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1、多晶矽TFT LCD應用指導老師：許進明學 生：曾祥修學 號：96L0231大綱多晶矽TFT LCD元件結構TFT LCD目前技術分為低溫多晶矽多晶矽TFT薄膜製作方法多晶矽TFT薄膜在元件之功能多晶矽TFT薄膜的特性要求多晶矽TFT薄膜的優點參考文獻多晶矽TFT LCD元件結構TFT-LCD 即是thin-film transistor liquid-crystal display (薄膜電晶體液晶顯示器) 的縮寫TFT-LCD。 TFT LCD目前技術分為TFT LCD目前技術分為 非晶矽(a-Si TFT) 多晶矽(Poly-Si TFT) 高溫多晶矽 必須以攝氏1000度以上製程。 低
2、溫多晶矽 600度上下製程。 準分子雷射退火法(ELA) 固相結晶法(SPC) 金屬又發結晶MIC/MICL低溫多晶矽準分子雷射準分子雷射的任务物質是準分子氣體。準分子就是一種處於激發態的複合粒子，在標準狀態下，即在基態時，它處於分離狀態，而在激發態處於分子狀態。低溫多晶矽固相結晶固相結晶技術本钱最低，也是最容易运用的方式。普通的作法是將非結晶矽薄膜放在爐管中進行退火。為了得到較大的晶粒，可以改變非晶矽的沈積參數幾退火條件。低溫多晶矽金屬誘發結晶利用金屬語系反應成介穩定的矽化合物，在矽化物移動的過程中，金屬原子的自在電子Si-Si共價鍵發生反應，降低a-Si結晶所需的能障降低，使得結晶問度降低
3、。退火前退火前退火後退火後多晶矽TFT薄膜製作方法1.在玻璃基板上构成非晶矽薄膜(LP-CVD) /雷射退火构成LTPS(ELA) /圖形定義(第1道光罩)2.沉積二氧化矽作為閘極絕緣層(CVD)/濺鍍閘極金屬層/圖形定義閘極(第2道光罩)3.遮盖N-LDD(第3道光罩)/N+ S/D離子佈植4.N-LDD (輕摻雜汲極離子佈植 5.二氧化矽沉積/圖形定義接觸孔(第4道光罩) 6.濺鍍S/D金屬層/构成S/D電極(第5道光罩) 多晶矽TFT薄膜在元件之功能TFT薄膜電晶體靠電極間電場的驅動，引起液晶分子扭轉向列的電場效應，以控制光源的透射或遮斷功能 。多晶矽TFT薄膜在元件之功能A A為TFT
4、B B為液晶電容多晶矽TFT薄膜的特性要求多晶矽晶膜結晶晶粒尺大小要均勻與晶粒邊界數量要一致，防止電晶體元件在電特性上成生不穩。I.500nm S.300nm多晶矽TFT薄膜的優點低溫多晶矽與a-Si TFT最大的差異在於p-Si TFT的電晶體需進一步接受雷射回火的製程步驟，將非晶矽的薄膜轉變為多晶矽薄膜層，使得p-Si TFT在矽晶結構上較a-Si TFT來的陈列有序。多晶矽(Poly Si)TFTLCD與非晶矽(a-Si)TFTLCD特性差異大，多晶矽提升電子遷移率達200(cm2/V-sec)，反應時間快10倍以上、多晶矽電子移動速度較快使得面板厚度可縮小、多晶矽開口率高出70%以上、多晶矽可採更低功耗背光源差異 。參考文獻ind.ntou.edu.tw/oesemi/new_page_24.htm國立胜利大學 工程科學研讨所 低溫多晶矽薄膜製成研讨 陳毓儒國立雲科 光電工程研讨所 金屬誘發結晶法研製太陽電池之低溫多晶矽薄膜 劉育誠東華大學资料科學與工程學系平面顯示器技術 張文固 博 士
