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1、Sharp硅片生产新工艺类似类似AstroPower?AstroPower?多晶硅薄膜太阳电池产业化多晶硅薄膜太阳电池产业化CSG Solar公司，2004年建于德国Thalheim, 致力于发展以玻璃为衬底的多晶硅太阳电池技术来源：Matin Green和Paul Basore等领导下的10年的研究成果（SiH4)产品：1.4m2, 超过100W10MW/年，2006年投产CEO Mr D.Hogg （公司创建人）CTO Dr Paul Basore（公司创建人）CFO Ms Dawn Mills（公司创建人）COO Mr Franz Leibl多晶硅薄膜太阳电池产业化多晶硅薄膜太阳电池产业
2、化Unaxis Solar,2003成立，借鉴平板显示器工业的薄膜工艺，结合硅太阳电池工艺，致力于发展硅薄膜太阳电池的生产设备，正在寻求合作伙伴()技术来源：瑞士Neuchatel大学微技术研究所(IMT)和Lausanne联邦技术研究所(EPFL)发展计划：-2004年可以生产1.4m2非晶硅太阳电池组件-2005年发展非晶硅/多晶硅双结太阳电池组件-2005年建成第一条规模生产线铜铟锡太阳电池铜铟锡太阳电池同质或和异质结电池n-CdS/p-CuInSe2pin CdS/CuInSe2(ZnCd)/CuInSe2制备工艺制备工艺效率效率19%安装在北威尔士安装在北威尔士St Asaph 的的
3、Welsh Development Agency光学中心光学中心 由由CIS 太阳电池组件组成的太阳电池组件组成的85 kW光伏电站光伏电站 1 MW CIS太阳电池厂，太阳电池厂，Wuerth Solar in Marbach, 德国德国 碲化镉碲化镉/镉化硫太阳电池镉化硫太阳电池结构特点：CdTe是II-VI族化合物，闪锌矿结构，晶格常数a= 0.16477nm；CdS是II-VI族化合物，纤锌矿结构光学性能：直接带隙半导体材料，1.5eV,光谱响应与太阳光谱非常吻合，1m厚度的薄膜可吸收99%所对应的太阳光能量 ；CdS：直接带隙半导体材料，2.42eV电学性能：薄膜组分、结构沉积条件、热处理过程对薄膜的电阻和导电类型有很大影响CdTe/CdS薄膜太阳电池参数的理论值：开路电压电压Voc= 1.05mV；短路电流Jsc 30.8mA/cm2；填充因子FF=83.7%；转换效率约27%尽管和相差10%，但他们能形成电性能优良的异质结
