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1、第第1章章 半导体器件半导体器件 作业作业: 6 6，7, 16 7, 16 ，1919 1.1半导体的导电特性及半导体的导电特性及PN结的形成结的形成1.2 半半导体二极管体二极管1.3 稳压二极二极管管(稳压管稳压管) 1.4 半半导体三极管体三极管小结小结小结小结1.1.1 半导体的导电特性半导体的导电特性 半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间，半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间， 例如硅、锗、硒以及一些硫化物等都是半导体例如硅、锗、硒以及一些硫化物等都是半导体。l半导体的导电能力在不同的条件下有很大的差别半导体的导电能力在不同的条件下有很大的差别为什么会具有这些导电特性？为什么会具有
2、这些导电特性？这是由半导体材料的原子结构和原子之间结合方式决定的。这是由半导体材料的原子结构和原子之间结合方式决定的。这是由半导体材料的原子结构和原子之间结合方式决定的。这是由半导体材料的原子结构和原子之间结合方式决定的。纯净的半导体纯净的半导体受到加热、光照受到加热、光照受到加热、光照受到加热、光照时，导电能力显著时，导电能力显著增加，利用此特性可以做成热敏元件、光敏元件；增加，利用此特性可以做成热敏元件、光敏元件；在纯净半导体中在纯净半导体中掺入微量的掺入微量的掺入微量的掺入微量的“ “杂质杂质杂质杂质” ”元素元素元素元素后，后， 导电能力大大增强，可成千上万倍地增长。导电能力大大增强，
3、可成千上万倍地增长。1.1 半导体的导电特性及半导体的导电特性及PN结的形成结的形成最常用的半导体材料：最常用的半导体材料：硅硅硅硅 Si(Silicon) 和和锗锗锗锗 Ge(Germanium) 均为四价元素，原子最外层有均为四价元素，原子最外层有4个价电子。个价电子。一、一、 本征半导体（纯净半导体）本征半导体（纯净半导体）单晶硅单晶硅(Si)的原子结构平面示意图的原子结构平面示意图 Si Si Si Si Si Si Si Si Si共价键共价键价电子价电子这种纯净的、结构完整的单晶半导体称为本征半导体。这种纯净的、结构完整的单晶半导体称为本征半导体。本征半导体的导电性：本征半导体的导
4、电性： Si Si Si Si Si Si Si Si Si在温度在温度(T)(T)一定时，一定时，载流子流子数量一定。当数量一定。当TT时，时，载流子流子数量数量。(3)(3)价电子依次填补空穴，价电子依次填补空穴，表现为带正电的空穴在原表现为带正电的空穴在原子间移动，因此，子间移动，因此， 空穴也是一种载流子。空穴也是一种载流子。(2)(2)在室温下受热激发时，在室温下受热激发时， (1)在绝对零度在绝对零度(T=0K)时，时，不导电，相当于绝缘体不导电，相当于绝缘体；产生电子空穴对，产生电子空穴对，l半导体中有两种载流子：半导体中有两种载流子：电子和空穴电子和空穴 它们同时参与导电，这就
5、是半导体导电的重要特点，它们同时参与导电，这就是半导体导电的重要特点， 也是与金属在导电机理上的本质差别。也是与金属在导电机理上的本质差别。自由电子自由电子自由电子自由电子空穴空穴空穴空穴 半导体的导电性能受温度影响很大。半导体的导电性能受温度影响很大。 Si Si Si Si Si Si Si Si Si共价键共价键二、二、 杂质半导体杂质半导体 ：N型型半导体和半导体和P型型半导体半导体掺入微量的五价元素：磷掺入微量的五价元素：磷掺入微量的五价元素：磷掺入微量的五价元素：磷P(P(或锑或锑或锑或锑) )1. N型半导体型半导体:多数载流子为电子，多数载流子为电子，多数载流子为电子，多数载流
6、子为电子，少数载流子为空穴。少数载流子为空穴。少数载流子为空穴。少数载流子为空穴。在在室室温温下下就就可可以以激激发发成成自由电子自由电子施主原子施主原子施主原子施主原子 Si Si Si Si Si Si Si Si Si共价键共价键二、二、 杂质半导体杂质半导体掺入微量的三价元素：硼掺入微量的三价元素：硼掺入微量的三价元素：硼掺入微量的三价元素：硼B(B(或铝或铝或铝或铝) )2. P型半导体型半导体:受主原子受主原子受主原子受主原子空穴吸引邻空穴吸引邻近原子的价近原子的价电子填充。电子填充。多数载流子为空穴，多数载流子为空穴，多数载流子为空穴，多数载流子为空穴，少数载流子为电子。少数载流
7、子为电子。少数载流子为电子。少数载流子为电子。1.1.2 PN结结的形成及其单向导电性的形成及其单向导电性一、一、PNPN结的形成结的形成多子的扩散运动多子的扩散运动内电场内电场阻碍多子的扩散运动阻碍多子的扩散运动促进少子的漂移运动促进少子的漂移运动多子浓度差异多子浓度差异P P 型半导体型半导体型半导体型半导体N N 型半导体型半导体型半导体型半导体 内电场越强，漂移运内电场越强，漂移运内电场越强，漂移运内电场越强，漂移运动越强，而漂移使空间动越强，而漂移使空间动越强，而漂移使空间动越强，而漂移使空间电荷区变窄。电荷区变窄。电荷区变窄。电荷区变窄。 扩散越强，扩散越强， 空空间电荷区越宽。间
8、电荷区越宽。最后最后最后最后扩散运动和扩散运动和扩散运动和扩散运动和漂移运动漂移运动漂移运动漂移运动达到动达到动达到动达到动态平衡时，便形态平衡时，便形态平衡时，便形态平衡时，便形成稳定的空间电成稳定的空间电成稳定的空间电成稳定的空间电荷区，荷区，荷区，荷区，即即即即PNPN结。结。结。结。+形成空间电荷区形成空间电荷区二、二、PN结的单向导电性结的单向导电性 (1) PN (1) PN 结加正向电压结加正向电压结加正向电压结加正向电压（正向偏置）（正向偏置）（正向偏置）（正向偏置）PN 结变窄结变窄 P P接正、接正、接正、接正、N N接负接负接负接负 外电场外电场IF 内电场被削内电场被削
9、内电场被削内电场被削弱，多子的扩弱，多子的扩弱，多子的扩弱，多子的扩散加强，最后散加强，最后散加强，最后散加强，最后形成较大的扩形成较大的扩形成较大的扩形成较大的扩散电流散电流散电流散电流IF 。 PN PN 结加正向电压时，结加正向电压时，结加正向电压时，结加正向电压时，PNPN结变窄，有较大的正向扩散结变窄，有较大的正向扩散结变窄，有较大的正向扩散结变窄，有较大的正向扩散电流电流电流电流IF ， PN PN 结结结结呈现低电阻呈现低电阻呈现低电阻呈现低电阻，即，即，即，即PN PN 结结结结处于导通状态处于导通状态处于导通状态处于导通状态。内电场内电场PN+ (2) PN (2) PN 结
10、加反向电压结加反向电压结加反向电压结加反向电压（反向偏置）（反向偏置）（反向偏置）（反向偏置）外电场外电场外电场外电场 P P接负、接负、接负、接负、N N接正接正接正接正 内电场内电场内电场内电场P PN N+ + + + + + + + + + + + + + + + + + +PN PN 结变宽结变宽结变宽结变宽 (2) PN (2) PN 结加反向电压结加反向电压结加反向电压结加反向电压（反向偏置）（反向偏置）（反向偏置）（反向偏置）外电场外电场外电场外电场 内电场被加内电场被加强，少子的漂移强，少子的漂移加强，由于少子加强，由于少子浓度很低，形成浓度很低，形成很小的反向电流很小的反向
11、电流IR 。IR0 P P接负、接负、接负、接负、N N接正接正接正接正 + PN PN 结加反向电压时结加反向电压时结加反向电压时结加反向电压时，PNPN结变宽，只有微弱的反向漂结变宽，只有微弱的反向漂结变宽，只有微弱的反向漂结变宽，只有微弱的反向漂移电流移电流移电流移电流IR ， PNPN结结结结呈高电阻呈高电阻呈高电阻呈高电阻，即，即，即，即 PNPN结结结结处于截止状态处于截止状态处于截止状态处于截止状态。内电场内电场内电场内电场P PN N+ + + + + + + + + + + + + + + + + + +综上所述，综上所述，综上所述，综上所述，PN PN 结具有单方向导电特性
12、。结具有单方向导电特性。结具有单方向导电特性。结具有单方向导电特性。金属触丝金属触丝阳极引线阳极引线N型锗片型锗片阴极引线阴极引线外壳外壳( a ) 点接触型点接触型铝合金小球铝合金小球N型硅型硅阳极引线阳极引线PN结结金锑合金金锑合金底座底座阴极引线阴极引线( b ) 面接触型面接触型一一一一. . 基本结构基本结构基本结构基本结构阴极阴极阳极阳极 D按材料分：硅按材料分：硅按材料分：硅按材料分：硅( (SiSi) )管和锗管和锗管和锗管和锗( (GeGe) )管；管；管；管；按按按按工艺分：点接触型和面接触型；工艺分：点接触型和面接触型；工艺分：点接触型和面接触型；工艺分：点接触型和面接触
13、型；符号：符号：符号：符号：(Diode)(Diode)(Diode)(Diode)阳极阳极阴极阴极管壳管壳按用途分：整流管、稳压管、按用途分：整流管、稳压管、按用途分：整流管、稳压管、按用途分：整流管、稳压管、 开关管等。开关管等。开关管等。开关管等。P N型号：型号：型号：型号：2AP152AP152AP152AP15二极管二极管二极管二极管C: NC: N型型型型SiSi材料材料材料材料极性极性极性极性A A: N: N型型型型GeGeB: PB: P型型型型GeGeD: PD: P型型型型SiSi类型类型类型类型P P: : 普通管普通管普通管普通管Z: Z: 整流管整流管整流管整流管
14、K: K: 开关管开关管开关管开关管W: W: 稳压管稳压管稳压管稳压管序号序号序号序号例如例如2CZ10,2CW182CZ10,2CW18等。等。( (主要介绍：主要介绍：主要介绍：主要介绍： 结构、特性、主要参数及应用结构、特性、主要参数及应用结构、特性、主要参数及应用结构、特性、主要参数及应用) )1.2 半导体二极管半导体二极管半导体二极管实物图片半导体二极管实物图片发光二极管的正负极可从引脚长短发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负来识别，长脚为正，短脚为负半导体二极管实物图片半导体二极管实物图片IN4000系列有白色圆环标志的那一端是负极系列有白色圆环标志的那一端
15、是负极 半导体二极管实物图片半导体二极管实物图片大功率金属封装的二极管通常在外壳上采用大功率金属封装的二极管通常在外壳上采用二极管图形符号来作为极性的标志二极管图形符号来作为极性的标志 反向电流反向电流反向电流反向电流IR很小，很小，在一定在一定在一定在一定电压范围内电压范围内电压范围内电压范围内保持常数。保持常数。保持常数。保持常数。二二. 伏安特性伏安特性硅管硅管硅管硅管约约约约0.5V0.5V锗管约锗管约锗管约锗管约0 0.1V.1V反向击穿反向击穿电压电压UB导通管压降导通管压降导通管压降导通管压降当正向电压大于死区电压当正向电压大于死区电压当正向电压大于死区电压当正向电压大于死区电压
16、时，正向电流迅速增加，时，正向电流迅速增加，时，正向电流迅速增加，时，正向电流迅速增加，二极管处于导通状态。二极管处于导通状态。二极管处于导通状态。二极管处于导通状态。 当反向电压大于击穿电压当反向电压大于击穿电压当反向电压大于击穿电压当反向电压大于击穿电压时，二极管被击穿，造成永时，二极管被击穿，造成永时，二极管被击穿，造成永时，二极管被击穿，造成永久性损坏。久性损坏。久性损坏。久性损坏。正向特性正向特性正向特性正向特性反向特性反向特性特点：非线性特点：非线性特点：非线性特点：非线性硅硅硅硅0 0 0 0.60.7V.60.7V锗锗锗锗0 0.2.20.3V0.3VUI死区电压死区电压死区电
17、压死区电压U0PN+PN+二极管二极管具有单向导电特性具有单向导电特性三三. 主要参数主要参数1. 1. 最大整流电流最大整流电流最大整流电流最大整流电流 I IOMOM指二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向指二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向指二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向指二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。平均电流。平均电流。平均电流。2. 2. 最高反向工作电压最高反向工作电压最高反向工作电压最高反向工作电压U URMRM是保证二极管不被击穿所允许施加的最大反向电压，是保证二极管不被击穿所允许施加的最大反向电压，是保证二极管不被击穿所允许施加的
18、最大反向电压，是保证二极管不被击穿所允许施加的最大反向电压，一般是反向击穿电压一般是反向击穿电压一般是反向击穿电压一般是反向击穿电压U UB B的一半或三分之二。的一半或三分之二。的一半或三分之二。的一半或三分之二。3. 3. 最大反向电流最大反向电流最大反向电流最大反向电流I IRMRM指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反向指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反向指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反向指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反向电流愈小，说明管子的单向导电性愈好。电流愈小，说明管子的单向导电性愈好。电流愈小，说明管子的单向导电性愈好。电流愈小，说明管子的单向导
19、电性愈好。I IRMRM受温度的影响很大，温度升高，反向电流显著增受温度的影响很大，温度升高，反向电流显著增受温度的影响很大，温度升高，反向电流显著增受温度的影响很大，温度升高，反向电流显著增加。硅管反向电流较小加。硅管反向电流较小加。硅管反向电流较小加。硅管反向电流较小( ( ( (几微安几微安几微安几微安) ) ) )，锗管的反向电流较大，锗管的反向电流较大，锗管的反向电流较大，锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍。为硅管的几十到几百倍。为硅管的几十到几百倍。为硅管的几十到几百倍。 四四. 应用应用: 问题：如何判断二极管是导通还是截止？问题：如何判断二极管是导通还是截止？问题：如何判
20、断二极管是导通还是截止？问题：如何判断二极管是导通还是截止？二极管正向压降二极管正向压降二极管正向压降二极管正向压降: :硅硅硅硅0 0 0 0.60.7V.60.7V锗锗锗锗0 0.2.20.3V0.3V分析方法：分析方法：分析方法：分析方法：判断二极管两端电位判断二极管两端电位判断二极管两端电位判断二极管两端电位 V阳极阳极阳极阳极 ，V阴极阴极阴极阴极的高低。的高低。的高低。的高低。若若若若 V V阳阳阳阳 VV阴阴阴阴 ( ( 正向偏置正向偏置正向偏置正向偏置 ) )，二极管导通，二极管导通，二极管导通，二极管导通若若若若 V V阳阳阳阳 VVV阴阴阴阴 ， 二极管导通。二极管导通。二
21、极管导通。二极管导通。若不是理想二极管，若不是理想二极管，若不是理想二极管，若不是理想二极管， 则二极管为则二极管为则二极管为则二极管为GeGe管管管管时时时时, , U UABAB为为为为6.36.3；二极管为二极管为二极管为二极管为SiSi 管时管时管时管时, , U UABAB为为为为6.7V 6.7V 。解：解：D6V12V3k BAUAB+(a)两个二极管的阴极两个二极管的阴极两个二极管的阴极两个二极管的阴极接在一起接在一起接在一起接在一起( (即共阴极电位即共阴极电位即共阴极电位即共阴极电位) )，此时阳，此时阳，此时阳，此时阳极与阴极与阴极与阴极与阴极的极的极的极的电位差大者，优
22、先导通电位差大者，优先导通电位差大者，优先导通电位差大者，优先导通。(b) 在这里，在这里，在这里，在这里， D D2 2 起钳位作用，起钳位作用，起钳位作用，起钳位作用， D D1 1起隔离作用。起隔离作用。起隔离作用。起隔离作用。 BD16V12V3k AD2UAB+解：解： D D2 2 优先导通优先导通优先导通优先导通电压电压电压电压U UABAB = 0 V= 0 V设设设设B B点为电位参考点，则点为电位参考点，则点为电位参考点，则点为电位参考点，则电位电位电位电位V V1 1阳阳阳阳 = =6 V6 V，V V2 2阳阳阳阳=0 V=0 V，V V1 1阴阴阴阴 = = V V2
23、 2阴阴阴阴= = 12 V12 V阳阳阳阳极与阴极的极与阴极的极与阴极的极与阴极的电位差电位差电位差电位差U UD1D1 = 6V = 6V，U UD2D2 =12V =12VD D2 2导通后导通后导通后导通后, , V V1 1阴阴阴阴 = 0 V,= 0 V, D D1 1承受反向电压承受反向电压承受反向电压承受反向电压 ， D D1 1截止。截止。截止。截止。u ui i 8V 8V时，时，时，时，二极管导通，二极管导通，二极管导通，二极管导通，D D可看作短路可看作短路可看作短路可看作短路 u uo o = 8V = 8V u ui i 8V V VB B 集电结反偏集电结反偏集电
24、结反偏集电结反偏 V VB B V VC C从电位的角度看：从电位的角度看：从电位的角度看：从电位的角度看： (1)(1)对对对对 NPN NPN 型三极管型三极管型三极管型三极管 发射结正偏发射结正偏发射结正偏发射结正偏 V VB B V VE E 集电结反偏集电结反偏集电结反偏集电结反偏 V VC C V VB B 即即即即 V VC C V VB B V VE E 集电极电位最高集电极电位最高集电极电位最高集电极电位最高 即即即即 V VE E V VB B V VC C 发射极电位最高发射极电位最高发射极电位最高发射极电位最高 B BEC CN NN NP PEBRBE EC CRCI
25、EICIBB BEC CP PP PN NEBRBE EC CRCIEICIB共射极放大电路共射极放大电路共射极放大电路共射极放大电路2. 2. 各电极电流关系及电流放大作用各电极电流关系及电流放大作用各电极电流关系及电流放大作用各电极电流关系及电流放大作用I IB B(mA(mA) )I IC C(mA(mA) )I IE E(mA(mA) )0 00.020.020.040.040.060.060.080.080.100.100.010.010.700.701.501.502.302.303.103.103.953.950.010.010.720.721.541.542.362.363.1
26、83.184.054.05结论结论结论结论: :1 1）三电极电流关系）三电极电流关系）三电极电流关系）三电极电流关系 I IE E = = I IB B + + I IC C2 2） I IC C I IB B ， I IC C I IE E 3 3） I IC C I IB B 基极电流的微小变化基极电流的微小变化基极电流的微小变化基极电流的微小变化 I IB B能够引起较大的集电极电流能够引起较大的集电极电流能够引起较大的集电极电流能够引起较大的集电极电流变化变化变化变化 I IC C, ,这就是三极管的电这就是三极管的电这就是三极管的电这就是三极管的电流放大作用。流放大作用。流放大作用
27、。流放大作用。 B BEC CN NN NP PEBRBE EC CRCIEICIB电流放大系数：电流放大系数：电流放大系数：电流放大系数： 3.3.3.3.三极管内部载流子的运动规律三极管内部载流子的运动规律三极管内部载流子的运动规律三极管内部载流子的运动规律BECNNPEBRBECIEIBEICEICBO基区空穴向基区空穴向基区空穴向基区空穴向发射区的扩发射区的扩发射区的扩发射区的扩散可忽略。散可忽略。散可忽略。散可忽略。 发射结正偏，发发射结正偏，发发射结正偏，发发射结正偏，发射区电子不断向基射区电子不断向基射区电子不断向基射区电子不断向基区扩散，形成发射区扩散，形成发射区扩散，形成发射
28、区扩散，形成发射极电流极电流极电流极电流I I I IE E E E。进入进入进入进入P P P P 区的电子区的电子区的电子区的电子少部分与基区的空少部分与基区的空少部分与基区的空少部分与基区的空穴复合，形成电流穴复合，形成电流穴复合，形成电流穴复合，形成电流I I I IBE BE BE BE ，多数扩散到多数扩散到多数扩散到多数扩散到集电结。集电结。集电结。集电结。扩散过来的电子看扩散过来的电子看扩散过来的电子看扩散过来的电子看作基区的少子，漂作基区的少子，漂作基区的少子，漂作基区的少子，漂移进入集电区而被移进入集电区而被移进入集电区而被移进入集电区而被集电极收集，形成集电极收集，形成集
29、电极收集，形成集电极收集，形成I I I ICECECECE。 集电结反偏，集电结反偏，集电结反偏，集电结反偏，有少子形成的反有少子形成的反有少子形成的反有少子形成的反向电流向电流向电流向电流I I I ICBOCBOCBOCBO。3. 3. 三极管内部载流子的运动规律三极管内部载流子的运动规律三极管内部载流子的运动规律三极管内部载流子的运动规律IC = ICE+ICBO ICEICIBBECNNPEBRBECIEIBEICEICBOIB = IBE- ICBO IBE I ICE CE 与与与与 I IBE BE 之比称为共之比称为共之比称为共之比称为共发射极电流放大倍数发射极电流放大倍数发
30、射极电流放大倍数发射极电流放大倍数通常定义为通常定义为通常定义为通常定义为静态静态静态静态( (直流直流直流直流) )电流放大倍数电流放大倍数电流放大倍数电流放大倍数。称为称为称为称为动态动态动态动态( (交流交流交流交流) )电流放大倍数电流放大倍数电流放大倍数电流放大倍数。发射极是输入回路、输出回路的公共端发射极是输入回路、输出回路的公共端发射极是输入回路、输出回路的公共端发射极是输入回路、输出回路的公共端 共发射极放大电路共发射极放大电路输入回路输入回路输出回路输出回路 测量晶体管特性的实验线路测量晶体管特性的实验线路测量晶体管特性的实验线路测量晶体管特性的实验线路ICEBmA AVUC
31、EUBERBIBECV+三三. 特性曲线特性曲线1. 1. 输入特性输入特性输入特性输入特性特点特点特点特点: : : :非线性非线性非线性非线性死区电压：死区电压：死区电压：死区电压：硅管硅管硅管硅管0.50.50.50.5V V，锗管锗管锗管锗管0.10.10.10.1V V。IB( A)UBE(V)204060800.40.8UCE 1VOICEBmA AVUCEUBERBIBECV+工作在放大状态时发射结压降：工作在放大状态时发射结压降：工作在放大状态时发射结压降：工作在放大状态时发射结压降： 硅管：硅管：硅管：硅管： U UBE BE 0.60.7V 0.60.7V 锗管：锗管：锗管
32、：锗管： U UBE BE 0.2 0.3V 0.2 0.3V2. 输出特性输出特性IB=020 A40 A60 A80 A100 A36IC(mA )1234UCE(V)912O输出特性曲线通常分三个工作区：输出特性曲线通常分三个工作区：输出特性曲线通常分三个工作区：输出特性曲线通常分三个工作区：ICmAUCEIBECV+2. 输出特性输出特性IB=020 A40 A60 A80 A100 A36IC(mA )1234UCE(V)912O放大区放大区输出特性曲线通常分三个工作区：输出特性曲线通常分三个工作区：输出特性曲线通常分三个工作区：输出特性曲线通常分三个工作区：(1) (1) 放大区放
33、大区放大区放大区 在放大区有在放大区有在放大区有在放大区有 I IC C= = I IB B ，也也也也称为线性区，具有称为线性区，具有称为线性区，具有称为线性区，具有恒流特性。恒流特性。恒流特性。恒流特性。 在放大区，在放大区，在放大区，在放大区，发射结处发射结处发射结处发射结处于正向偏置、集电结处于正向偏置、集电结处于正向偏置、集电结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，于反向偏置，于反向偏置，于反向偏置，晶体管工晶体管工晶体管工晶体管工作于放大状态。作于放大状态。作于放大状态。作于放大状态。I IB B=0=02020 A A4040 A A6060 A A8080 A A100100 A
34、A3 36 6I IC C( (mmA A ) )1 12 23 34 4U UCECE(V)(V)9 91212O（2 2）截止区）截止区）截止区）截止区I IB B = 0 = 0 以下区域为以下区域为以下区域为以下区域为截止区，有截止区，有截止区，有截止区，有 I IC C= = I ICEOCEO 0 0 。 在截止区，在截止区，在截止区，在截止区，发射结处于反向偏置发射结处于反向偏置发射结处于反向偏置发射结处于反向偏置( ( ( (或正向偏置或正向偏置或正向偏置或正向偏置 V VB B V VE E 集电极电位最高集电极电位最高集电极电位最高集电极电位最高 V VE E V VB B
35、 V VC C 发射极电位最高发射极电位最高发射极电位最高发射极电位最高 PNPPNP型各极电位：型各极电位：型各极电位：型各极电位：硅管：硅管：硅管：硅管：锗管：锗管：锗管：锗管：第第1章章 基本要求基本要求1.1.掌握掌握二极管二极管的单向导电性，的单向导电性，会判断会判断会判断会判断二极管是二极管是二极管是二极管是导通还是导通还是导通还是导通还是截止截止截止截止，并，并会计算输出电压的大小会计算输出电压的大小会计算输出电压的大小会计算输出电压的大小。2.2.掌握掌握判断稳压管能否正常工作判断稳压管能否正常工作判断稳压管能否正常工作判断稳压管能否正常工作的方法。的方法。3.3.在含有在含有二极管或二极管或稳压管的简单电路中，稳压管的简单电路中，已知输入电压已知输入电压已知输入电压已知输入电压ui i 的波形，会画输出电压的波形，会画输出电压的波形，会画输出电压的波形，会画输出电压uo o的波形的波形的波形的波形。4.4.会判断三极管的工作状态会判断三极管的工作状态会判断三极管的工作状态会判断三极管的工作状态（放大、饱和、截止）；（放大、饱和、截止）；已知放大状态下的三极管各极对地的电位，已知放大状态下的三极管各极对地的电位，会判断三极会判断三极会判断三极会判断三极管的极性、材料和各电极符号管的极性、材料和各电极符号管的极性、材料和各电极符号管的极性、材料和各电极符号。
