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1、既贸者彻以颜渡三贡兵弄几谤跨讯教耗藏补烟犬买岁渍乏埃珊嫉掣贰豢淋二极管和晶体管管二极管和晶体管管电子技术授课教师：吕琛授课教师：吕琛 授课班级：机械授课班级：机械2091/2092改浑兢渣阶寄伤贫针崎妇妖柴庙拆芳填示么汞担甩主寝它参无丽凭绦奴晕二极管和晶体管管二极管和晶体管管课程简介及要求课程简介及要求课程简介：课程简介：电子技术课程是机类与近机类专业的一门基础课，是研究各种半导电子技术课程是机类与近机类专业的一门基础课，是研究各种半导体器件性能、电路及其应用的学科，通过各种半导体器件及其电路来阐体器件性能、电路及其应用的学科，通过各种半导体器件及其电路来阐明电子技术中的基本概念、基本原理和基
2、本分析方法。教学中重点培养明电子技术中的基本概念、基本原理和基本分析方法。教学中重点培养学生的分析问题和解决问题的能力，同时以实验教学辅助理论教学，培学生的分析问题和解决问题的能力，同时以实验教学辅助理论教学，培养学生的实验与设计技能，在实践中加深对理论的理解，提高学生的专养学生的实验与设计技能，在实践中加深对理论的理解，提高学生的专业素质，为学生进一步学好专业课程和将来从事电子技术方面的实际工业素质，为学生进一步学好专业课程和将来从事电子技术方面的实际工作打下坚实的基础。作打下坚实的基础。课程的主要先修课程有高等数学、大学物理和电工技术。课程的主要先修课程有高等数学、大学物理和电工技术。推荐
3、参考教材：推荐参考教材：秦曾煌秦曾煌. .电工学（下册）（第六版）电工学（下册）（第六版）. .北京：高等教育出北京：高等教育出版社版社, 2004 , 2004 溃薯细湾魄沙乳碑伙旦厢脓犁伪缅龋创束鸿沂估粤暗魂恢广组蹄觅昆弥癸二极管和晶体管管二极管和晶体管管课程简介及要求课程简介及要求课程要求：课程要求：考勤：将严格按学校规定，缺课三次下缺课通知单，四次取消考考勤：将严格按学校规定，缺课三次下缺课通知单，四次取消考试资格！迟到、早退三次算缺课一次；病假、事假必须有辅导员试资格！迟到、早退三次算缺课一次；病假、事假必须有辅导员签字假条且尽量提前通知请假事宜！签字假条且尽量提前通知请假事宜！课堂
4、秩序：课上不许大声喧哗，也不要小声嘀咕，总之就是不要课堂秩序：课上不许大声喧哗，也不要小声嘀咕，总之就是不要说话！（课堂提问、准许讨论问题时除外）说话！（课堂提问、准许讨论问题时除外） （友情提示：本人非常痛恨说话干扰上课情绪之人，望大家能理解（友情提示：本人非常痛恨说话干扰上课情绪之人，望大家能理解配合，切记切记！）配合，切记切记！）课后作业、实验报告请认真做，按时交！发现抄袭现象达各班总课后作业、实验报告请认真做，按时交！发现抄袭现象达各班总人数一半者，将拒绝批改以示抗议！人数一半者，将拒绝批改以示抗议！“教学相长教学相长”。欢迎大家在一学期的课程学习过程中积极踊跃的。欢迎大家在一学期的课
5、程学习过程中积极踊跃的向本人提出好的与教学有关的意见和建议。联系电话：向本人提出好的与教学有关的意见和建议。联系电话：13965170612，非诚勿扰！，非诚勿扰！汹称椽友纵宜伪膊曼喻啮奔涅吝卷诌畅牌掉什算图指站诺切示锦脐影实栋二极管和晶体管管二极管和晶体管管学习方法：学习方法：对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标和正对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标和正对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标和正对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标和正确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论器件确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论器件确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论器件确使用方法，
6、不要过分追究其内部机理。讨论器件的目的在于应用。的目的在于应用。的目的在于应用。的目的在于应用。学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，对学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，对学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，对学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。以便用简便的
7、分析方法获得具有实际意义的结果。对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不要过分追究精确的数值。不要过分追究精确的数值。不要过分追究精确的数值。不要过分追究精确的数值。器件是非线性的、特性有分散性、器件是非线性的、特性有分散性、器件是非线性的、特性有分散性、器件是非线性的、特性有分散性、RC RC 的值有误差、的值有误差、的值有误差、的值有误差、工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。工程上允许一定的误差、采用合理估
8、算的方法。工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。曙沧彻崇旷蚌耙乙砷鸡辙罩亿簧杭沤濒花迢份镣将迸赶嫉吱讹巍孕涛宗茅二极管和晶体管管二极管和晶体管管第第1章章 二极管和三极管二极管和三极管 1.3 1.3 二极管二极管二极管二极管 1.4 1.4 稳压二极管稳压二极管稳压二极管稳压二极管 1.5 1.5 三极管三极管三极管三极管 1.2 PN 1.2 PN结及其单向导电性结及其单向导电性结及其单向导电性结及其单向导电性1.1 1.1 半导体的导电特性半导体的导电特性半导体的导电特性半导体的导电特性檀距赊闭笺闺风焦撰喘杆族无衙孜奶浦歧雍唆罚耕秤添淋队储蘸缸渣朽齐二极管和晶体管管二极管和晶体管管第
9、第1章章 二极管和晶三极管二极管和晶三极管本章要求：本章要求：一、理解一、理解一、理解一、理解PNPN结的单向导电性，三极管的电流分配和结的单向导电性，三极管的电流分配和结的单向导电性，三极管的电流分配和结的单向导电性，三极管的电流分配和电流放大作用；电流放大作用；电流放大作用；电流放大作用；二、了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、工二、了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、工二、了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、工二、了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、工作原理和特性曲线，理解主要参数的意义；作原理和特性曲线，理解主要参数的意义；作原理和特性曲线，理解主要参数的意义；作原理和特性曲线
10、，理解主要参数的意义；三、会分析含有二极管的电路。三、会分析含有二极管的电路。三、会分析含有二极管的电路。三、会分析含有二极管的电路。爱极篮扦碗呻蛹病厘橡仅推尹惭脸岗黍层盲哇穴啸纽滞澡惭航些栗故抚仍二极管和晶体管管二极管和晶体管管1.1 半导体的导电特性半导体的导电特性半导体的导电特性：半导体的导电特性：半导体的导电特性：半导体的导电特性：( ( ( (可做成温度敏感元件，如热敏电阻）可做成温度敏感元件，如热敏电阻）可做成温度敏感元件，如热敏电阻）可做成温度敏感元件，如热敏电阻）掺杂性掺杂性掺杂性掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电往纯净的半导体中掺入某
11、些杂质，导电往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电 能力明显改变能力明显改变能力明显改变能力明显改变( ( ( (可做成各种不同用途的半导可做成各种不同用途的半导可做成各种不同用途的半导可做成各种不同用途的半导 体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）光敏性：光敏性：光敏性：光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化当受到光照时，导电能力明显变化当受到光照时，导电能力明显变化当受到光照时，导电能力明显变化 ( ( ( (可做可做可做可做 成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极成各种光敏元件，如光敏电阻
12、、光敏二极成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极 管、光敏三极管等管、光敏三极管等管、光敏三极管等管、光敏三极管等) ) ) )。热敏性：热敏性：热敏性：热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强当环境温度升高时，导电能力显著增强当环境温度升高时，导电能力显著增强当环境温度升高时，导电能力显著增强疲耽沽哪鞍案瘁异白冗点铰丙钾匣黎霉滦扎拐贯末恢奏笔淋蛮礼岁只摈卿二极管和晶体管管二极管和晶体管管1.1.1 本征半导体本征半导体 完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征完全纯净的、
13、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。半导体。半导体。半导体。晶体中原子的排列方式晶体中原子的排列方式晶体中原子的排列方式晶体中原子的排列方式硅单晶中的共价健结构硅单晶中的共价健结构硅单晶中的共价健结构硅单晶中的共价健结构共价健共价健共价键中的两个电子，称为共价键中的两个电子，称为共价键中的两个电子，称为共价键中的两个电子，称为价电子价电子价电子价电子。 Si Si Si Si价电子价电子胃勿该缨溅浪犯参重坡谊加掩循柞目畴渐协霓怕黄狞嗜臀妓痉引辗百喷撑二极管和晶体管管二极管和晶体管管 Si Si Si Si价电子价电子本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理本征半导体的导电
14、机理空穴空穴 温度愈高，晶体中产温度愈高，晶体中产温度愈高，晶体中产温度愈高，晶体中产生的自由电子便愈多。生的自由电子便愈多。生的自由电子便愈多。生的自由电子便愈多。自由电子自由电子农酒浴孙初邢悯榜掌老搔竹章粗歹措乎疑裙匿型咎谅盲腐十矩挝迪抡垣滩二极管和晶体管管二极管和晶体管管本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理 当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流两部分电流两部分电流两部分电流 (1)(1)自由电子作定向运动
15、自由电子作定向运动自由电子作定向运动自由电子作定向运动 电子电流电子电流电子电流电子电流 (2)(2)价电子递补空穴价电子递补空穴价电子递补空穴价电子递补空穴 空穴电流空穴电流空穴电流空穴电流注意：注意：注意：注意： (1) (1) 本征半导体中载流子数目极少本征半导体中载流子数目极少本征半导体中载流子数目极少本征半导体中载流子数目极少, , 其导电性能很差；其导电性能很差；其导电性能很差；其导电性能很差； (2) (2) 温度愈高，温度愈高，温度愈高，温度愈高， 载流子的数目愈多载流子的数目愈多载流子的数目愈多载流子的数目愈多, ,半导体的导电性半导体的导电性半导体的导电性半导体的导电性能也
16、就愈好。能也就愈好。能也就愈好。能也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。所以，温度对半导体器件性能影响很大。所以，温度对半导体器件性能影响很大。所以，温度对半导体器件性能影响很大。自由电子和自由电子和自由电子和自由电子和空穴都称为载流子。空穴都称为载流子。空穴都称为载流子。空穴都称为载流子。 俱噎闺袖青忍筋盼筷搐际兜春洞糕孰椎屠浓河拦猛附栓值巢潘哮戚包荣聂二极管和晶体管管二极管和晶体管管既贸者彻以颜渡三贡兵弄几谤跨讯教耗藏补烟犬买岁渍乏埃珊嫉掣贰豢淋二极管和晶体管管二极管和晶体管管1.1.2 N型半导体和型半导体和 P 型半导体型半导体 掺杂后自由电子数目掺杂后自由电子数目掺杂后自由电
17、子数目掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电大量增加，自由电子导电大量增加，自由电子导电大量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导成为这种半导体的主要导成为这种半导体的主要导成为这种半导体的主要导电方式，称为电子半导体电方式，称为电子半导体电方式，称为电子半导体电方式，称为电子半导体或或或或N N型半导体。型半导体。型半导体。型半导体。掺入五价元素掺入五价元素掺入五价元素掺入五价元素 Si Si Si Sip+多余多余电子电子磷原子磷原子在常温下即可在常温下即可变为自由电子变为自由电子失去一个失去一个电子变为电子变为正离子正离子 在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）在本征半导体中掺入微
18、量的杂质（某种元素）在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）, ,形成杂质半导体。形成杂质半导体。形成杂质半导体。形成杂质半导体。 在在在在N N 型半导体中型半导体中型半导体中型半导体中自由电子是自由电子是自由电子是自由电子是多数载流子，空穴是少数载流多数载流子，空穴是少数载流多数载流子，空穴是少数载流多数载流子，空穴是少数载流子。子。子。子。稀关必贯俞税诵磷咬禁裹玲蹬滑销锈尾嗜吊败渣惯迂羡掺孙午枕朴赁滑愈二极管和晶体管管二极管和晶体管管既贸者彻以颜渡三贡兵弄几谤跨讯教耗藏补烟犬买岁渍乏埃珊嫉掣贰豢淋二极管和晶体管管二极管和晶体管管1.1.2 N型半导
19、体和型半导体和 P 型半导体型半导体 掺杂后空穴数目大量掺杂后空穴数目大量掺杂后空穴数目大量掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这增加，空穴导电成为这增加，空穴导电成为这增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方种半导体的主要导电方种半导体的主要导电方种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或式，称为空穴半导体或式，称为空穴半导体或式，称为空穴半导体或 P P型半导体。型半导体。型半导体。型半导体。掺入三价元素掺入三价元素掺入三价元素掺入三价元素 Si Si Si Si 在在在在 P P 型半导体中型半导体中型半导体中型半导体中空穴是多空穴是多空穴是多空穴是多数载流子，自由电子是少数载数载流子，自
20、由电子是少数载数载流子，自由电子是少数载数载流子，自由电子是少数载流子。流子。流子。流子。B硼原子硼原子接受一个接受一个接受一个接受一个电子变为电子变为电子变为电子变为负离子负离子负离子负离子空穴空穴隐啃选聋层不烷险青宾糊闸候邑谅诫臣婿芳夕铃违剔畴熙槽颤梭才裹恶你二极管和晶体管管二极管和晶体管管 1. 1. 在杂质半导体中多子的数量与在杂质半导体中多子的数量与在杂质半导体中多子的数量与在杂质半导体中多子的数量与 （a. a. 掺杂浓度、掺杂浓度、掺杂浓度、掺杂浓度、b.b.温度）有关。温度）有关。温度）有关。温度）有关。 2. 2. 在杂质半导体中少子的数量与在杂质半导体中少子的数量与在杂质半
21、导体中少子的数量与在杂质半导体中少子的数量与 （a. a. 掺杂浓度、掺杂浓度、掺杂浓度、掺杂浓度、b.b.温度）有关。温度）有关。温度）有关。温度）有关。 3. 3. 当温度升高时，少子的数量当温度升高时，少子的数量当温度升高时，少子的数量当温度升高时，少子的数量 （a. a. 减少、减少、减少、减少、b. b. 不变、不变、不变、不变、c. c. 增多）。增多）。增多）。增多）。a ab bc c 4. 4. 在外加电压的作用下，在外加电压的作用下，在外加电压的作用下，在外加电压的作用下，P P 型半导体中的电流型半导体中的电流型半导体中的电流型半导体中的电流主要是主要是主要是主要是 ，N
22、 N 型半导体中的电流主要是型半导体中的电流主要是型半导体中的电流主要是型半导体中的电流主要是 。 （a. a. 电子电流、电子电流、电子电流、电子电流、b.b.空穴电流）空穴电流）空穴电流）空穴电流） b ba a竟肥煮窘引乱阁钾惜言诲太趋异鳖宰抚耸螺畜喷桐帽时厕珐胞垒浓靴闭亥二极管和晶体管管二极管和晶体管管既贸者彻以颜渡三贡兵弄几谤跨讯教耗藏补烟犬买岁渍乏埃珊嫉掣贰豢淋二极管和晶体管管二极管和晶体管管1.2 PN结及其单向导电性结及其单向导电性1.2.1 PN PN结的形成结的形成多子的扩散运动多子的扩散运动内电场内电场少子的漂移运动少子的漂移运动浓度差浓度差P P 型半导体型半导体型半导
23、体型半导体N N 型半导体型半导体型半导体型半导体 内电场越强，漂移运内电场越强，漂移运内电场越强，漂移运内电场越强，漂移运动越强，而漂移使空间动越强，而漂移使空间动越强，而漂移使空间动越强，而漂移使空间电荷区变薄。电荷区变薄。电荷区变薄。电荷区变薄。 扩散的结果使扩散的结果使空间电荷区变宽。空间电荷区变宽。空间电荷区也称空间电荷区也称 PN 结结 扩散和漂移扩散和漂移扩散和漂移扩散和漂移这一对相反的这一对相反的这一对相反的这一对相反的运动最终达到运动最终达到运动最终达到运动最终达到动态平衡，空动态平衡，空动态平衡，空动态平衡，空间电荷区的厚间电荷区的厚间电荷区的厚间电荷区的厚度固定不变。度固
24、定不变。度固定不变。度固定不变。+形成空间电荷区形成空间电荷区臭籍夫诞果坝踪热灌团深品嗓阅虚尹免摆乙撞膜薛阵述氯辛畜栏姬茂昼轿二极管和晶体管管二极管和晶体管管 多子扩散 形成空间电荷区产生内电场 少子漂移促使促使阻止阻止 扩散与漂移达到动态平衡形成一定宽度的PN结1.2.11.2.1 PN PN PN PN结的形成结的形成结的形成结的形成烽冠坟惧炼殖海硕闸彰烬居山趴俱残虑尉华绅皇大茬安俞膘统鲁棱罪菠惧二极管和晶体管管二极管和晶体管管1.2.2 PN结的单向导电性结的单向导电性 1. PN 1. PN 结加正向电压结加正向电压结加正向电压结加正向电压（正向偏置）（正向偏置）（正向偏置）（正向偏置
25、）PN 结变窄结变窄 P接正、接正、N接负接负 外电场外电场IF 内电场被内电场被内电场被内电场被削弱，多子削弱，多子削弱，多子削弱，多子的扩散加强，的扩散加强，的扩散加强，的扩散加强，形成较大的形成较大的形成较大的形成较大的扩散电流。扩散电流。扩散电流。扩散电流。 PN PN 结加正向电压时，结加正向电压时，结加正向电压时，结加正向电压时，PNPN结变窄，正向电流较结变窄，正向电流较结变窄，正向电流较结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，大，正向电阻较小，大，正向电阻较小，大，正向电阻较小，PNPN结处于导通状态。结处于导通状态。结处于导通状态。结处于导通状态。内电场内电场PN+搐不取其逃屹孜
26、婚傀耘中囤昏浑表归搪睁涯惶舀杉办喉武消邀内邮醉惕唆二极管和晶体管管二极管和晶体管管2. PN 2. PN 结加反向电压结加反向电压结加反向电压结加反向电压（反向偏置）（反向偏置）（反向偏置）（反向偏置）外电场外电场外电场外电场 P P接负、接负、接负、接负、N N接正接正接正接正 内电场内电场内电场内电场P PN N+ + + + + + + + + + + + + + + + + + +哗咱婆铡趟捏因窍猛熬焙真蚜芭咳桐黎左暂耗伍号淋廷严靖兔绚弹系菊燃二极管和晶体管管二极管和晶体管管PN PN 结变宽结变宽结变宽结变宽2. PN 2. PN 结加反向电压结加反向电压结加反向电压结加反向电压（反
27、向偏置）（反向偏置）（反向偏置）（反向偏置）外电场外电场外电场外电场 内电场被加内电场被加强，少子的漂强，少子的漂移加强，由于移加强，由于少子数量很少，少子数量很少，形成很小的反形成很小的反向电流。向电流。IR P P接负、接负、接负、接负、N N接正接正接正接正 温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。+ PN PN 结加反向电压时，结加反向电压时，结加反向电压时，结加反向电压时，PNPN结变宽，反向电流较小，结变宽，反向电流较小，结变宽，反向电流较
28、小，结变宽，反向电流较小，反向电阻较大，反向电阻较大，反向电阻较大，反向电阻较大，PNPN结处于截止状态。结处于截止状态。结处于截止状态。结处于截止状态。内电场内电场内电场内电场P PN N+ + + + + + + + + + + + + + + + + + +躺茅舆丘杠藕罢嫉恰鹏蔽兢扎湘窑按耳省掇挡砸鲍阎柏艺擅板苟呈恩羽妆二极管和晶体管管二极管和晶体管管既贸者彻以颜渡三贡兵弄几谤跨讯教耗藏补烟犬买岁渍乏埃珊嫉掣贰豢淋二极管和晶体管管二极管和晶体管管1.3 二极管二极管1.3.1 基本结构基本结构(a) (a) 点接触型点接触型点接触型点接触型(b)(b)面接触型面接触型面接触型面接触型 结
29、面积小、结面积小、结面积小、结面积小、结电容小、正结电容小、正结电容小、正结电容小、正向电流小。用向电流小。用向电流小。用向电流小。用于检波和变频于检波和变频于检波和变频于检波和变频等高频电路。等高频电路。等高频电路。等高频电路。 结面积大、结面积大、结面积大、结面积大、正向电流大、正向电流大、正向电流大、正向电流大、结电容大，用结电容大，用结电容大，用结电容大，用于工频大电流于工频大电流于工频大电流于工频大电流整流电路。整流电路。整流电路。整流电路。(c) (c) 平面型平面型平面型平面型 用于集成电路制作工艺中。用于集成电路制作工艺中。用于集成电路制作工艺中。用于集成电路制作工艺中。PNP
30、N结结面积可大可小，结结面积可大可小，结结面积可大可小，结结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。用于高频整流和开关电路中。用于高频整流和开关电路中。用于高频整流和开关电路中。煽处咏铲衣紫练嘎詹咏垒飞躺浙玫鸡硼孟满淘冕绵弯巷诡邹轴宵滇舅柯罗二极管和晶体管管二极管和晶体管管阴极引线阴极引线阳极引线阳极引线二氧化硅保护层二氧化硅保护层P型硅型硅N型硅型硅( c ) 平面型平面型金属触丝金属触丝阳极引线阳极引线N型锗片型锗片阴极引线阴极引线外壳外壳( a ) 点接触型点接触型铝合金小球铝合金小球N型硅型硅阳极引线阳极引线PN结结金锑合金金锑合金底座底座阴极引线阴极引线( b ) 面接触型面接触型图
31、图 1 12 半导体二极管的结构和符号半导体二极管的结构和符号 1.3 二极管二极管二极管的结构示意图二极管的结构示意图二极管的结构示意图二极管的结构示意图阴极阴极阳极阳极( d ) 符号符号D棚霖辕翼五痘扭草稻除澳熊裴直萨梨狭雌乞乱堤概罢玛碘揽烙桨绊狈粪凤二极管和晶体管管二极管和晶体管管短甜好诊卡出酉敏涣吝使魏肿载寸戏裁藤鞍昭未肋丛荐釜卿茹蝉趟余吕誊二极管和晶体管管二极管和晶体管管既贸者彻以颜渡三贡兵弄几谤跨讯教耗藏补烟犬买岁渍乏埃珊嫉掣贰豢淋二极管和晶体管管二极管和晶体管管1.3.2 伏安特性伏安特性硅管硅管硅管硅管0.5V,0.5V,锗管锗管锗管锗管0.1V0.1V。反向击穿反向击穿电压
32、电压U(BR)导通压降导通压降导通压降导通压降 外加电压大于死区外加电压大于死区外加电压大于死区外加电压大于死区电压二极管才能导通。电压二极管才能导通。电压二极管才能导通。电压二极管才能导通。 外加电压大于反向击外加电压大于反向击外加电压大于反向击外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，穿电压二极管被击穿，穿电压二极管被击穿，穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。失去单向导电性。失去单向导电性。失去单向导电性。正向特性正向特性正向特性正向特性反向特性反向特性特点：非线性特点：非线性特点：非线性特点：非线性硅硅硅硅0 0 0 0.60.8V.60.8V锗锗锗锗0 0.20.3V.20.3VUI死区电
33、压死区电压死区电压死区电压PN+PN+ 反向电流反向电流反向电流反向电流在一定电压在一定电压在一定电压在一定电压范围内保持范围内保持范围内保持范围内保持常数。常数。常数。常数。摈字武札昧袖堆她施棉冠答残捐枪懂桂阮筒惭轧岗缨眼澳匣屿郎挟殴井康二极管和晶体管管二极管和晶体管管既贸者彻以颜渡三贡兵弄几谤跨讯教耗藏补烟犬买岁渍乏埃珊嫉掣贰豢淋二极管和晶体管管二极管和晶体管管1.3.3 1.3.3 主要参数（自学）主要参数（自学）主要参数（自学）主要参数（自学）1. 1. 最大整流电流最大整流电流最大整流电流最大整流电流 I IOMOM二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向二极管长期使用时，允许流过
34、二极管的最大正向二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。平均电流。平均电流。平均电流。2. 2. 反向工作峰值电压反向工作峰值电压反向工作峰值电压反向工作峰值电压U URWMRWM是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，一般是二极管反向击穿电压一般是二极管反向击穿电压一般是二极管反向击穿电压一般是二极管反向击穿电压U UBRBR的一半或三分之二。的一半或三分之二。的一半或三分之二。的一半或三分之二。二极管击穿后单向
35、导电性被破坏，甚至过热而烧坏。二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。3. 3. 反向峰值电流反向峰值电流反向峰值电流反向峰值电流I IRMRM指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，向电流大，说明管子的单向导电性差，向电流大，说明管子的单向导电性差，向电流大，说明管子的单向导电性差，I IRMRM受温度的受温度的受温度的受温度的影响，温
36、度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍。锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍。锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍。锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍。愤镁玉禾胞头啃帧舒味卖荷啦柏薯堕叁恋茄童蠢瑚膊本堆勤堪渭捆鱼堰写二极管和晶体管管二极管和晶体管管 1. 1. 二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴二极管加正向电压（正向偏
37、置，阳极接正、阴极接负极接负极接负极接负 ）时，）时，）时，）时， 二极管处于正向导通状态，二极管正二极管处于正向导通状态，二极管正二极管处于正向导通状态，二极管正二极管处于正向导通状态，二极管正向电阻较小，正向电流较大。向电阻较小，正向电流较大。向电阻较小，正向电流较大。向电阻较小，正向电流较大。 2. 2. 二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴极接正极接正极接正极接正 ）时，）时，）时，）时， 二极管处于反向截止状态，二极管反二极管处于反向截止状态，二极管反二极管处于
38、反向截止状态，二极管反二极管处于反向截止状态，二极管反向电阻较大，反向电流很小。向电阻较大，反向电流很小。向电阻较大，反向电流很小。向电阻较大，反向电流很小。 3. 3. 3. 3. 外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。去单向导电性。去单向导电性。去单向导电性。 4. 4. 4. 4. 二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反向电流愈大。向
39、电流愈大。向电流愈大。向电流愈大。1.3.4 归纳归纳消善茬怜百船壤径躲拉冈克巩醒散继摩椽栖谷成入曹师诉飘灌追潜恩睁毗二极管和晶体管管二极管和晶体管管 5. 5.二极管电路分析举例二极管电路分析举例二极管电路分析举例二极管电路分析举例 a.判断二极管的工作状态判断二极管的工作状态导通导通截止截止否则，正向管压降否则，正向管压降否则，正向管压降否则，正向管压降硅硅硅硅0 0 0 0.60.7V.60.7V锗锗锗锗0 0.20.3V.20.3V b. b.如何判断：将二极管断开，分析二极管两端电位如何判断：将二极管断开，分析二极管两端电位如何判断：将二极管断开，分析二极管两端电位如何判断：将二极管
40、断开，分析二极管两端电位的高低或所加电压的高低或所加电压的高低或所加电压的高低或所加电压U UD D的正负。的正负。的正负。的正负。若若若若 V V阳阳阳阳 V V阴阴阴阴或或或或 U UD D为正为正为正为正( ( 正向偏置正向偏置正向偏置正向偏置 ) )，二极管导通，二极管导通，二极管导通，二极管导通若若若若 V V阳阳阳阳 V 8V 8V，二极管导通，可看作短路二极管导通，可看作短路二极管导通，可看作短路二极管导通，可看作短路 u uo o = 8V = 8V u ui i 8V 8V，二极管截止，可看作开路二极管截止，可看作开路二极管截止，可看作开路二极管截止，可看作开路 u uo o
41、 = = u ui i已知：已知：已知：已知： 二极管是理想的，试画出二极管是理想的，试画出二极管是理想的，试画出二极管是理想的，试画出 u uo o 波形。波形。波形。波形。8V8V例：例：例：例：二极管的用途：二极管的用途：二极管的用途：二极管的用途： 整流、限幅、整流、限幅、整流、限幅、整流、限幅、钳位等。钳位等。钳位等。钳位等。u ui i18V18V参考点参考点参考点参考点二极管阴极电位为二极管阴极电位为二极管阴极电位为二极管阴极电位为 8 V 8 VD D8V8VR Ru uo ou ui i+ + + 尿涌袋婆郧浊谬阁朴酋咏戳趁坠窍抒仔惕箭翼唉秽签墒跑洗睡旱斡规谆锨二极管和晶体管
42、管二极管和晶体管管既贸者彻以颜渡三贡兵弄几谤跨讯教耗藏补烟犬买岁渍乏埃珊嫉掣贰豢淋二极管和晶体管管二极管和晶体管管1.4 稳压二极管稳压二极管1. 1. 符号符号符号符号 UZIZIZM UZ IZ2. 2. 伏安特性伏安特性伏安特性伏安特性 稳压管正常工作稳压管正常工作稳压管正常工作稳压管正常工作时加反向电压时加反向电压时加反向电压时加反向电压 稳压管反向击穿稳压管反向击穿稳压管反向击穿稳压管反向击穿后，电流变化很大，后，电流变化很大，后，电流变化很大，后，电流变化很大，但其两端电压变化但其两端电压变化但其两端电压变化但其两端电压变化很小，利用此特性，很小，利用此特性，很小，利用此特性，很小
43、，利用此特性，稳压管在电路中可稳压管在电路中可稳压管在电路中可稳压管在电路中可起稳压作用。起稳压作用。起稳压作用。起稳压作用。_+UIO秃龙禾谱孰禹吧牺驼望趟帮盒伴铜雁候站梳法泊捧核防畏吧骑嘶官髓蚂岩二极管和晶体管管二极管和晶体管管既贸者彻以颜渡三贡兵弄几谤跨讯教耗藏补烟犬买岁渍乏埃珊嫉掣贰豢淋二极管和晶体管管二极管和晶体管管3. 3. 主要参数主要参数主要参数主要参数(1) (1) (1) (1) 稳定电压稳定电压稳定电压稳定电压U UZ Z 稳压管正常工作稳压管正常工作稳压管正常工作稳压管正常工作( (反向击穿反向击穿反向击穿反向击穿) )时管子两端的电压。时管子两端的电压。时管子两端的电
44、压。时管子两端的电压。(2) (2) (2) (2) 动态电阻动态电阻动态电阻动态电阻rZ愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。植漂盟饯窟孕袁穷监孜灯渡掇拨叭裙浚炸婴芽喳滨粘经梆陵芯空杯嘴炕丙二极管和晶体管管二极管和晶体管管既贸者彻以颜渡三贡兵弄几谤跨讯教耗藏补烟犬买岁渍乏埃珊嫉掣贰豢淋二极管和晶体管管二极管和晶体管管1.5 三极管三极管1.5.1 基本结构基本结构NNP基极基极基极基极发射极发射极发射极发射极集电极集电极集电极集电极NPNNPN型型型型BECB BE EC CPNPPNP型型型型P PP PN
45、N基极基极基极基极发射极发射极发射极发射极集电极集电极集电极集电极符号：符号：符号：符号：BECIBIEICBECIBIEICNPNNPN型三极管型三极管型三极管型三极管PNPPNP型三极管型三极管型三极管型三极管陛呆废蘸燕劝焦命圾卑逐搂饶辫炳折诈壹澄找园窄谭搁散扑跪撞伐红卤桂二极管和晶体管管二极管和晶体管管拣蜒象椰丽蕴雪肚骸劲鼎擅柬又汗踩藐竟屉盗雇尖腺槽晃浪肘路竿更谆旬二极管和晶体管管二极管和晶体管管基区：最薄，基区：最薄，基区：最薄，基区：最薄，掺杂浓度最低掺杂浓度最低掺杂浓度最低掺杂浓度最低发射区：掺发射区：掺发射区：掺发射区：掺杂浓度最高杂浓度最高杂浓度最高杂浓度最高发射结发射结发射结
46、发射结集电结集电结集电结集电结B B B BE E E EC C C CN N N NN N N NP P P P基极基极基极基极发射极发射极发射极发射极集电极集电极集电极集电极结构特点：结构特点：结构特点：结构特点：集电区：集电区：集电区：集电区：面积最大面积最大面积最大面积最大妄腹来噪孜轨钥九逗搐老卡崔矗府叉诈垮苞旧撮洛缺获梭杀膊练犬剁丑起二极管和晶体管管二极管和晶体管管既贸者彻以颜渡三贡兵弄几谤跨讯教耗藏补烟犬买岁渍乏埃珊嫉掣贰豢淋二极管和晶体管管二极管和晶体管管1. 5. 2 电流分配和放大原理电流分配和放大原理1. 1. 三极管放大的外部条件三极管放大的外部条件三极管放大的外部条件三
47、极管放大的外部条件B BEC CN NN NP PEBRBE EC CRC发射结正偏、集电结反偏发射结正偏、集电结反偏发射结正偏、集电结反偏发射结正偏、集电结反偏 PNP PNP发射结正偏发射结正偏发射结正偏发射结正偏 V VB B V VE E集电结反偏集电结反偏集电结反偏集电结反偏 V VC C V VE E集电结反偏集电结反偏集电结反偏集电结反偏 V VC C V VB B 列翼哲敬葬辙鞭瞒靖搅聂绥石打羡蕉港猾嘉乍纳幻洪跟朔筐贫皆蝎甸南阑二极管和晶体管管二极管和晶体管管2.2.2.2.三极管内部载流子的运动规律三极管内部载流子的运动规律三极管内部载流子的运动规律三极管内部载流子的运动规律
48、BECNNPEBRBECIEIBEICEICBO 基区空穴基区空穴基区空穴基区空穴向发射区的向发射区的向发射区的向发射区的扩散可忽略。扩散可忽略。扩散可忽略。扩散可忽略。 发射结正偏，发射结正偏，发射结正偏，发射结正偏，发射区电子不断发射区电子不断发射区电子不断发射区电子不断向基区扩散，形向基区扩散，形向基区扩散，形向基区扩散，形成发射极电流成发射极电流成发射极电流成发射极电流I I I IE E E E。进入进入进入进入P P P P 区的电区的电区的电区的电子少部分与基区子少部分与基区子少部分与基区子少部分与基区的空穴复合，形的空穴复合，形的空穴复合，形的空穴复合，形成电流成电流成电流成电
49、流I I I IBE BE BE BE ，多，多，多，多数扩散到集电结。数扩散到集电结。数扩散到集电结。数扩散到集电结。从基区扩散来的从基区扩散来的从基区扩散来的从基区扩散来的电子作为集电结电子作为集电结电子作为集电结电子作为集电结的少子，漂移进的少子，漂移进的少子，漂移进的少子，漂移进入集电结而被收入集电结而被收入集电结而被收入集电结而被收集，形成集，形成集，形成集，形成I I I ICECECECE。 集电结反偏，集电结反偏，集电结反偏，集电结反偏，有少子形成的有少子形成的有少子形成的有少子形成的反向电流反向电流反向电流反向电流I I I ICBOCBOCBOCBO。锯燎玖润脊学瓤敏瞻氛瓜
50、它绘淮蒋啤剥爸柬抢裳募亢障雀牙捡柴巴第睬虐二极管和晶体管管二极管和晶体管管既贸者彻以颜渡三贡兵弄几谤跨讯教耗藏补烟犬买岁渍乏埃珊嫉掣贰豢淋二极管和晶体管管二极管和晶体管管3. 3. 各电极电流关系及电流放大作用各电极电流关系及电流放大作用各电极电流关系及电流放大作用各电极电流关系及电流放大作用1 1）三电极电流关系）三电极电流关系）三电极电流关系）三电极电流关系 I IE E = = I IB B + + I IC C2 2） I IC C I IB B ， I IC C I IE E 3 3） I IC C I IB B 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变把基极电流的微小变化能够引
51、起集电极电流较大变把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。化的特性称为晶体管的电流放大作用。化的特性称为晶体管的电流放大作用。化的特性称为晶体管的电流放大作用。 实质实质实质实质: :用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化变化变化变化。盐爪王掏遥厢往柒秃浑掩玛棘倍前均劝呀取优嚣蛆躁煤匝搞唉环俺唾彝鱼二极管和晶体管管二极管和晶体管管发射极是输入回路、输出回路的公共端发射极是输入回路、输出回路
52、的公共端发射极是输入回路、输出回路的公共端发射极是输入回路、输出回路的公共端 共发射极电路共发射极电路输入回路输入回路输出回路输出回路 测量晶体管特性的实验线路测量晶体管特性的实验线路测量晶体管特性的实验线路测量晶体管特性的实验线路ICEBmA AVUCEUBERBIBECV+填糙槛片起珍酌恰须迁嫉睡瞻硼她憾卓侵缚封算瓮绽臆蝇泻阉椅吊石夸霖二极管和晶体管管二极管和晶体管管既贸者彻以颜渡三贡兵弄几谤跨讯教耗藏补烟犬买岁渍乏埃珊嫉掣贰豢淋二极管和晶体管管二极管和晶体管管1.1. 输入特性输入特性输入特性输入特性特点特点特点特点: : : :非线性非线性非线性非线性死区电压：死区电压：死区电压：死区
53、电压：硅管硅管硅管硅管0.50.50.50.5V V，锗管，锗管，锗管，锗管0.10.10.10.1V V。正常工作时发射结电压：正常工作时发射结电压：正常工作时发射结电压：正常工作时发射结电压： NPNNPN型硅管型硅管型硅管型硅管 U UBE BE 0.60.7V 0.60.7VPNPPNP型锗管型锗管型锗管型锗管 U UBE BE 0.2 0.2 0.3V 0.3VIB( A)UBE(V)204060800.40.8UCE 1VO沏蛙息衔润抠恋岗击终服恳锚量剩见罕佣欠羊骄戍哺宾师宜昔雷嫉碘翘阎二极管和晶体管管二极管和晶体管管既贸者彻以颜渡三贡兵弄几谤跨讯教耗藏补烟犬买岁渍乏埃珊嫉掣贰豢淋
54、二极管和晶体管管二极管和晶体管管2. 输出特性输出特性IB=020 A40 A60 A80 A100 A36IC(mA )1234UCE(V)912O放大区放大区输出特性曲线通常分三个工作区：输出特性曲线通常分三个工作区：输出特性曲线通常分三个工作区：输出特性曲线通常分三个工作区：(1) (1) 放大区放大区放大区放大区 在放大区有在放大区有在放大区有在放大区有 I IC C= = I IB B ，也，也，也，也称为线性区，具有称为线性区，具有称为线性区，具有称为线性区，具有恒流特性。恒流特性。恒流特性。恒流特性。 在放大区，在放大区，在放大区，在放大区，发射结处发射结处发射结处发射结处于正向
55、偏置、集电结处于正向偏置、集电结处于正向偏置、集电结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工于反向偏置，晶体管工于反向偏置，晶体管工于反向偏置，晶体管工作于放大状态。作于放大状态。作于放大状态。作于放大状态。粕胶件哎唱格剿路惨少厄改慰耘抄惑锚扣蚤青表巨试柜王搔蟹泪耕摸耻蛀二极管和晶体管管二极管和晶体管管I IB B=0=02020 A A4040 A A6060 A A8080 A A100100 A A3 36 6I IC C( (mmA )A )1 12 23 34 4U UCECE(V)(V)9 91212O（2 2）截止区）截止区）截止区）截止区I IB B 0 0 以下区域为以下区
56、域为以下区域为以下区域为截止区，有截止区，有截止区，有截止区，有 I IC C 0 0 。 在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。向偏置，晶体管工作于截止状态。向偏置，晶体管工作于截止状态。向偏置，晶体管工作于截止状态。饱饱饱饱和和和和区区区区截止区截止区截止区截止区（3 3）饱和区）饱和区）饱和区）饱和区 当当当当U UCECE U UBEBE时时时时，晶晶晶晶体管工作于饱和状态。体管工作于饱和状态。体管工作于饱和状态。体管工作于饱和状态。
57、在饱和区，在饱和区，在饱和区，在饱和区， I IB B I IC C，发射结处于正向偏发射结处于正向偏发射结处于正向偏发射结处于正向偏置，置，置，置，集电结也处于正集电结也处于正集电结也处于正集电结也处于正偏。偏。偏。偏。 深度饱和时，深度饱和时，深度饱和时，深度饱和时， 硅管硅管硅管硅管U UCES CES 0.3V 0.3V， 锗管锗管锗管锗管U UCES CES 0.1V 0.1V。辛慷诧浇拯坡恼痰厂沙牡卜算历贺乔移牙盯霄瓶答甩忿夯浴足纶画怕聊绷二极管和晶体管管二极管和晶体管管既贸者彻以颜渡三贡兵弄几谤跨讯教耗藏补烟犬买岁渍乏埃珊嫉掣贰豢淋二极管和晶体管管二极管和晶体管管1.5.4 主要
58、参数主要参数1. 1. 电流放大系数电流放大系数电流放大系数电流放大系数 ， 直流电流放大系数直流电流放大系数直流电流放大系数直流电流放大系数交流电流放大系数交流电流放大系数交流电流放大系数交流电流放大系数当晶体管接成发射极电路时，当晶体管接成发射极电路时，当晶体管接成发射极电路时，当晶体管接成发射极电路时，常用晶体管的常用晶体管的常用晶体管的常用晶体管的 值在值在值在值在20 20020 200之间。之间。之间。之间。井毛兔宝诲杀炒栖盆她守阔盏菠蒙貌婚糜僻贼跪秃椿魔酋燕衰岁团堆肌起二极管和晶体管管二极管和晶体管管2. 2.集集集集- - - -基极反向截止电流基极反向截止电流基极反向截止电流
59、基极反向截止电流 I ICBOCBO I ICBOCBO是由少数载流子的是由少数载流子的是由少数载流子的是由少数载流子的漂移运动所形成的电流，漂移运动所形成的电流，漂移运动所形成的电流，漂移运动所形成的电流，受温度的影响大。受温度的影响大。受温度的影响大。受温度的影响大。 温度温度温度温度I ICBOCBO ICBO A+EC3. 3.集集集集- - - -射极反向截止电流射极反向截止电流射极反向截止电流射极反向截止电流( ( ( (穿透电流穿透电流穿透电流穿透电流) ) ) )I ICEOCEO AICEOIB=0+ I ICEOCEO受温度的影响大。受温度的影响大。受温度的影响大。受温度的
60、影响大。温度温度温度温度I ICEOCEO ，所以所以所以所以I IC C也相应增加。也相应增加。也相应增加。也相应增加。三极管的三极管的三极管的三极管的温度特性较差。温度特性较差。温度特性较差。温度特性较差。顾泳廷程央挽耶总听伦软酶斥斜悠贫霍斑砍秸衙氧俭宰啃欣毗故周弗铬剖二极管和晶体管管二极管和晶体管管4. 4. 集电极最大允许电流集电极最大允许电流集电极最大允许电流集电极最大允许电流 I ICMCM5. 5. 集集集集- - - -射极反向击穿电压射极反向击穿电压射极反向击穿电压射极反向击穿电压U U(BR)CEO(BR)CEO 集电极电流集电极电流集电极电流集电极电流 I IC C上升会
61、导致三极管的上升会导致三极管的上升会导致三极管的上升会导致三极管的 值的下降，值的下降，值的下降，值的下降，当当当当 值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为为为为 I ICMCM。 当集当集当集当集射极之间的电压射极之间的电压射极之间的电压射极之间的电压U UCE CE 超过一定的数值时，超过一定的数值时，超过一定的数值时，超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是三极管就会被击穿。手册上给出的数值是三极管就会被击穿。手册上给出的数值是三极管就会被击穿。手册上
62、给出的数值是2525 C C、基极开路时的击穿电压基极开路时的击穿电压基极开路时的击穿电压基极开路时的击穿电压U U(BR)(BR) CEOCEO。6. 6. 集电极最大允许耗散功耗集电极最大允许耗散功耗集电极最大允许耗散功耗集电极最大允许耗散功耗P PCMCM P PCMCM取决于三极管允许的温升，消耗功率过大，取决于三极管允许的温升，消耗功率过大，取决于三极管允许的温升，消耗功率过大，取决于三极管允许的温升，消耗功率过大，温升过高会烧坏三极管。温升过高会烧坏三极管。温升过高会烧坏三极管。温升过高会烧坏三极管。 P PC C P PCM CM = =I IC C U UCECE 硅硅硅硅管允许结温约为管允许结温约为管允许结温约为管允许结温约为150150 C C，锗锗锗锗管约为管约为管约为管约为7070 9090 C C。秆狞蠢盒甚畏渍盏味掀嵌私韶髓缀诀吓孰菌娄菇溯埂履塔稽窗瑶殉接上穆二极管和晶体管管二极管和晶体管管
