容为信号进入电网提供了通道。所以在选择变压器时，必须考虑其分布电容的大小。在选择变压器时，必须考虑其分布电容的大小。3.输出变压器层间分布电容输出变压器层间分布电容输出变压器层间分布电容对音频信号的高频有极大的衰减输出变压器层间分布电容对音频信号的高频有极大的衰减作用，直接导致音频信号在整个频带内不均匀传输，是音频信作用，直接导致音频信号在整个频带内不均匀传输，是音频信号失真增大的主要因数。号失真增大的主要因数。为了削弱极少的分布电容就要采用初级每层分段的特殊绕为了削弱极少的分布电容就要采用初级每层分段的特殊绕法，以降低分布电
31、容对音频信号的衰减。法，以降低分布电容对音频信号的衰减。第三节第三节电阻器电阻器电阻器是电阻器是组成电路的基本元件之一，在各种组成电路的基本元件之一，在各种电子电子产品和电产品和电力设备中被广泛应用。力设备中被广泛应用。1.电阻电阻和电阻器和电阻器导体对电流的阻碍作用叫电阻。导体对电流的阻碍作用叫电阻。电阻值用字母电阻值用字母R表示，单位为欧表示，单位为欧姆姆，符号为，符号为。常用的电阻单位还有千欧（常用的电阻单位还有千欧（k）、兆欧（）、兆欧（M），），它们之间的关系是：它们之间的关系是：1M=103k=106二、电阻器的分类二、电阻器的分类1、线绕电阻器：通用线绕电阻器、精密线绕电阻器、大
32、功、线绕电阻器：通用线绕电阻器、精密线绕电阻器、大功率线绕电阻器、高频线绕电阻器。率线绕电阻器、高频线绕电阻器。2、薄膜电阻器：碳膜电阻器、合成碳膜电阻器、金属膜电、薄膜电阻器：碳膜电阻器、合成碳膜电阻器、金属膜电阻器、金属氧化膜电阻器、化学沉积膜电阻器、玻璃釉膜电阻阻器、金属氧化膜电阻器、化学沉积膜电阻器、玻璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器。器、金属氮化膜电阻器。3、实心电阻器：无机合成实心碳质电阻器、有机合成实心、实心电阻器：无机合成实心碳质电阻器、有机合成实心碳质电阻器。碳质电阻器。4、敏感电阻器：压敏电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器、敏感电阻器：压敏电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器、力敏电阻
33、器、气敏电阻器、湿敏电阻器。力敏电阻器、气敏电阻器、湿敏电阻器。三、常用电阻器实物图、结构特点及应用三、常用电阻器实物图、结构特点及应用电阻器主要用来稳定和调节电路中电流和电压的大小，在电电阻器主要用来稳定和调节电路中电流和电压的大小，在电路中主要起限流、降压、分流、隔离和分压等作用。路中主要起限流、降压、分流、隔离和分压等作用。常用电阻器的实物图、结构特点及应用如表常用电阻器的实物图、结构特点及应用如表1所示。所示。四、四、电阻器的主要特性参数电阻器的主要特性参数1.标称阻值标称阻值常用的标称阻值有常用的标称阻值有E6、E12、E24系列，如表系列，如表1所示。实际所示。实际阻值与标称阻值的
34、相对误差称为允许偏差。常用的精度有阻值与标称阻值的相对误差称为允许偏差。常用的精度有5%、10%、20%，精密电阻，精密电阻精度要求更高，如精度要求更高，如2%、1%和和0.5%0.001%。2.允许误差允许误差标称阻值与实际阻值的差值跟标称阻值之比的百分数称作阻标称阻值与实际阻值的差值跟标称阻值之比的百分数称作阻值偏差，它表示电阻器精度。允许误差与精度等级对应关系值偏差，它表示电阻器精度。允许误差与精度等级对应关系如表如表2所示。所示。3.额定功率额定功率电阻器在交、直流电路中长期、连续工作所允许消耗的最电阻器在交、直流电路中长期、连续工作所允许消耗的最大功率，称为电阻器的额定功率，共分为大
35、功率，称为电阻器的额定功率，共分为19个等级，如表个等级，如表3所示。常用的额定功率有所示。常用的额定功率有1/20W、1/8W、1/4W、1/2W、1W、2W、5W、10W和和20W等。等。表表3电阻器额定功率系列电阻器额定功率系列其中其中1/8W和和1/4W的电阻器较为常用，但是在大电流场合，的电阻器较为常用，但是在大电流场合，大功率的电阻器也用得很普遍。图大功率的电阻器也用得很普遍。图1所示为各额定功率值得电阻所示为各额定功率值得电阻器在电路图上的符号。器在电路图上的符号。4.额定电压额定电压额定电压是由阻值和额定功率换算出的电压。额定电压是由阻值和额定功率换算出的电压。5.最高工作电压
36、最高工作电压最高工作电压是允许的最大连续工作的电压。在低气压工作最高工作电压是允许的最大连续工作的电压。在低气压工作时，最高工作电压较低。时，最高工作电压较低。6.温度系数温度系数温度系数是温度每变化温度系数是温度每变化1C所引起的电阻值的相对变化。温所引起的电阻值的相对变化。温度系数越小，电阻的稳定性越好。阻值随温度升高而增大的度系数越小，电阻的稳定性越好。阻值随温度升高而增大的为正温度系数，反之为负温度系数。为正温度系数，反之为负温度系数。需要特别指出的是，电阻噪声与其误差等级密切相关，精度需要特别指出的是，电阻噪声与其误差等级密切相关，精度越低的电阻在电路中的噪声越大，因此在应用中应根据
37、不同越低的电阻在电路中的噪声越大，因此在应用中应根据不同的电路进行选择。的电路进行选择。五、电阻器的应用五、电阻器的应用电阻器在电子电阻器在电子产品中的应用产品中的应用在电子产品中在电子产品中电阻器电阻器主要用作分压、分流、限流和降压，主要用作分压、分流、限流和降压，在如图在如图1所示的分压电路中有所示的分压电路中有在如图在如图2所示的分流电路中，电阻所示的分流电路中，电阻R1、R2、R3为分流电阻。为分流电阻。图1 分压电路 图2 分流电路 敏感电阻器主要是指电特性（例如电阻率）对于温度、敏感电阻器主要是指电特性（例如电阻率）对于温度、光通、电压、机械力、磁通、湿度和气敏电阻器。光通、电压、
38、机械力、磁通、湿度和气敏电阻器。利用这类元件可以构成能检测相应物理量的探测器，如红利用这类元件可以构成能检测相应物理量的探测器，如红外探测器、辐射热探测器等；还可制成无触点开关和非接触式外探测器、辐射热探测器等；还可制成无触点开关和非接触式电位器，电位器，如光电如光电电位电位器和磁敏电位器等。由于他们几乎都是用器和磁敏电位器等。由于他们几乎都是用半导体半导体材料做成的，因此这类电阻器也称为材料做成的，因此这类电阻器也称为“半导体电阻器半导体电阻器”。随着电器设备的发展敏感电阻器的应用越来越广泛。如随着电器设备的发展敏感电阻器的应用越来越广泛。如可见光光敏电阻器主要用于各种光电控制系统、光电自动
39、开关可见光光敏电阻器主要用于各种光电控制系统、光电自动开关门户、声光控照明系统和报警器等方面，如表门户、声光控照明系统和报警器等方面，如表1中的光电控制中的光电控制电路所示；正温度系数热敏电阻（电路所示；正温度系数热敏电阻（PTC）一般用于电冰箱压缩）一般用于电冰箱压缩机启动电路、彩色显像管消磁电路（如表机启动电路、彩色显像管消磁电路（如表1中的电视机消磁电中的电视机消磁电路所示）、电动机过电过热保护电路、限流电路和恒温加热电路所示）、电动机过电过热保护电路、限流电路和恒温加热电路等方面；负温度系数热敏电阻器（路等方面；负温度系数热敏电阻器（NTC）一般用于各种电）一般用于各种电子产品温度补偿
40、、温度控制和稳压电路等方面。子产品温度补偿、温度控制和稳压电路等方面。2.电阻器在电力设备中的应用电阻器在电力设备中的应用电路电路是高电压、大功率、电路电路是高电压、大功率、大电流的电路，对电阻器的大电流的电路，对电阻器的要求较高。在选择时既要考虑电阻器的电器参数也要注意电阻要求较高。在选择时既要考虑电阻器的电器参数也要注意电阻器的形状，以适应不同电力设备的需要。器的形状，以适应不同电力设备的需要。(1)陶瓷管型启动式线绕电阻器陶瓷管型启动式线绕电阻器陶瓷管型启动式线绕电阻器将固定圈数成形于陶瓷管上，陶瓷管型启动式线绕电阻器将固定圈数成形于陶瓷管上，选择适当电阻合金线材，顺着陶瓷管上旋状牙沟缠
41、绕，其外形选择适当电阻合金线材，顺着陶瓷管上旋状牙沟缠绕，其外形如图如图3所示。该启动电阻器功率大且坚固，耐高温、散热性优，所示。该启动电阻器功率大且坚固，耐高温、散热性优，电阻温度系数小、呈直线变化，适合大电流做短时间过负载时电阻温度系数小、呈直线变化，适合大电流做短时间过负载时使用，适用于电动机启动、负载测试、产业机械、电力分配、使用，适用于电动机启动、负载测试、产业机械、电力分配、仪器设备及自动控制装置等。仪器设备及自动控制装置等。(2)电力铝壳电阻器电力铝壳电阻器电力铝壳电阻器是弹簧合金电阻体与成形铝壳的组合，将电力铝壳电阻器是弹簧合金电阻体与成形铝壳的组合，将其经高温阳极处理后，再以
42、特殊不燃性耐热水泥充填固定，所其经高温阳极处理后，再以特殊不燃性耐热水泥充填固定，所以不怕外来的机械力量与尘埃环境。这种电阻器不但功率大而以不怕外来的机械力量与尘埃环境。这种电阻器不但功率大而且坚固，耐振，散热良好，电阻温度系数小，呈直线变化，适且坚固，耐振，散热良好，电阻温度系数小，呈直线变化，适用于产业机械、负载测试、电力分配、仪器设备及自动控制装用于产业机械、负载测试、电力分配、仪器设备及自动控制装置等。置等。图1 陶瓷管型启动式线绕电阻器 图2 电力铝壳电阻器 第四节第四节电位器电位器1.电位器电位器的作用的作用电位电位器实际上就是可变器实际上就是可变电阻器电阻器，由于它在电路中的作用
43、是获，由于它在电路中的作用是获得与输入电压（外加电压）成一定关系得输出电压，因此称之得与输入电压（外加电压）成一定关系得输出电压，因此称之为电位器。为电位器。2.电路图形符号电路图形符号电位器阻值的单位与电位器阻值的单位与电阻电阻器相同，基本单位也是欧姆，用符器相同，基本单位也是欧姆，用符号号表示。电位器在电路中用字母表示。电位器在电路中用字母R或或RP（旧标准用（旧标准用W）表示，）表示，图图1是其电路图形符号。是其电路图形符号。图1 电位器电路图形符号 3.常用电位器实物图、结构特点及应用常用电位器实物图、结构特点及应用4.电位器的主要参数电位器的主要参数电位器的主要参数有标称阻值、额定功
44、率、分辨率、滑动电位器的主要参数有标称阻值、额定功率、分辨率、滑动噪声、阻值变化特性、耐磨性、零位电阻及温度系数等。噪声、阻值变化特性、耐磨性、零位电阻及温度系数等。(1)电位器的标称阻值和额定功率电位器的标称阻值和额定功率电位器上标注的阻值叫标称阻值。电位器上标注的阻值叫标称阻值。电位器的额定功率是指在直流或交流电路中，当大气压为电位器的额定功率是指在直流或交流电路中，当大气压为87107kPa，在规定的额定温度下长期连续负荷所允许消耗的，在规定的额定温度下长期连续负荷所允许消耗的最大功率。线绕和非线绕电位器的额定功率系列入表最大功率。线绕和非线绕电位器的额定功率系列入表2所示。所示。(2)
45、电位器的阻值变化特性电位器的阻值变化特性阻值变化特性是指电位器的阻值随活动触点移动的长度或阻值变化特性是指电位器的阻值随活动触点移动的长度或转轴转动的角度变化的关系，即阻值输出函数特性。常用的阻转轴转动的角度变化的关系，即阻值输出函数特性。常用的阻值变化特性有值变化特性有3种，如图种，如图2所示。所示。图2 电位器阻值变化曲线直线式（直线式（X型）：随着动角点位置的变化，其阻值的变化型）：随着动角点位置的变化，其阻值的变化接近直线。接近直线。指数式（指数式（Z型）：电位器阻值的变化与动角点位置的变化型）：电位器阻值的变化与动角点位置的变化成指数关系。成指数关系。直线式电位器的阻值变化与旋转角度
46、成直线关系。当电直线式电位器的阻值变化与旋转角度成直线关系。当电阻体上的导电物质分布均匀时，单位长度的阻值大致相等。它阻体上的导电物质分布均匀时，单位长度的阻值大致相等。它适用于要求调节均匀的场合（如分压器）。适用于要求调节均匀的场合（如分压器）。指数式电位器因电阻体上的导电物质分布不均匀，电位指数式电位器因电阻体上的导电物质分布不均匀，电位器开始转动时，阻值变化较慢，转动角度增大时，阻值变化较器开始转动时，阻值变化较慢，转动角度增大时，阻值变化较陡。指数式电位器单位面积允许承受的功率不等，阻值变化小陡。指数式电位器单位面积允许承受的功率不等，阻值变化小的一端允许承受的功率较大。它普遍应用于音
47、量调节电路里，的一端允许承受的功率较大。它普遍应用于音量调节电路里，因为人耳对声音响度的听觉最灵敏，当音量大到一定程度后，因为人耳对声音响度的听觉最灵敏，当音量大到一定程度后，人耳的听觉逐渐变迟钝。所以音量调节一般采用指数式电位器，人耳的听觉逐渐变迟钝。所以音量调节一般采用指数式电位器，使声音的变化显得平稳、舒适。使声音的变化显得平稳、舒适。对数式电位器因电阻体上导电物质的分布也不均匀，在电对数式电位器因电阻体上导电物质的分布也不均匀，在电位器开始转动时，其阻值变化很快，当转动角度增大时，转动位器开始转动时，其阻值变化很快，当转动角度增大时，转动到接近阻值大的一端时，阻值变化比较缓慢。对数式电
48、位器适到接近阻值大的一端时，阻值变化比较缓慢。对数式电位器适用于与指数式电位器要求相反的用于与指数式电位器要求相反的电子电子电路中，如电视机的对比电路中，如电视机的对比度控制电路、音调控制电路。度控制电路、音调控制电路。(3)电位器的分辨率电位器的分辨率电位器的分辨率也称为分辨力，对线绕电位器来讲，当动接电位器的分辨率也称为分辨力，对线绕电位器来讲，当动接点每移动一圈时，输出电压不连续的发生变化，这个变化量与点每移动一圈时，输出电压不连续的发生变化，这个变化量与输出电压的比值为分辨率。直线式线绕电位器的理论分辨率为输出电压的比值为分辨率。直线式线绕电位器的理论分辨率为绕线总匝数绕线总匝数N的倒
49、数，并以百分数表示。电位器的总匝数越多，的倒数，并以百分数表示。电位器的总匝数越多，分辨率越高。分辨率越高。(4)电位器的最大工作电压电位器的最大工作电压电位器的最大工作电压是指电位器在规定的条件下，长期可电位器的最大工作电压是指电位器在规定的条件下，长期可靠地工作而不损坏，所允许承受的最高点工作电压，也称为额靠地工作而不损坏，所允许承受的最高点工作电压，也称为额定工作电压。定工作电压。电位器的实际工作电压要小于额定工作电压。如果实际工作电位器的实际工作电压要小于额定工作电压。如果实际工作电压高于额定工作电压，则电位器所承受的功率要超过额定功电压高于额定工作电压，则电位器所承受的功率要超过额定
50、功率，则导致电位器过热损坏。率，则导致电位器过热损坏。(5)电位器的动噪声电位器的动噪声当电位器在外加电压作用下，其动接触点在电阻体上滑动时，当电位器在外加电压作用下，其动接触点在电阻体上滑动时，产生的电噪声称为电位器的动噪声。动噪声是滑动噪声的主要参产生的电噪声称为电位器的动噪声。动噪声是滑动噪声的主要参数之一，动噪声值的大小与转轴速度、接触点和电阻体之间的接数之一，动噪声值的大小与转轴速度、接触点和电阻体之间的接触电阻、电阻体的电阻率不均匀变化、动接触点的数目以及外加触电阻、电阻体的电阻率不均匀变化、动接触点的数目以及外加电压的大小有关。电压的大小有关。5.电位器结构和种类电位器结构和种类
51、电位器由外壳、滑动轴、电阻体和三个引出端组成，如图电位器由外壳、滑动轴、电阻体和三个引出端组成，如图3所示。电位器的种类很多，按调节方式可分为旋转式（或转柄所示。电位器的种类很多，按调节方式可分为旋转式（或转柄式）和直滑式电位器；按联数可分为单联式和多联式电位器；式）和直滑式电位器；按联数可分为单联式和多联式电位器；按有无开关分为无开关和有开关两种；按阻值输出函数特性可按有无开关分为无开关和有开关两种；按阻值输出函数特性可分为直线式电位器、指数式电位器和对数式电位器三种。如实分为直线式电位器、指数式电位器和对数式电位器三种。如实芯电位器、片式电位器、碳膜电位器、玻璃釉电位器、精密导芯电位器、片
52、式电位器、碳膜电位器、玻璃釉电位器、精密导电塑料电位器和其他电位器。电塑料电位器和其他电位器。6.电位器的应用电位器的应用(1)调光台灯电路调光台灯电路图图4所示是一个简单实用的调光台灯电路。调节所示是一个简单实用的调光台灯电路。调节RP的阻值，的阻值，可改变可改变电容电容C充电达到充电达到UG值得时间，即调整值得时间，即调整晶闸管晶闸管的导通角，的导通角，使晶闸管早一点或迟一点触发导通，从而调节晶闸管的输出电使晶闸管早一点或迟一点触发导通，从而调节晶闸管的输出电压，使灯两端电压能在压，使灯两端电压能在0220V间变化。电压高，灯发光亮；电间变化。电压高，灯发光亮；电压低，灯发光暗。压低，灯发
53、光暗。图3 普通电位器结构图 图4 调光台灯电路 (2)直流稳压电源电路直流稳压电源电路直流稳压电源电路如图直流稳压电源电路如图5所示。一般所示。一般R4可选小功率碳膜电可选小功率碳膜电位器、位器、RP选大功率的线绕滑动式电位器。调节选大功率的线绕滑动式电位器。调节R4的阻值可改的阻值可改变输出电压变输出电压U的高低，调节的高低，调节RP可测试电源的带负载能力。可测试电源的带负载能力。图5 直流稳压电源电路第五节第五节电子元器件的故障特点电子元器件的故障特点电器设备内部的电器设备内部的电子元器件电子元器件虽然数量很多，但其故障却是虽然数量很多，但其故障却是有规律可循的。有规律可循的。1.电阻电
54、阻损坏的特点损坏的特点电阻是电器设备中数量最多的元件，但不是损坏率最高的电阻是电器设备中数量最多的元件，但不是损坏率最高的元件。电阻损坏以开路最常见，阻值变大较少见，阻值变小十元件。电阻损坏以开路最常见，阻值变大较少见，阻值变小十分少见。常见的有碳膜电阻、金属膜电阻、线绕电阻和保险电分少见。常见的有碳膜电阻、金属膜电阻、线绕电阻和保险电阻几种。前两种电阻应用最广，其损坏的特点一是低阻值阻几种。前两种电阻应用最广，其损坏的特点一是低阻值（100以下）和高阻值（以下）和高阻值（100k以上）的损坏率较高，中间阻以上）的损坏率较高，中间阻值（如几百欧到几十千欧）的极少损坏；二是低阻值电阻损坏值（如几
55、百欧到几十千欧）的极少损坏；二是低阻值电阻损坏时往往是烧焦发黑，很容易发现，而高阻值电阻损坏时很少有时往往是烧焦发黑，很容易发现，而高阻值电阻损坏时很少有痕迹。线绕电阻一般用作大电流限流，阻值不大。圆柱形线绕痕迹。线绕电阻一般用作大电流限流，阻值不大。圆柱形线绕电阻烧坏时有的会发黑或表面爆皮、裂纹，有的没有痕迹。水电阻烧坏时有的会发黑或表面爆皮、裂纹，有的没有痕迹。水泥电阻是线绕电阻的一种，烧坏时可能会断裂，否则也没有可泥电阻是线绕电阻的一种，烧坏时可能会断裂，否则也没有可见痕迹。保险电阻烧坏时有的表面会炸掉一块皮，有的也没有见痕迹。保险电阻烧坏时有的表面会炸掉一块皮，有的也没有什么痕迹，但绝
56、不会烧焦发黑。根据以上特点，在检查电阻时什么痕迹，但绝不会烧焦发黑。根据以上特点，在检查电阻时可有所侧重，快速找出损坏的电阻。可有所侧重，快速找出损坏的电阻。2.电解电解电容电容损坏的特点损坏的特点电解电容在电器设备中的用量很大，故障率很高。电解电电解电容在电器设备中的用量很大，故障率很高。电解电容损坏有以下几种表现：一是完全失去容量或容量变小；二是容损坏有以下几种表现：一是完全失去容量或容量变小；二是轻微或严重漏电；三是失去容量或容量变小兼有漏电。查找损轻微或严重漏电；三是失去容量或容量变小兼有漏电。查找损坏的电解电容方法有：坏的电解电容方法有：（1）看：有的电容损坏时会漏液，电容下面的电路
57、板表）看：有的电容损坏时会漏液，电容下面的电路板表面甚至电容外表都会有一层油渍，这种电容绝对不能再用；有面甚至电容外表都会有一层油渍，这种电容绝对不能再用；有的电容损坏后会鼓起，这种电容也不能继续使用；的电容损坏后会鼓起，这种电容也不能继续使用；（2）摸：开机后有些漏电严重的电解电容会发热，用手）摸：开机后有些漏电严重的电解电容会发热，用手指触摸时甚至会烫手，这种电容必须更换；指触摸时甚至会烫手，这种电容必须更换；（3）电解电容内部有电解液，长时间烘烤会使电解液变）电解电容内部有电解液，长时间烘烤会使电解液变干，导致电容量减小，所以要重点检查散热片及大功率干，导致电容量减小，所以要重点检查散热
58、片及大功率元器件元器件附近的电容，离其越近，损坏的可能性就越大。附近的电容，离其越近，损坏的可能性就越大。3.二、二、三极管三极管等等半导体半导体器件损坏的特点器件损坏的特点二、三极管的损坏一般是二、三极管的损坏一般是PN结击穿或开路，其中以击穿结击穿或开路，其中以击穿短路居多。此外还有两种损坏表现：一是热稳定性变差，表短路居多。此外还有两种损坏表现：一是热稳定性变差，表现为开机时正常，工作一段时间后，发生软击穿；另一种是现为开机时正常，工作一段时间后，发生软击穿；另一种是PN结的特性变差，用万用表结的特性变差，用万用表R1k测，各测，各PN结均正常，但上结均正常，但上机后不能正常工作，如果用
59、机后不能正常工作，如果用R10或或R1低量程档测，就会发低量程档测，就会发现其现其PN结正向阻值比正常值大。测量二、三极管可以用指针结正向阻值比正常值大。测量二、三极管可以用指针万用表在路测量，较准确的方法是：将万用表置万用表在路测量，较准确的方法是：将万用表置R10或或R1档（一般用档（一般用R10档，不明显时再用档，不明显时再用R1档）在路测二、三极档）在路测二、三极管的管的PN结正、反向电阻，如果正向电阻不太大（相对正常值）结正、反向电阻，如果正向电阻不太大（相对正常值），反向电阻足够大（相对正向值），表明该，反向电阻足够大（相对正向值），表明该PN结正常，反之结正常，反之就值得怀疑，需
60、焊下后再测。这是因为一般电路的二、三极就值得怀疑，需焊下后再测。这是因为一般电路的二、三极管外围电阻大多在几百、几千欧以上，用万用表低阻值档在管外围电阻大多在几百、几千欧以上，用万用表低阻值档在路测量，可以基本忽略外围电阻对路测量，可以基本忽略外围电阻对PN结电阻的影响。结电阻的影响。4.集成电路集成电路损坏的特点损坏的特点集成电路内部结构复杂，功能很多，任何一部分损坏都集成电路内部结构复杂，功能很多，任何一部分损坏都无法正常工作。集成电路的损坏也有两种：彻底损坏、热稳无法正常工作。集成电路的损坏也有两种：彻底损坏、热稳定性不良。彻底损坏时，可将其拆下，与正常同型号集成电定性不良。彻底损坏时，
61、可将其拆下，与正常同型号集成电路对比测其每一引脚对地的正、反向电阻，总能找到其中一路对比测其每一引脚对地的正、反向电阻，总能找到其中一只或几只引脚阻值异常。对热稳定性差的，可以在设备工作只或几只引脚阻值异常。对热稳定性差的，可以在设备工作时，用无水酒精冷却被怀疑的集成电路，如果故障发生时间时，用无水酒精冷却被怀疑的集成电路，如果故障发生时间推迟或不再发生故障，即可判定。通常只能更换新集成电路推迟或不再发生故障，即可判定。通常只能更换新集成电路来排除。来排除。第六节第六节连接器连接器1.连接器连接器的作用的作用连接器又称接插件，主要是在连接器又称接插件，主要是在电子电子产品、电力设备中提供产品、
62、电力设备中提供方便的电气插拔式连接，广泛地应用于电子设备当中，使得电方便的电气插拔式连接，广泛地应用于电子设备当中，使得电子产品的生产、维修效率得以极大提高。子产品的生产、维修效率得以极大提高。由于大量采用插拔式连接，其连接的可靠性、接触点由于大量采用插拔式连接，其连接的可靠性、接触点电阻电阻的大小对于产品的质量来说就越来越重要，因此必须对所采用的大小对于产品的质量来说就越来越重要，因此必须对所采用的连接器的性能进行全面的了解，以便合理正确地使用连接器。的连接器的性能进行全面的了解，以便合理正确地使用连接器。2.常见的连接器实物图及特点应用如表常见的连接器实物图及特点应用如表1所示所示2连接器
63、的结构和产品分类连接器的结构和产品分类(1)连接器的基本结构连接器的基本结构接触件。它是连接器完成电连接功能的核心零件，一般由接触件。它是连接器完成电连接功能的核心零件，一般由阳极接触件和阴极接触件组成接触对，通过阴、阳接触件的阳极接触件和阴极接触件组成接触对，通过阴、阳接触件的插合完成电连接。插合完成电连接。阳极接触件为刚性零件，其形状为圆柱形（圆插针）、方柱阳极接触件为刚性零件，其形状为圆柱形（圆插针）、方柱形（方插针）或扁平形（插片）。阳极接触件一般由黄铜、形（方插针）或扁平形（插片）。阳极接触件一般由黄铜、磷青铜制成。磷青铜制成。阴极接触件即插孔，它是接触对的关键零件，依靠弹性结构阴极
64、接触件即插孔，它是接触对的关键零件，依靠弹性结构在于插针插合时发生弹性变形而产生弹性力与阳性接触件形在于插针插合时发生弹性变形而产生弹性力与阳性接触件形成紧密接触，完成连接。插孔的结构种类很多，有圆筒型成紧密接触，完成连接。插孔的结构种类很多，有圆筒型（劈槽、缩口）、音叉型、悬臂梁型（纵向开槽）、折叠型（劈槽、缩口）、音叉型、悬臂梁型（纵向开槽）、折叠型（纵向开槽，（纵向开槽，“9”形）、盒形（方插孔）以及双面面线簧插形）、盒形（方插孔）以及双面面线簧插孔等。孔等。绝缘体。绝缘体也常称为基座或安装板，它的作用是使接触绝缘体。绝缘体也常称为基座或安装板，它的作用是使接触件按所需要的位置和间距排列
65、，并保证接触件之间和接触件与件按所需要的位置和间距排列，并保证接触件之间和接触件与外壳之间的绝缘性能。良好的绝缘电阻、耐电压性能以及易加外壳之间的绝缘性能。良好的绝缘电阻、耐电压性能以及易加工性是选择绝缘材料加工成绝缘体的基本要求。工性是选择绝缘材料加工成绝缘体的基本要求。壳体。壳体也称外壳（视品种而定），是连接器的外罩，它壳体。壳体也称外壳（视品种而定），是连接器的外罩，它为内装的绝缘安装板和插针提供机械保护，并提供插头和插座为内装的绝缘安装板和插针提供机械保护，并提供插头和插座插合时的对准，进而将连接器固定到设备上。插合时的对准，进而将连接器固定到设备上。附件。附件分结构附件和安装附件。结
66、构附件如卡圈、定位附件。附件分结构附件和安装附件。结构附件如卡圈、定位键、定位销、导向销、连接环、电缆夹、密封圈及密封垫等。键、定位销、导向销、连接环、电缆夹、密封圈及密封垫等。安装附件如螺钉、螺母、螺杆及弹簧圈等。附件大都有标准件安装附件如螺钉、螺母、螺杆及弹簧圈等。附件大都有标准件和通用件。和通用件。(2)连接器产品分类连接器产品分类从技术上看，连接器产品类别只有两种基本的划分办法：按外从技术上看，连接器产品类别只有两种基本的划分办法：按外形结构可分为圆形和矩形（横截面）；按工作频率分低频和高形结构可分为圆形和矩形（横截面）；按工作频率分低频和高频（以频（以3MHz为界）。为界）。按照上述
67、划分，同轴连接器属于圆形，印制电路连接器属于矩按照上述划分，同轴连接器属于圆形，印制电路连接器属于矩形（从历史上看，印制电路连接器确实是从矩形连接器中分离形（从历史上看，印制电路连接器确实是从矩形连接器中分离出来自成一类的），而目前流行的矩形连接器其截面为梯形，出来自成一类的），而目前流行的矩形连接器其截面为梯形，近似于矩形。以近似于矩形。以3MHz为界划分低频和高频，与无线电波的频为界划分低频和高频，与无线电波的频率划分也基本一样。率划分也基本一样。连接器的应用连接器的应用1.圆形圆形连接器连接器及射频连接器因为圆形连接器广泛应用于航天设及射频连接器因为圆形连接器广泛应用于航天设备的连接中，
68、所以又叫航空插头，具有通过的电流大，接触牢备的连接中，所以又叫航空插头，具有通过的电流大，接触牢靠，密封性能、连接性能、屏蔽效果优越等特性，在民用产品靠，密封性能、连接性能、屏蔽效果优越等特性，在民用产品方面应用也比较广泛，图方面应用也比较广泛，图1所示为常见的影碟机中的莲花插头、所示为常见的影碟机中的莲花插头、高频信号连接插头等。高频信号连接插头等。图1 影碟机所使用的莲花插头和莲花插座2.矩形连接器矩形连接器相对于圆形连接器来说矩形连接器空间利用率比较高，在相对于圆形连接器来说矩形连接器空间利用率比较高，在电子电子设备中有着广泛的应用，图设备中有着广泛的应用，图2所示为在计算机的主板与板所
69、示为在计算机的主板与板卡之间的连接。卡之间的连接。图2 矩形连接器在计算机设备之间的连接应用 3.印制板连接器印制板连接器印制板连接器在计算机线路板中的应用如图印制板连接器在计算机线路板中的应用如图3所示。所示。图3 印制板连接器在计算机线路板中的应用 连接器的基本性能连接器的基本性能连接器连接器的基本性能可分为三大类：即机械性能、电气性能和的基本性能可分为三大类：即机械性能、电气性能和环境性能。环境性能。1.机械性能就连接功能而言，插拔力是重要的机械性能。插机械性能就连接功能而言，插拔力是重要的机械性能。插拔力分为插入力和拔出力（拔出力亦称分离力），两者的要求拔力分为插入力和拔出力（拔出力亦
70、称分离力），两者的要求是不同的。是不同的。另一个重要的机械性能是连接器的机械寿命。机械寿命实另一个重要的机械性能是连接器的机械寿命。机械寿命实际上是一种耐久性指标，在国标际上是一种耐久性指标，在国标GB5095中把它叫做机械操作。中把它叫做机械操作。它是以一次插入和一次拔出为一个循环，以在规定的插拔循环它是以一次插入和一次拔出为一个循环，以在规定的插拔循环后连接器能否正常完成其连接功能（如接触后连接器能否正常完成其连接功能（如接触电阻电阻值）作为评判值）作为评判依据。依据。连接器的插拔力和机械寿命与接触件结构（正压力大小）、连接器的插拔力和机械寿命与接触件结构（正压力大小）、接触部位镀层质量（
71、滑动摩擦因数）以及接触件排列尺寸精度接触部位镀层质量（滑动摩擦因数）以及接触件排列尺寸精度（对准度）有关。（对准度）有关。2.电气性能电气性能连接器的主要电气性能包括接触电阻、绝缘电阻和抗电强度。连接器的主要电气性能包括接触电阻、绝缘电阻和抗电强度。接触电阻。高质量的电连接器应当具有低而稳定的接触电阻。接触电阻。高质量的电连接器应当具有低而稳定的接触电阻。连接器的接触电阻从几毫欧到数十毫欧不等。连接器的接触电阻从几毫欧到数十毫欧不等。绝缘电阻。衡量电连接器接插件之间和接触件与外壳之间绝绝缘电阻。衡量电连接器接插件之间和接触件与外壳之间绝缘性能的指标，其数量级为数百兆欧至数千兆欧不等。缘性能的指
72、标，其数量级为数百兆欧至数千兆欧不等。抗电强度。抗电强度也称耐电压、介质耐压，是表征连接器抗电强度。抗电强度也称耐电压、介质耐压，是表征连接器接触件之间或接触件与外壳之间耐受额定试验电压的能力。接触件之间或接触件与外壳之间耐受额定试验电压的能力。其他电气性能。电磁干扰泄露衰减是评价连接器的电磁干扰其他电气性能。电磁干扰泄露衰减是评价连接器的电磁干扰屏蔽效果，电磁干扰泄露衰减是评价连接器的电磁干扰屏蔽效屏蔽效果，电磁干扰泄露衰减是评价连接器的电磁干扰屏蔽效果，一般在果，一般在100MHz10GHz频率范围内测试。频率范围内测试。对射频同轴连接器而言，还有特性阻抗、插入损耗、反射系对射频同轴连接器
73、而言，还有特性阻抗、插入损耗、反射系数和电压驻波比等电气指标。由于数字技术的发展，为了连接数和电压驻波比等电气指标。由于数字技术的发展，为了连接和传输高速数字脉冲信号，出现了一类新型的连接器即高速信和传输高速数字脉冲信号，出现了一类新型的连接器即高速信号连接器，相应地，在电气性能方面，除特性阻抗外，还出现号连接器，相应地，在电气性能方面，除特性阻抗外，还出现了一些新的电气指标，如串扰、传输延迟和时滞等。了一些新的电气指标，如串扰、传输延迟和时滞等。3.环境性能环境性能常见的环境性能包括耐温、耐湿、耐盐雾、耐振动和耐冲击等。常见的环境性能包括耐温、耐湿、耐盐雾、耐振动和耐冲击等。耐温。目前连接器
74、的最高工作温度为耐温。目前连接器的最高工作温度为200C（少数高温特种（少数高温特种连接器除外），最低温度为连接器除外），最低温度为-65C。由于连接器工作时，电流。由于连接器工作时，电流在接触点处产生热量，导致温升，因此一般认为工作温度应等在接触点处产生热量，导致温升，因此一般认为工作温度应等于环境温度与接点温度之和。在某些规范中，明确规定了连接于环境温度与接点温度之和。在某些规范中，明确规定了连接器在额定工作电流下容许的最高温升。器在额定工作电流下容许的最高温升。耐湿。潮气的侵入会影响连接器绝缘性能，并锈蚀金属零件。耐湿。潮气的侵入会影响连接器绝缘性能，并锈蚀金属零件。恒定湿热试验条件为相
75、对湿度在恒定湿热试验条件为相对湿度在90%95%（依据产品规范，（依据产品规范，可达可达98%）、温度为）、温度为+4020C，试验时间按产品规定最少为，试验时间按产品规定最少为96h。交变湿热试验则更严苛。交变湿热试验则更严苛。耐盐雾。连接器在含有潮气和盐分的环境中工作时，其金耐盐雾。连接器在含有潮气和盐分的环境中工作时，其金属结构件、接触件表面处理层有可能产生电化腐蚀，影响连属结构件、接触件表面处理层有可能产生电化腐蚀，影响连接器的物理和电气性能。为了评价电连接器耐受这种环境的接器的物理和电气性能。为了评价电连接器耐受这种环境的能力，规定了盐雾试验。它是将连接器悬挂在温度受控的试能力，规定
76、了盐雾试验。它是将连接器悬挂在温度受控的试验箱内，用规定浓度的氯化钠溶液用压缩空气喷出，形成盐验箱内，用规定浓度的氯化钠溶液用压缩空气喷出，形成盐雾大气，其暴露时间由产品规范规定，至少为雾大气，其暴露时间由产品规范规定，至少为48h。耐振动和冲击。耐振动和冲击是电连接器的重要性能，在特耐振动和冲击。耐振动和冲击是电连接器的重要性能，在特殊的应用环境中如航空和航天、铁路和公路运输中尤为重要，殊的应用环境中如航空和航天、铁路和公路运输中尤为重要，它是检验电连接器机械结构的坚固性和电接触可靠性的重要指它是检验电连接器机械结构的坚固性和电接触可靠性的重要指标。在有关的试验方法中都有明确的规定。冲击试验
77、中应规定标。在有关的试验方法中都有明确的规定。冲击试验中应规定峰值加速度、持续时间和冲击脉冲波形以及电气连续性中断的峰值加速度、持续时间和冲击脉冲波形以及电气连续性中断的时间。时间。其他环境性能。根据使用要求，电连接器的其他环境性能还其他环境性能。根据使用要求，电连接器的其他环境性能还有密封性（空气泄漏、液体压力）、液体浸渍（对特定液体的有密封性（空气泄漏、液体压力）、液体浸渍（对特定液体的耐恶习化能力）和低气压等。耐恶习化能力）和低气压等。第七节第七节半导体器件半导体器件命名方法命名方法一、一、中国中国半导体半导体器件型号命名方法器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊
78、器件、半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：分）组成。五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极二极管管、3-三极管三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：表示二极管时：A-N型锗材料、型锗材料、B-P型锗材料、型锗材料、C-N型硅材料、型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：型硅材料。表示三极
79、管时：A-PNP型锗材料、型锗材料、B-NPN型锗型锗材料、材料、C-PNP型硅材料、型硅材料、D-NPN型硅材料。型硅材料。第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普普通管、通管、V-微波管、微波管、W-稳压管、稳压管、C-参量管、参量管、Z-整流管、整流管、L-整流堆、整流堆、S-隧道管、隧道管、N-阻尼管、阻尼管、U-光电器件光电器件、K-开关管、开关管、X-低频小功率低频小功率管管(F3MHz,Pc3MHz,Pc1W）、）、D-低频大功率管（低频大功率管（f1W）、）、A-高频大功率管高频大功率管（f3MHz,Pc1W）、）、T-
80、半导体半导体晶闸管晶闸管（可控整流器）、（可控整流器）、Y-体体效应器件、效应器件、B-雪崩管、雪崩管、J-阶跃恢复管、阶跃恢复管、CS-场效应管场效应管、BT-半导半导体特殊器件、体特殊器件、FH-复合管、复合管、PIN-PIN型管、型管、JG-激光器件。激光器件。第四部分：用数字表示序号第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：例如：3DG18表示表示NPN型硅材料高频三极管型硅材料高频三极管二、日本半导体分立器件型号命名方法二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只日本生产的半导体分立器件，
81、由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、二极管、2三三极或具有两个极或具有两个pn结的其他器件、结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三具有四个有效电极或具有三个个pn结的其他器件、结的其他器件、依此类推。依此类推。第二部分：日本第二部分：日本电子电子工业协会工业协会JEIA注册标志。注册标志。S-表示已在表示已在日本电子工业协会日本电
82、子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。注册登记的半导体分立器件。第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、型高频管、B-PNP型低频管、型低频管、C-NPN型高频管、型高频管、D-NPN型低频型低频管、管、F-P控制极控制极可控硅可控硅、G-N控制极可控硅、控制极可控硅、H-N基极单结晶体基极单结晶体管、管、J-P沟道场效应管、沟道场效应管、K-N沟道场效应管、沟道场效应管、M-双向可控硅。双向可控硅。第四部分：用数字表示在日本电子工业协会第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺登记的顺序号。两位以上的整数序
83、号。两位以上的整数-从从“11”开始，表示在日本电子工业协开始，表示在日本电子工业协会会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。一顺序号；数字越大，越是近期产品。第五部分：第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。表示这一器件是原型号产品的改进产品。三、美国半导体分立器件型号命名方法三、美国半导体分立器件型号命名方法美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子美国晶体管或其他半导体器件的命名法较
84、混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：工业协会半导体分立器件命名方法如下：第一部分：用符号表示器件用途的类型。第一部分：用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、军级、JANTX-特军级、特军级、JANTXV-超特军级、超特军级、JANS-宇航级、（无）宇航级、（无）-非军用品。非军用品。第二部分：用数字表示第二部分：用数字表示pn结数目。结数目。1-二极管、二极管、2=三极管、三极管、3-三个三个pn结器件、结器件、n-n个个pn结器件。结器件。第三部分：美国电子工业协会（第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。）注册标志。N-该器件该器件已在美国电子工业协会（已在美国电子工
85、业协会（EIA）注册登记。）注册登记。第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。件在美国电子工业协会登记的顺序号。第五部分：用字母表示器件分档。第五部分：用字母表示器件分档。A、B、C、D、-同一同一型号器件的不同档别。如：型号器件的不同档别。如：JAN2N3251A表示表示PNP硅高频小功硅高频小功率开关三极管，率开关三极管，JAN-军级、军级、2-三极管、三极管、N-EIA注册标志、注册标志、3251-EIA登记顺序号、登记顺序号、A-2N3251A档。档。四、四、国际电子联合会半导体器件型号命名
86、方法国际电子联合会半导体器件型号命名方法德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：基本部分组成，各部分的符号及意义如下：第一部分：用字母表示器件使用的材料。第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料器件使用材料的禁带宽度的禁带宽度Eg=0.61.0eV如锗、如锗、B-器件使用材
87、料的器件使用材料的Eg=1.01.3eV如硅、如硅、C-器件使用材料的器件使用材料的Eg1.3eV如砷化镓、如砷化镓、D-器件使用材料的器件使用材料的Eg0.6eV如锑化铟、如锑化铟、E-器件使用复合材料器件使用复合材料及光及光电池电池使用的材料使用的材料第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开检波开关混频二极管、关混频二极管、B-变容二极管、变容二极管、C-低频小功率三极管、低频小功率三极管、D-低频低频大功率三极管、大功率三极管、E-隧道二极管、隧道二极管、F-高频小功率三极管、高频小功率三极管、G-复合复合器件及其他器件、器件及其他器
88、件、H-磁敏二极管、磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、光敏器件、Q-发光器件、发光器件、R-小功率晶闸管、小功率晶闸管、S-小功率开关管、小功率开关管、T-大功率晶大功率晶闸管、闸管、U-大功率开关管、大功率开关管、X-倍增二极管、倍增二极管、Y-整流二极管、整流二极管、Z-稳稳压二极管压二极管。第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字代表通用半导体器件的登记序号
89、、一个字母加二位数字-表示表示专用半导体器件的登记序号。专用半导体器件的登记序号。第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下：分类。常见后缀如下：1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、
90、D、E分别表示容许误差为分别表示容许误差为1%、2%、5%、10%、15%；其后；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母三部分是字母V，代表小数点，字母，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。称稳定电压的小数值。2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。值，单位是伏特。3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数
91、值较小的那个电压值。压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。如：如：BDX51-表示表示NPN硅低频大功率三极管，硅低频大功率三极管，AF239S-表示表示PNP锗高频小功率三极管。锗高频小功率三极管。五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法。欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法。第一部分：第一部分：O-表示半导体器件表示半导体器件第二部分：第二部分：A-二极管、二极管、C-三极管、三极管、AP-光电二极管、光电二极管、CP-光电三极管、光电三极管、AZ-稳压管、稳压管、RP-光电器件。光电器件。第三部分：多
92、位数字第三部分：多位数字-表示器件的登记序号。表示器件的登记序号。第四部分：第四部分：A、B、C-表示同一型号器件的变型产品。表示同一型号器件的变型产品。俄罗斯半导体器件型号命名法由于使用少，在此不介绍。俄罗斯半导体器件型号命名法由于使用少，在此不介绍。第八节第八节半导体二极管参数符号及其意义半导体二极管参数符号及其意义CT-势垒势垒电容电容Cj-结（极间）电容，结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容检波二极管的总电容Cjv-偏压结电容偏压结电容Co-零偏压电容零偏压电容Cjo-零偏压结电容零偏压结电容Cjo/Cjn-结电容变化结电容
93、变化Cs-管壳电容或封装电容管壳电容或封装电容Ct-总电容总电容CTV-电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比与环境温度的绝对变化之比CTC-电容温度系数电容温度系数Cvn-标称电容标称电容IF-正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅均值
94、），硅开关二极管开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV）-正向平均电流正向平均电流IFM（IM）-正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。流。IH-恒定电流、维持电流。恒定电流、维持电流。Ii-发光二极管起辉电流发光二极管起辉电流IFRM-正向重复峰值电流正向重复峰值电流IFSM-正向不重复峰值电流（浪涌电流）正向不
95、重复峰值电流（浪涌电流）Io-整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流通过的工作电流IF(ov)-正向过载电流正向过载电流IL-光电流或稳流二极管极限电流光电流或稳流二极管极限电流ID-暗电流暗电流IB2-单结晶体管中的基极调制电流单结晶体管中的基极调制电流IEM-发射极峰值电流发射极峰值电流IEB10-双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20-双基极单结晶体管中发射极向电流双基极单结晶体管中发射极向电流ICM-最大输出平均电流最大输出平均电流IFMP-正向脉冲电流正
96、向脉冲电流IP-峰点电流峰点电流IV-谷点电流谷点电流IGT-晶闸管控制极触发电流晶闸管控制极触发电流IGD-晶闸管控制极不触发电流晶闸管控制极不触发电流IGFM-控制极正向峰值电流控制极正向峰值电流IR（AV）-反向平均电流反向平均电流IR（In）-反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻电阻性负载电路中，加反向性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向
97、电压下，产生的时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。IRM-反向峰值电流反向峰值电流IRR-晶闸管反向重复平均电流晶闸管反向重复平均电流IDR-晶闸管断态平均重复电流晶闸管断态平均重复电流IRRM-反向重复峰值电流反向重复峰值电流IRSM-反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）Irp-反向恢复电流反向恢复电流Iz-稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流定的反向电流Izk-稳压管膝点
98、电流稳压管膝点电流IOM-最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流通过锗检波二极管的最大工作电流IZSM-稳压二极管浪涌电流稳压二极管浪涌电流IZM-最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流的电流iF-正向总瞬时电流正向总瞬时电流iR-反向总瞬时电流反向总瞬时电流ir-反向恢复电流反向恢复电流Iop-工作电流工作电流Is-稳流二极管稳定电流稳
99、流二极管稳定电流f-频率频率n-电容变化指数；电容比电容变化指数；电容比Q-优值（品质因素）优值（品质因素）vz-稳压管电压漂移稳压管电压漂移di/dt-通态电流临界上升率通态电流临界上升率dv/dt-通态电压临界上升率通态电压临界上升率PB-承受脉冲烧毁功率承受脉冲烧毁功率PFT（AV）-正向导通平均耗散功率正向导通平均耗散功率PFTM-正向峰值耗散功率正向峰值耗散功率PFT-正向导通总瞬时耗散功率正向导通总瞬时耗散功率Pd-耗散功率耗散功率PG-门极平均功率门极平均功率PGM-门极峰值功率门极峰值功率PC-控制极平均功率或集电极耗散功率控制极平均功率或集电极耗散功率Pi-输入功率输入功率P
100、K-最大开关功率最大开关功率PM-额定功率。硅二极管结温不高于额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大度所能承受的最大功率功率PMP-最大漏过脉冲功率最大漏过脉冲功率PMS-最大承受脉冲功率最大承受脉冲功率Po-输出功率输出功率PR-反向浪涌功率反向浪涌功率Ptot-总耗散功率总耗散功率Pomax-最大输出功率最大输出功率Psc-连续输出功率连续输出功率PSM-不重复浪涌功率不重复浪涌功率PZM-最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率承受的最大功率RF（r）-正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数正向微分电阻。在
101、正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量加微小量V，正向电流相应增加，正向电流相应增加I，则，则V/I称微分电阻称微分电阻RBB-双基极晶体管的基极间电阻双基极晶体管的基极间电阻RE-射频电阻射频电阻RL-负载电阻负载电阻Rs(rs)-串联电阻串联电阻Rth-热阻热阻R(th)ja-结到环境的热阻结到环境的热阻Rz(ru)-动态电阻动态电阻R(th)jc-结到壳的热阻结到壳的热阻r-衰减电阻衰减电阻r(th)-瞬态电阻瞬态电阻Ta-环境温度环境温度Tc-壳温壳温td-延迟时间延迟时间tf-下降
102、时间下降时间tfr-正向恢复时间正向恢复时间tg-电路换向关断时间电路换向关断时间tgt-门极控制极开通时间门极控制极开通时间Tj-结温结温Tjm-最高结温最高结温ton-开通时间开通时间toff-关断时间关断时间tr-上升时间上升时间trr-反向恢复时间反向恢复时间ts-存储时间存储时间tstg-温度补偿二极管的贮成温度温度补偿二极管的贮成温度a-温度系数温度系数p-发光峰值波长发光峰值波长-光谱半宽度光谱半宽度-单结晶体管分压比或效率单结晶体管分压比或效率VB-反向峰值击穿电压反向峰值击穿电压Vc-整流输入电压整流输入电压VB2B1-基极间电压基极间电压VBE10-发射极与第一基极反向电压
103、发射极与第一基极反向电压VEB-饱和压降饱和压降VFM-最大正向压降（正向峰值电压）最大正向压降（正向峰值电压）VF-正向压降（正向直流电压）正向压降（正向直流电压）VF-正向压降差正向压降差VDRM-断态重复峰值电压断态重复峰值电压VGT-门极触发电压门极触发电压VGD-门极不触发电压门极不触发电压VGFM-门极正向峰值电压门极正向峰值电压VGRM-门极反向峰值电压门极反向峰值电压VF（AV）-正向平均电压正向平均电压Vo-交流输入电压交流输入电压VOM-最大输出平均电压最大输出平均电压Vop-工作电压工作电压Vn-中心电压中心电压Vp-峰点电压峰点电压VR-反向工作电压（反向直流电压）反向
104、工作电压（反向直流电压）VRM-反向峰值电压（最高测试电压）反向峰值电压（最高测试电压）V（BR）-击穿电压击穿电压Vth-阀电压（门限电压）阀电压（门限电压）VRRM-反向重复峰值电压（反向浪涌电压）反向重复峰值电压（反向浪涌电压）VRWM-反向工作峰值电压反向工作峰值电压Vv-谷点电压谷点电压Vz-稳定电压稳定电压Vz-稳压范围电压增量稳压范围电压增量Vs-通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压av-电压温度系数电压温度系数Vk-膝点电压（稳流二极管）膝点电压（稳流二极管）VL-极限电压极限电压第九节第九节双极型晶体管参数符号及其意义双极型晶体管参
105、数符号及其意义Cc-集电极电容集电极电容Ccb-集电极与基极间电容集电极与基极间电容Cce-发射极接地输出电容发射极接地输出电容Ci-输入电容输入电容Cib-共基极输入电容共基极输入电容Cie-共发射极输入电容共发射极输入电容Cies-共发射极短路输入电容共发射极短路输入电容Cieo-共发射极开路输入电容共发射极开路输入电容Cn-中和电容（外电路参数）中和电容（外电路参数）Co-输出电容输出电容Cob-共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容电容Coe-共发射极输出电容共发射极输出电容Coeo-共发射极开路输出电容共发射极开路输出电容
106、Cre-共发射极反馈电容共发射极反馈电容Cic-集电结势垒电容集电结势垒电容CL-负载电容（外电路参数）负载电容（外电路参数）Cp-并联电容（外电路参数）并联电容（外电路参数）BVcbo-发射极开路，集电极与基极间击穿电压发射极开路，集电极与基极间击穿电压BVceo-基极开路，基极开路，CE结击穿电压结击穿电压BVebo-集电极开路集电极开路EB结击穿电压结击穿电压BVces-基极与发射极短路基极与发射极短路CE结击穿电压结击穿电压BVcer-基极与发射极串接一电阻，基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压结击穿电压D-占空比占空比fT-特征频率特征频率fmax-最高振荡频率。当三极管功率增益等
107、于最高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率时的工作频率hFE-共发射极静态电流放大系数共发射极静态电流放大系数hIE-共发射极静态输入阻抗共发射极静态输入阻抗hOE-共发射极静态输出电导共发射极静态输出电导hRE-共发射极静态电压反馈系数共发射极静态电压反馈系数hie-共发射极小信号短路输入阻抗共发射极小信号短路输入阻抗hre-共发射极小信号开路电压反馈系数共发射极小信号开路电压反馈系数hfe-共发射极小信号短路电压放大系数共发射极小信号短路电压放大系数hoe-共发射极小信号开路输出导纳共发射极小信号开路输出导纳IB-基极直流电流或交流电流的平均值基极直流电流或交流电流的平均值Ic-集
108、电极直流电流或交流电流的平均值集电极直流电流或交流电流的平均值IE-发射极直流电流或交流电流的平均值发射极直流电流或交流电流的平均值Icbo-基极接地，发射极对地开路，在规定的基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流件下的集电极与基极之间的反向截止电流Iceo-发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流件下，集电极与发射极之间的反向截止电流Iebo-基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB条条件下，发
109、射极与基极之间的反向截止电流件下，发射极与基极之间的反向截止电流Icer-基极与发射极间串联电阻基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压，集电极与发射极间的电压VCE为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流Ices-发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE条条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流件下，集电极与发射极之间的反向截止电流Icex-发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电
110、流下，集电极与发射极之间的反向截止电流ICM-集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。IBM-在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大值，或交流电流的最大平均值直流电流的最大值，或交流电流的最大平均值ICMP-集电极最大允许脉冲电流集电极最大允许脉冲电流ISB-二次击穿电流二次击穿电流IAGC-正向自动控制电流正向自动控制电流Pc-集电极耗散功率集电极耗散功率PCM-集电极最大允许耗散功率集电极最大允许耗散功率Pi-输入功率输入功率Po-输出功率输出功率Posc-振荡功率振荡功率P
111、n-噪声功率噪声功率Ptot-总耗散功率总耗散功率ESB-二次击穿能量二次击穿能量rbb-基区扩展电阻（基区本征电阻）基区扩展电阻（基区本征电阻）rbbCc-基极基极-集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积容量的乘积rie-发射极接地，交流输出短路时的输入电阻发射极接地，交流输出短路时的输入电阻roe-发射极接地，在规定发射极接地，在规定VCE、Ic或或IE、频率条件下测定的、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻交流输入短路时的输出电阻RE-外接发射极电阻（外电路参数）外接发射极电阻（外电路参数）RB-外接基极电阻（外电路参数）外接基极电
112、阻（外电路参数）Rc-外接集电极电阻（外电路参数）外接集电极电阻（外电路参数）RBE-外接基极外接基极-发射极间电阻（外电路参数）发射极间电阻（外电路参数）RL-负载电阻（外电路参数）负载电阻（外电路参数）RG-信号源内阻信号源内阻Rth-热阻热阻Ta-环境温度环境温度Tc-管壳温度管壳温度Ts-结温结温Tjm-最大允许结温最大允许结温Tstg-贮存温度贮存温度td-延迟时间延迟时间tr-上升时间上升时间ts-存贮时间存贮时间tf-下降时间下降时间ton-开通时间开通时间toff-关断时间关断时间VCB-集电极集电极-基极（直流）电压基极（直流）电压VCE-集电极集电极-发射极（直流）电压发射
113、极（直流）电压VBE-基极发射极（直流）电压基极发射极（直流）电压VCBO-基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压定条件下的最高耐压VEBO-基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压定条件下的最高耐压VCEO-发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压指定条件下的最高耐压VCER-发射极接地，基极与发射极间串接电阻发射极接地，基极与发射极间串接电阻R，集电极与，集电极与发射极间在指定条
114、件下的最高耐压发射极间在指定条件下的最高耐压VCES-发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压指定条件下的最高耐压VCEX-发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压极与发射极之间在规定条件下的最高耐压Vp-穿通电压。穿通电压。VSB-二次击穿电压二次击穿电压VBB-基极（直流）电源电压（外电路参数）基极（直流）电源电压（外电路参数）Vcc-集电极（直流）电源电压（外电路参数）集电极（直流）电源电压（外电路参数）VEE-发射极（直流）电源
115、电压（外电路参数）发射极（直流）电源电压（外电路参数）VCE(sat)-发射极接地，规定发射极接地，规定Ic、IB条件下的集电极条件下的集电极-发射极发射极间饱和压降间饱和压降VBE(sat)-发射极接地，规定发射极接地，规定Ic、IB条件下，基极条件下，基极-发射极饱发射极饱和压降（前向压降）和压降（前向压降）VAGC-正向自动增益控制电压正向自动增益控制电压Vn(p-p)-输入端等效噪声电压峰值输入端等效噪声电压峰值Vn-噪声电压噪声电压Cj-结（极间）电容，结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容检波二极管的总电容Cjv-偏压结电
116、容偏压结电容Co-零偏压电容零偏压电容Cjo-零偏压结电容零偏压结电容Cjo/Cjn-结电容变化结电容变化Cs-管壳电容或封装电容管壳电容或封装电容Ct-总电容总电容CTV-电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比环境温度的绝对变化之比CTC-电容温度系数电容温度系数Cvn-标称电容标称电容IF-正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半
117、波中允许连续通过的最大工作电流（平使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV）-正向平均电流正向平均电流IFM（IM）-正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。流。IH-恒定电流、维持电流。恒定电流、维持电流。Ii-发光二极管起辉电流发光
118、二极管起辉电流IFRM-正向重复峰值电流正向重复峰值电流IFSM-正向不重复峰值电流（浪涌电流）正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io-整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流通过的工作电流IF(ov)-正向过载电流正向过载电流IL-光电流或稳流二极管极限电流光电流或稳流二极管极限电流ID-暗电流暗电流IB2-单结晶体管中的基极调制电流单结晶体管中的基极调制电流IEM-发射极峰值电流发射极峰值电流IEB10-双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20-双基极单结晶体管中发射
119、极向电流双基极单结晶体管中发射极向电流ICM-最大输出平均电流最大输出平均电流IFMP-正向脉冲电流正向脉冲电流IP-峰点电流峰点电流IV-谷点电流谷点电流IGT-晶闸管控制极触发电流晶闸管控制极触发电流IGD-晶闸管控制极不触发电流晶闸管控制极不触发电流IGFM-控制极正向峰值电流控制极正向峰值电流IR（AV）-反向平均电流反向平均电流IR（In）-反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向
120、工作电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。IRM-反向峰值电流反向峰值电流IRR-晶闸管反向重复平均电流晶闸管反向重复平均电流IDR-晶闸管断态平均重复电流晶闸管断态平均重复电流IRRM-反向重复峰值电流反向重复峰值电流IRSM-反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）Irp-反向恢复电流反向恢复电流Iz-稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电
121、参数时，给稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流定的反向电流Izk-稳压管膝点电流稳压管膝点电流IOM-最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流通过锗检波二极管的最大工作电流IZSM-稳压二极管浪涌电流稳压二极管浪涌电流IZM-最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流的电流iF-正向总瞬时电流正向总瞬时电流iR-反向总
122、瞬时电流反向总瞬时电流ir-反向恢复电流反向恢复电流Iop-工作电流工作电流Is-稳流二极管稳定电流稳流二极管稳定电流f-频率频率n-电容变化指数；电容比电容变化指数；电容比Q-优值（品质因素）优值（品质因素）vz-稳压管电压漂移稳压管电压漂移di/dt-通态电流临界上升率通态电流临界上升率dv/dt-通态电压临界上升率通态电压临界上升率PB-承受脉冲烧毁功率承受脉冲烧毁功率PFT（AV）-正向导通平均耗散功率正向导通平均耗散功率PFTM-正向峰值耗散功率正向峰值耗散功率PFT-正向导通总瞬时耗散功率正向导通总瞬时耗散功率Pd-耗散功率耗散功率PG-门极平均功率门极平均功率PGM-门极峰值功率
123、门极峰值功率PC-控制极平均功率或集电极耗散功率控制极平均功率或集电极耗散功率Pi-输入功率输入功率PK-最大开关功率最大开关功率PM-额定功率。硅二极管结温不高于额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大度所能承受的最大功率功率PMP-最大漏过脉冲功率最大漏过脉冲功率PMS-最大承受脉冲功率最大承受脉冲功率Po-输出功率输出功率PR-反向浪涌功率反向浪涌功率Ptot-总耗散功率总耗散功率Pomax-最大输出功率最大输出功率Psc-连续输出功率连续输出功率PSM-不重复浪涌功率不重复浪涌功率PZM-最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管
124、允许承受的最大功率承受的最大功率RF（r）-正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量微小量V，正向电流相应增加，正向电流相应增加I，则，则V/I称微分电阻称微分电阻RBB-双基极晶体管的基极间电阻双基极晶体管的基极间电阻RE-射频电阻射频电阻RL-负载电阻负载电阻Rs(rs)-串联电阻串联电阻Rth-热阻热阻R(th)ja-结到环境的热阻结到环境的热阻Rz(ru)-动态电阻动态电阻R(th)jc-结到壳的热阻结到壳的热阻r-衰减电阻衰
125、减电阻r(th)-瞬态电阻瞬态电阻Ta-环境温度环境温度Tc-壳温壳温td-延迟时间延迟时间tf-下降时间下降时间tfr-正向恢复时间正向恢复时间tg-电路换向关断时间电路换向关断时间tgt-门极控制极开通时间门极控制极开通时间Tj-结温结温Tjm-最高结温最高结温ton-开通时间开通时间toff-关断时间关断时间tr-上升时间上升时间trr-反向恢复时间反向恢复时间ts-存储时间存储时间tstg-温度补偿二极管的贮成温度温度补偿二极管的贮成温度a-温度系数温度系数p-发光峰值波长发光峰值波长-光谱半宽度光谱半宽度-单结晶体管分压比或效率单结晶体管分压比或效率VB-反向峰值击穿电压反向峰值击穿
126、电压Vc-整流输入电压整流输入电压VB2B1-基极间电压基极间电压VBE10-发射极与第一基极反向电压发射极与第一基极反向电压VEB-饱和压降饱和压降VFM-最大正向压降（正向峰值电压）最大正向压降（正向峰值电压）VF-正向压降（正向直流电压）正向压降（正向直流电压）VF-正向压降差正向压降差VDRM-断态重复峰值电压断态重复峰值电压VGT-门极触发电压门极触发电压VGD-门极不触发电压门极不触发电压VGFM-门极正向峰值电压门极正向峰值电压VGRM-门极反向峰值电压门极反向峰值电压VF（AV）-正向平均电压正向平均电压Vo-交流输入电压交流输入电压VOM-最大输出平均电压最大输出平均电压Vo
127、p-工作电压工作电压Vn-中心电压中心电压Vp-峰点电压峰点电压VR-反向工作电压（反向直流电压）反向工作电压（反向直流电压）VRM-反向峰值电压（最高测试电压）反向峰值电压（最高测试电压）V（BR）-击穿电压击穿电压Vth-阀电压（门限电压）阀电压（门限电压）VRRM-反向重复峰值电压（反向浪涌电压）反向重复峰值电压（反向浪涌电压）VRWM-反向工作峰值电压反向工作峰值电压Vv-谷点电压谷点电压Vz-稳定电压稳定电压Vz-稳压范围电压增量稳压范围电压增量Vs-通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压av-电压温度系数电压温度系数Vk-膝点电压（稳流二极
128、管）膝点电压（稳流二极管）VL-极限电压极限电压第十节第十节场效应管参数符号意义场效应管参数符号意义Cds-漏漏-源电容源电容Cdu-漏漏-衬底电容衬底电容Cgd-栅栅-源电容源电容Cgs-漏漏-源电容源电容Ciss-栅短路共源输入电容栅短路共源输入电容Coss-栅短路共源输出电容栅短路共源输出电容Crss-栅短路共源反向传输电容栅短路共源反向传输电容D-占空比（占空系数，外电路参数）占空比（占空系数，外电路参数）di/dt-电流上升率（外电路参数）电流上升率（外电路参数）dv/dt-电压上升率（外电路参数）电压上升率（外电路参数）ID-漏极电流（直流）IDM-漏极脉冲电流ID(on)-通态漏
129、极电流IDQ-静态漏极电流（射频功率管）IDS-漏源电流IDSM-最大漏源电流IDSS-栅-源短路时，漏极电流IDS(sat)-沟道饱和电流（漏源饱和电流）IG-栅极电流（直流）IGF-正向栅电流IGR-反向栅电流IGDO-源极开路时，截止栅电流IGSO-漏极开路时，截止栅电流IGM-栅极脉冲电流栅极脉冲电流IGP-栅极峰值电流栅极峰值电流IF-二极管正向电流二极管正向电流IGSS-漏极短路时截止栅电流漏极短路时截止栅电流IDSS1-对管第一管漏源饱和电流对管第一管漏源饱和电流IDSS2-对管第二管漏源饱和电流对管第二管漏源饱和电流Iu-衬底电流衬底电流Ipr-电流脉冲峰值（外电路参数）电流脉
130、冲峰值（外电路参数）gfs-正向跨导正向跨导Gp-功率增益功率增益Gps-共源极中和高频功率增益共源极中和高频功率增益GpG-共栅极中和高频功率增益共栅极中和高频功率增益GPD-共漏极中和高频功率增益共漏极中和高频功率增益ggd-栅漏电导栅漏电导gds-漏源电导漏源电导K-失调电压温度系数失调电压温度系数Ku-传输系数传输系数L-负载负载电感电感（外电路参数）（外电路参数）LD-漏极电感漏极电感Ls-源极电感源极电感rDS-漏源电阻漏源电阻rDS(on)-漏源通态电阻漏源通态电阻rDS(of)-漏源断态电阻漏源断态电阻rGD-栅漏电阻栅漏电阻rGS-栅源电阻栅源电阻Rg-栅极外接电阻（外电路参
131、数）栅极外接电阻（外电路参数）RL-负载电阻（外电路参数）负载电阻（外电路参数）R(th)jc-结壳热阻结壳热阻R(th)ja-结环热阻结环热阻PD-漏极耗散功率漏极耗散功率PDM-漏极最大允许耗散功率漏极最大允许耗散功率PIN-输入功率输入功率POUT-输出功率输出功率PPK-脉冲功率峰值（外电路参数）脉冲功率峰值（外电路参数）to(on)-开通延迟时间开通延迟时间td(off)-关断延迟时间关断延迟时间ti-上升时间上升时间ton-开通时间开通时间toff-关断时间关断时间tf-下降时间下降时间trr-反向恢复时间反向恢复时间Tj-结温结温Tjm-最大允许结温最大允许结温Ta-环境温度环境
132、温度Tc-管壳温度管壳温度Tstg-贮成温度贮成温度VDS-漏源电压（直流）漏源电压（直流）VGS-栅源电压（直流）栅源电压（直流）VGSF-正向栅源电压（直流）正向栅源电压（直流）VGSR-反向栅源电压（直流）反向栅源电压（直流）VDD-漏极（直流）电源电压（外电路参数）漏极（直流）电源电压（外电路参数）VGG-栅极（直流）电源电压（外电路参数）栅极（直流）电源电压（外电路参数）Vss-源极（直流）电源电压（外电路参数）源极（直流）电源电压（外电路参数）VGS(th)-开启电压或阀电压开启电压或阀电压V（BR）DSS-漏源击穿电压漏源击穿电压V（BR）GSS-漏源短路时栅源击穿电压漏源短路时栅源击穿电压VDS(on)-漏源通态电压漏源通态电压VDS(sat)-漏源饱和电压漏源饱和电压VGD-栅漏电压（直流）栅漏电压（直流）Vsu-源衬底电压（直流）源衬底电压（直流）VDu-漏衬底电压（直流）漏衬底电压（直流）VGu-栅衬底电压（直流）栅衬底电压（直流）Zo-驱动源内阻驱动源内阻-漏极效率（射频功率管）漏极效率（射频功率管）Vn-噪声电压噪声电压aID-漏极电流温度系数漏极电流温度系数ards-漏源电阻温度系数漏源电阻温度系数
